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LECO(激光輔助燒結(jié))可以提高0.2-0.5%的效率LECO可以降低接觸電阻,提高電池片效率激光輔助燒結(jié)技術(shù)又名激光增強接觸優(yōu)化(Laser-enhancedcontactoptimization(LECO)),2016年由CellEngineeringGmbH申請專利用于修復(fù)欠燒結(jié)的PERC電池。LECO是一種先進的激光燒結(jié)技術(shù),用于改善太陽能電池中金屬電極與硅片之間的接觸。在LECO處理中,激光用于非破壞性載波注入,而處理的驅(qū)動力是由LECO過程誘導(dǎo)的電流。這個過程發(fā)生在絲網(wǎng)印刷太陽能電池的快速燃燒過程之后。經(jīng)過LECO處理后,太陽能電池的接觸電阻明顯降低,即使在低摻雜的發(fā)射體上,也能形成接觸。用于LECO工藝的新漿料也顯示出提高了開路電壓以及短路電流的小幅度增加。在光伏電池的制造過程中,特別是對于TOPCon(TunnelOxidePassivatedContact)太陽能電池,LECO技術(shù)能夠精確地破壞硅片表面的鈍化層,并在此過程中形成一個優(yōu)化的金屬/硅接觸點。對于TOPCon電池,其結(jié)構(gòu)設(shè)計要求在表面鈍化層和金屬接觸之間尋找一個平衡點,以便減少電子-空穴對的復(fù)合同時保持良好的電流收集。而LECO技術(shù)允許在不損害鈍化層特性的情況下實現(xiàn)高質(zhì)量的金屬接觸點,它能夠以非常精確的方式局部破壞鈍化層,并促進金屬和硅之間的電子傳輸。
使用LECO技術(shù)的TOPCon太陽能電池能夠提升其轉(zhuǎn)換效率,通常效率提升可以在0.2%到0.5%。80和170um的iTOPCon電池,對于這兩種多晶體厚度,LECO處理后的最佳組平均效率增加了0.6%,這主要是由于FF和Voc值較高所致。此外,LECO使最大效率提高,在LECO之前達到ηmax=22.3%,在LECO之后達到ηmax=22.8%。進行LECO處理后,F(xiàn)F的穩(wěn)定幾乎不受厚度的影響。因此,每個多晶硅厚度的最佳燒結(jié)溫度降低20-40℃,這使得Voc電位更高,而FF沒有下降,這緩解了Voc和FF之間的平衡。此外,LECO允許使用更薄的多晶硅層,這特別受益于在燃燒期間減少的熱預(yù)算。當(dāng)Tp-set=800℃時,Voc已經(jīng)開始下降,這在80納米多晶硅厚度的電池中比在170納米厚度的電池中更加明顯。此外,由于沉積時間縮短,多晶硅厚度的降低有望降低成本。在P-PERC電池上,分別使用標(biāo)準(zhǔn)漿料/LECO專用漿料,細柵寬度40μm,主柵數(shù)量4道。LECO批次的平均開路電壓高出6.9mV,而填充因子處于同一水平,略提升0.42%,短路電流增加0.08mA/cm2,總體來看,電池片轉(zhuǎn)換效率提升0.38%。LECO的工藝流程LECO的工藝方法為對電池片照射高強度激光,同時施加10V或以上的偏轉(zhuǎn)電壓,由此產(chǎn)生的數(shù)安培的局部電流會顯著降低金屬與半導(dǎo)體之間的接觸電阻。實驗條件下每片硅片處理時間1.6秒,可以很容易地降低至1秒以下。具體工藝流程如下:a)準(zhǔn)備工作:首先,硅電池片通過常規(guī)工藝步驟完成鈍化層的沉積,以形成高質(zhì)量的鈍化層以減少表面復(fù)合。b)銀漿印刷:使用絲網(wǎng)印刷或其他印刷技術(shù)將銀漿涂覆在硅片的前表面上,形成預(yù)定的電極圖案。銀漿內(nèi)含有銀顆粒以及有機溶劑和粘合劑。c)預(yù)干燥:在激光處理之前,先對涂有銀漿的硅片進行預(yù)干燥以去除大部分有機溶劑,避免激光加熱時產(chǎn)生的氣體泡影響接觸質(zhì)量。d)激光燒結(jié):通過精確控制激光的能量和照射時間,激光照射在銀漿上,局部加熱銀漿以進行燒結(jié)。激光的熱效應(yīng)引發(fā)銀漿中銀粒子的熔融和連接。在這一過程中,銀漿與電池片之間的微觀變化如下:a)鈍化層局部破壞:激光加熱造成的熱點會局部破壞硅片上的鈍化層,這是一個精確控制的物理過程。破壞鈍化層是為了使銀能夠與硅片形成直接接觸,建立有效的電子傳輸路徑。
b)銀硅合金形成:在高溫的作用下,銀粒子開始與硅反應(yīng),局部形成銀硅合金。這個過程涉及到銀原子擴散進入硅片表面,并在接觸區(qū)域形成良好的歐姆接觸。c)冷卻與固化:經(jīng)過激光處理后,燒結(jié)區(qū)域開始冷卻。銀粒子之間的金屬連接固化,形成牢固的電極。d)清潔與檢驗:最后,對處理過的硅片進行清潔以去除任何殘留的有機物,并進行檢驗以確保接觸質(zhì)量和電池功能。在整個LECO工藝中,微觀層面上的變化對太陽能電池的性能至關(guān)重要。銀漿與硅片表面的互相作用需要精確控制,以確保接觸電阻最小化,同時避免對硅片造成不必要的結(jié)構(gòu)損傷。正確的激光燒結(jié)參數(shù)對于實現(xiàn)高效率的金屬接觸至關(guān)重要,而LECO技術(shù)通過優(yōu)化這些參數(shù),提供了制造高性能太陽能電池的一種可靠方法。LECO優(yōu)缺點與難點LECO技術(shù)的優(yōu)點包括提高電池效率、能夠精確控制、降低電池片損耗、提升產(chǎn)能和可靠性與降低制造成本。首先,LECO可以通過優(yōu)化金屬接觸和減少接觸電阻,從而可以在同樣的線寬下獲得更高的電流,或在同樣的電流下獲得更細的線路,來提高太陽能電池的轉(zhuǎn)換效率;其次,激光工藝可以非常精確地控制熱影響區(qū)域,使得可以在不損害電池活性區(qū)域的前提下,破壞鈍化層并形成金屬接觸;第三,傳統(tǒng)的熱燒結(jié)過程可能會造成整片硅損傷,LECO作為一種非接觸式技術(shù),風(fēng)險較低,對硅片的熱應(yīng)力和損傷減少;第四,LECO工藝的自動化程度高,可以集成到高速生產(chǎn)線中,有助于提升電池生產(chǎn)的一致性和可靠性;最后,由于激光處理可以非常精確,因此可以減少金屬使用量,降低制造成本。此外,LECO適用集成級別豐富、適用電池類型廣泛。LECO技術(shù)的缺點則有成本增加、技術(shù)復(fù)雜、維護與操作要求高和激光安全性問題。LECO設(shè)備需要初始投資。此外,專用銀漿料也比傳統(tǒng)銀漿成本更高;第二,激光燒結(jié)是一個復(fù)雜的過程,需要精確的激光參數(shù)控制和工藝管理;第三,高精度的激光設(shè)備需要專業(yè)的維護和操作,這可能會增加人力成本和設(shè)備維護成本;第四,激光設(shè)備操作需要嚴格遵守安全規(guī)程,以防止對操作人員或環(huán)境造成傷害。LECO技術(shù)的難點在于工藝優(yōu)化和材料相容性。首先在工藝優(yōu)化方面,找到最佳的激光參數(shù)(如功率、持續(xù)時間和聚焦大小)以最大化效率提升同時最小化硅片損傷是一個挑戰(zhàn)。其次,開發(fā)和選擇與激光工藝相容的銀漿材料,以確保在燒結(jié)過程中具有良好的接觸形成和穩(wěn)定性也是一個難點。LECO對于銀漿、膠膜的改變TOPcon正面銀鋁漿改為純銀漿在傳統(tǒng)的TOPCon太陽能電池中,正面通常使用銀鋁漿來形成導(dǎo)電的前電極。這種銀鋁漿的使用是為了形成背場、降低接觸電阻。鋁在傳統(tǒng)電池制造中常用于形成背面場(BackSurfaceField,BSF),這有助于收集和導(dǎo)向電子,減少電荷在背面的復(fù)合,從而提升電池效率。雖然這通常在背電極中實現(xiàn),但在某些設(shè)計中,銀鋁漿也可以有助于形成局部背場。接觸電阻降低方面,鋁可以在燒結(jié)過程中幫助減少金屬與硅之間的接觸電阻,因為鋁能夠與硅形成歐姆接觸,從而提高電流的收集效率。然而,銀鋁漿的使用也存在一些問題,例如鋁可能導(dǎo)致電池效率下降,因為它可以在硅表面形成一層難以控制的氧化鋁層,影響電子的流動。同時,銀鋁漿在燒結(jié)過程中可能會對硅片表面的鈍化層造成損害,降低電池的整體性能。在LECO的作用下,激光能夠精確地加熱銀漿,局部破壞鈍化層,使銀可以直接與硅形成接觸,在不損害硅片的前提下,促使銀漿局部熔融并擴散進入硅片表面,形成微小的銀硅合金結(jié),這種合金結(jié)具有很低的接觸電阻,并且對電子的傳輸效率非常高。因此,不再需要依賴鋁來降低接觸電阻或形成局部背場效應(yīng),純銀漿就足以提供良好的導(dǎo)電性能,也避免了銀鋁漿帶來的問題,可以實現(xiàn)保護電池性能和提高生產(chǎn)效率的雙重效果。不使用銀鋁漿后,電池片封裝可以使用雙面EVA
膠膜在太陽能電池片的封裝過程中,封裝材料的選擇對電池組件的耐久性和長期性能有著至關(guān)重要的影響。傳統(tǒng)上,使用銀鋁漿作為導(dǎo)電粘合劑時,鋁的存在可能加速封裝材料的腐蝕。因為鋁在潮濕或含氧的環(huán)境中可能發(fā)生氧化,導(dǎo)致電池片的功效下降。為防止這種氧化作用,通常會使用一種耐腐蝕性更好的封裝材料,如聚烯烴彈性體(POE)膠膜,來保護電池片免受水分和氧氣的侵襲。使用純銀漿后,鋁引起的腐蝕問題不復(fù)存在,因此封裝時可以選擇成本更低且加工更容易的EVA膠膜。EVA膠膜在光伏行業(yè)中被廣泛使用,它具有良好的粘接性能、耐久性和抗紫外線能力,但在與鋁接觸時可能會受到腐蝕影響。由于LECO工藝的采用,TOPCon電池不再需要擔(dān)心這種腐蝕,因此可以安全地使用EVA膠膜進行封裝。不用激光SE在傳統(tǒng)的光伏電池制造中,激光選擇性發(fā)射區(qū)(LaserSelectiveEmitter,LSE)技術(shù)被用來提升晶體硅電池的效率。這一過程通過激光局部摻雜來形成具有不同摻雜水平的區(qū)域,從而優(yōu)化電池前表面的電荷載流子收集和電流的輸送。高摻雜區(qū)域具有低的接觸電阻,而低摻雜區(qū)域則有更低的載流子復(fù)合率。然而,這一技術(shù)在操作上較為復(fù)雜,且增加了制造成本。
LECO技術(shù)通過激光輔助燒結(jié)銀漿的過程,可以在不損害硅片鈍化層的情況下,直接形成低電阻的金屬與硅之間的歐姆接觸,從而降低整體的接觸電阻而無需額外的摻雜步驟,因此不再需
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