CN119387874A 高精度激光刻蝕的參數調節方法及裝置 （深圳市智鼎自動化技術有限公司）

道興東社區68區美生創谷二期慧谷2獲取加工材料的基本參數和初步加工參數，所述基本參數包根據所述初步加工參數，控制設備進行制樣得到所述加工材料根據所述工藝目標數據，選中所述加工樣板的光刻結構表面區域，所述測量操作包括：垂直刻蝕線方向每間隔預設間距測量一條重復所述測量操作，直到完成所有斷線刻蝕深度的測量，;表示為當前斷線的最大刻蝕深度；;所述激光刻蝕數據的關系模型包括激光聚焦深度與所述平均刻蝕速率之間的關系模所述激光聚焦深度與所述平均刻蝕速率之間的關系模;3其中，f(h)表示為所述平均刻蝕速率與激光聚焦深度的函數關系式，h表示為激光聚使用最小二乘法來計算所述激光聚焦深度與刻蝕速率的回;;;;數據獲取模塊，用于所述數據包括加工材料的初步加工刻蝕深度獲取模塊，用于根據所述初步加工關系模型建立模塊，用于根據所述平均刻蝕速率，利用線性回歸工藝參數調節模塊，根據所述激光功率調整方案，完成所有4為由所述處理器執行的計算機程序，所述處理器執行所述計算機程序時實現如權利要求1利要求1至7中任意一項所述的高精度激光刻蝕的參56;;所述激光刻蝕數據的關系模型包括激光聚焦深度與所述平均刻蝕速率之間的關所述激光聚焦深度與所述平均刻蝕速率之間的關系模;其中，f(h)表示為所述平均刻蝕速率與激光聚焦深度的函數關系式，h表示為激;;7;;在設備執行上述中任意一項所述的高精度激光的基本參數和初步加工參數，所述基本參數包括加工材料的基本特性數據和工藝目標數8圖2是本發明實施例提供的一種激光聚焦深度與平均刻蝕速率的關系模型示意9所述電感耦合等離子體發射光譜儀用于分析加工材料的原子或離子發射的光譜;;所述激光刻蝕數據的關系模型包括激光聚焦深度與所述平均刻蝕速率之間的關所述激光聚焦深度與所述平均刻蝕速率之間的關系模;;其中，f(h)表示為所述平均刻蝕速率與激光聚焦深度的函數關系式，h表示為激表示為：n=f(h)=1010xh-3.7094；;;所述激光功率與刻蝕速率的回歸系數b和截距cz：;;;能夠較好地描述刻蝕速率與邀光功率和聚焦深度之間的;;[0036]為了便于對本發明的理解，下面將對本發明的一些優選實施例做更進一步的描于一臺掃描電子顯微鏡下，在相同測量點測量兩個相鄰功率刻蝕樣品中距離邊沿的深度;[0042]進一步地，功率P1和功率P2刻蝕后的結構深度差為功率P1和功率P2結構深度之差，其中P1結構深度為x1，P2結構深度為x2，那么功率P1和功率P2刻蝕深度之差為：;測量兩條激光束刻蝕后，同一點與結構距離邊沿的深度差（即兩次功率下的刻蝕深度差值就可計算出該點t時間段內的刻蝕深度，繪制該處光刻結構不同方向及不同時間的刻所述刻蝕速率與激光功率以及聚焦深度的關系模型具;個模塊/單元可以是能夠完成特定功能的一系列計算機程序指令段，該指令段用于描述所他通用處理器、數字信號處理器(DigitalSignalProcessor，DSP)、專用集成電路(ApplicationSpecificIntegratedCircuit，ASIC)、現成可編程門陣列(Field_ProgrammableGateArray，FPGA)或者其他可編程邏輯器件、分立門或者晶體管邏輯器[0058]所述存儲器可用于存儲所述計算機程序和/或模塊，所述處理器通過運行或執行[0059]其中