高壓下制備的透明低阻n-ZnO

高壓下制備的透明低阻n-ZnO陶瓷

講述人：洪琦棱ＰＰＴ制作：費佳蕾

RQ文獻搜集：張云柯、張旭良、張英杰、澤仁翁姆、周涵摘要實驗結果與討論結論摘要

常壓下的ZnO是一致熔融化合物，其熔點為1975℃，它不僅具有強烈的極性折晶特效，而且在1300℃以上會發生嚴重的升華；纖鋅礦結構的ZnO具有光學各向異性，對光產生雙折射而引發散射等。因此，透明ZnO陶瓷的制備遇到了極大困難，也限制了ZnO陶瓷在紫外發光等電子器件領域的應用。近年來對高壓的研究發現，高壓可以有效的抑制材料的升華、控制材料中晶粒生產尺寸以及提高材料致密度，而且還可以改變材料的許多物理和化學性質。所以，實驗中設計了以高質量納米ZnO粉體為原料，采用高壓抑制ZnO升華以及提高陶瓷密度。另外，由于高壓下ZnO陶瓷中的晶粒生長是一個準熱力學平衡過程，所以期望通過調節壓力和溫度的關系，控制ZnO陶瓷中的晶粒生長尺寸來降低因ZnO結構所產生的雙折射。處理工藝

將ZnO粉體在5MPa的條件下，預壓呈ф15.5×1.1mm（直徑）的合成樣品實驗是在中國式的SPD6×1200型六面高壓設備上進行的。ZnO粉體的純度為99.9%，平均粒徑約為100nm，呈球狀然后放入Mo套中防止污染。將Mo套放入作為加熱容器的石墨坩堝中再放入葉蠟石合成腔中。燒結的壓力和溫度分布為1-5GPa，600-1300℃，時間為15min。為消除ZnO陶瓷中的殘余應力，將燒結的樣品進行原位緩慢退火，時間為5t處理工藝樣品表征X射線衍射儀（XRD）分析晶體結構掃描電子顯微鏡（SEM）表征其表面形態采用X射線能譜儀（EDS）分析樣品的組成采用光致發光（PL）測量發光性能X射線衍射儀（XRD）分析晶體結構ZnO的XRD（a）ZnO粉末；（b）5Gpa,800℃燒結的ZnO陶瓷5GPa，800℃燒結的ZnO透明陶瓷為纖鋅礦結構，與初始的納米ZnO粉體相比，衍射峰位發生了較大的紅移通過計算可知，ZnO透明陶瓷中晶胞體積減小了3.7%。ZnO的相平衡壓力與溫度的關系為P（GPa）=8.0-0.0023×T（K），且壓力的增加將伴隨晶胞體積的減小樣品表征X射線衍射儀（XRD）分析晶體結構掃描電子顯微鏡（SEM）表征其表面形態采用X射線能譜儀（EDS）分析樣品的組成采用光致發光（PL）測量發光性能5GPa，800℃燒結的ZnO陶瓷（a）透射率曲線及樣本光學曲線；（b）ZnO陶瓷表面SEM照片掃描電子顯微鏡（SEM）表征其表面形態（a）為5GPa，800℃燒結的ZnO陶瓷的投射曲線，透過率約為49%，插圖為ф15.5×1.1mmZnO陶瓷照片，呈淺黃色（b）為ZnO陶瓷表面SEM照片。從圖中可以看出，ZnO的平均粒徑為150nm，與初始的粉體粒徑相比增加了50nm左右，這比常壓燒結的ZnO粒徑小了很多，其原因可能源于壓力的作用樣品表征X射線衍射儀（XRD）分析晶體結構掃描電子顯微鏡（SEM）表征其表面形態采用X射線能譜儀（EDS）分析樣品的組成采用光致發光（PL）測量發光性能采用X射線能譜儀（EDS）分析樣品的組成ZnO的EDS譜（a）ZnO粉末（b）5GPa，800℃制備的ZnO透明陶瓷圖4（a）所示的ZnO粉體中的Zn和O原子比約為1:1，而圖4（b）所示透明ZnO陶瓷中Zn和O原子比約為0.53:0.47，說明陶瓷處于富Zn狀態。這種富Zn狀態的形成歸因于溫度對于氧空位的影響樣品表征X射線衍射儀（XRD）分析晶體結構掃描電子顯微鏡（SEM）表征其表面形態采用X射線能譜儀（EDS）分析樣品的組成采用光致發光（PL）測量發光性能采用光致發光（PL）測量發光性能

室溫下觀察到了透明ZnO陶瓷在3.31eV處紫外發射和2.85、2.27eV處可見發射3個譜峰；而低溫（80K）下在3.36、3.31、3.24、2.85和2.27eV處觀察到了5個譜峰（Eg=1240/λ）。其中，3.36eV的發射峰歸因于自由激子發射，3.31、3.24eV的峰分別歸因于FX在72eV周期間隔的FX-LO和FX-2LO，說明ZnO陶瓷為n型導電結構

結論

透明陶瓷的形成歸因于壓力和溫度對晶粒尺寸、再結晶速度及密度的調控在5GPa，800℃時獲得了最佳性能的低阻ZnO透明陶瓷，低阻Z