GB/T 36358-2018半導體光電子器件功率發光二極管空白詳細規范

ICS31260

L53.

中華人民共和國國家標準

GB/T36358—2018

半導體光電子器件

功率發光二極管空白詳細規范

Semiconductoroptoelectronicdevices—

Blankdetailspecificationforpowerlight-emittingdiodes

2018-06-07發布2019-01-01實施

國家市場監督管理總局發布

中國國家標準化管理委員會

中華人民共和國

國家標準

半導體光電子器件

功率發光二極管空白詳細規范

GB/T36358—2018

*

中國標準出版社出版發行

北京市朝陽區和平里西街甲號

2(100029)

北京市西城區三里河北街號

16(100045)

網址

:

服務熱線

:400-168-0010

年月第一版

20186

*

書號

:155066·1-60057

版權專有侵權必究

GB/T36358—2018

前言

本標準按照給出的規則起草

GB/T1.1—2009。

請注意本文件的某些內容可能涉及專利本文件的發布機構不承擔識別這些專利的責任

。。

本標準由中華人民共和國工業和信息化部電子歸口

()。

本標準起草單位中國電子技術標準化研究院中國電子科技集團公司第十三研究所國家半導體

:、、

器件質量監督檢驗中心廈門市三安光電科技有限公司

、。

本標準主要起草人趙英劉秀娟黃杰彭浩趙敏邵小娟

:、、、、、。

Ⅰ

GB/T36358—2018

半導體光電子器件

功率發光二極管空白詳細規范

引言

本空白詳細規范是半導體光電子器件的一系列空白詳細規范之一

。

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vices—Mechanicalandclimatictestsmethods—Part21:Solderability)

要求資料

下列所要求的各項內容應列入規定的相應空欄中

,。

詳細規范的識別

:

授權發布詳細規范的國家標準化機構名稱

[1]。

詳細規范號

[2]IECQ。

總規范和分規范的版本號和標準號

[3]。

詳細規范的國家編號發布日期及國家標準體系要求的任何更詳細的資料

[4]、。

器件的識別

:

主要功能和型號

[5]。

典型結構材料主要工藝和封裝的資料如果一種器件有幾種派生的產