標準解讀
《GB/T 19403.1-2003 半導體器件 集成電路 第11部分:第1篇:半導體集成電路 內部目檢(不包括混合電路)》這一標準主要規定了半導體集成電路在不進行電氣測試的條件下,通過目視檢查方法對其內部結構和制造質量進行評估的要求和方法。然而,您未提供另一個具體的標準或版本以進行直接對比,因此無法直接指出相對于某個特定前版或后續版的具體變更內容。
但一般來說,當標準更新時,可能涉及以下幾個方面的變化:
- 術語和定義:新版本可能會引入新的術語或修訂原有定義,以適應技術發展和行業共識的變化。
- 檢測方法和技術要求:隨著技術進步,目檢技術、工具或評判標準可能有所改進,新標準會反映這些最新要求,以提高檢測的準確性和效率。
- 缺陷分類與評判準則:可能會對集成電路內部缺陷的分類進行調整,或細化評判標準,以更好地指導實際操作。
- 質量控制和抽樣方案:為了更有效地控制產品質量,新標準可能會更新抽樣計劃或增加質量控制的相關規定。
- 適用范圍調整:有時新標準會根據技術演進或市場需要調整其適用的產品或工藝范圍。
- 參考標準更新:引用的其他標準或規范可能會被更新至最新版本,確保整個標準體系的一致性。
由于沒有具體的對比標準,以上僅是一般性的變更方向概述。如果您有特定的比較版本或想了解該標準與某一特定前版之間的詳細差異,提供具體信息后將能給出更加精確的分析。
如需獲取更多詳盡信息,請直接參考下方經官方授權發布的權威標準文檔。
....
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- 現行
- 正在執行有效
- 2003-11-24 頒布
- 2004-08-01 實施
文檔簡介
犐犆犛31.200
犔56
中華人民共和國國家標準
犌犅/犜19403.1—2003/犐犈犆60748111:1992
犙犆790101
半導體器件集成電路第11部分:
第1篇:半導體集成電路內部目檢
(不包括混合電路)
犛犲犿犻犮狅狀犱狌犮狋狅狉犱犲狏犻犮犲狊—犐狀狋犲犵狉犪狋犲犱犆犻狉犮狌犻狋狊—
犘犪狉狋11:犛犲犮狋犻狅狀1:犐狀狋犲狉狀犪犾狏犻狊狌犪犾犲狓犪犿犻狀犪狋犻狅狀
犳狅狉狊犲犿犻犮狅狀犱狌犮狋狅狉犻狀狋犲犵狉犪狋犲犱犮犻狉犮狌犻狋狊
(犲狓犮犾狌犱犻狀犵犺狔犫狉犻犱犮犻狉犮狌犻狋狊)
(IEC60748111:1992,IDT)
20031124發布20040801實施
中華人民共和國發布
國家質量監督檢驗檢疫總局
書
犌犅/犜19403.1—2003/犐犈犆60748111:1992
目次
前言!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!Ⅲ
1范圍和目的!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!1
2設備!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!1
3程序!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!1
3.0介紹!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!1
3.0.1總則!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!1
3.0.2檢驗順序!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!1
3.0.3空氣潔凈度等級!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!1
3.0.4檢驗控制!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!2
3.0.5放大倍率!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!2
3.0.6定義(僅為檢驗之目的)!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!2
3.0.7說明!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!3
3.1試驗條件!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!3
3.1.1金屬化層缺陷,高倍!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!4
3.1.2擴散和鈍化層缺陷,高倍!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!5
3.1.3劃片和芯片缺陷,高倍!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!5
3.1.4鍵合檢驗,低倍!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!5
3.1.5內引線,低倍!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!7
3.1.6封裝條件,低倍!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!7
3.1.7玻璃鈍化層缺陷,高倍!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!7
3.1.8介質隔離,高倍!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!8
3.1.9膜電阻,高倍!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!8
3.1.10激光修正的膜電阻器,高倍!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!8
3.2規定的條件!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!9
4圖!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!9
Ⅰ
書
犌犅/犜19403.1—2003/犐犈犆60748111:1992
前言
本部分為GB/T19403的一部分,等同采用國際電工委員會標準IEC60748111:1992《半導體器
件集成電路第11部分:第1節:半導體集成電路內部目檢(不包括混合電路)》(英文版)。
由于IEC60748111標準原文中無圖1、圖2,為保證與國際標準的一致性,故本部分的圖例從圖3
開始。
本部分由中華人民共和國信息產業部提出。
本部分由全國集成電路標準化分技術委員會歸口。
本部分起草單位:信息產業部第四研究所。
本部分主要起草人:魏華、王靜
Ⅲ
犌犅/犜19403.1—2003/犐犈犆60748111:1992
半導體器件集成電路第11部分:
第1篇:半導體集成電路內部目檢
(不包括混合電路)
1范圍和目的
進行內部目檢的目的是檢驗集成電路的內部材料、結構和工藝,驗證與適用的規范要求的一致性。
通常應在封帽或密封之前對器件進行100%內部目檢,以發現可能導致器件在正常使用時失效的
內部缺陷并剔除相應器件。本試驗也可按抽樣方式在封帽之前使用,以確定承制方對半導體器件質量
控制和操作程序的有效性。
2設備
試驗設備包括:具有規定的放大倍率的光學設備;必須的目檢判據(量規、圖紙、照片等)以保證檢驗
效果和使操作人員對被檢器件能否接收做出客觀判斷;為提高工作效率在檢查期間固定器件且不引起
器件損傷的合適夾具。
3程序
3.0介紹
3.0.1總則
在規定的放大倍率范圍內按適當的觀察順序檢驗器件,以確定器件是否與本部分和適用的規范的
要求相一致。本試驗方法的檢驗和判據適用于所有器件和工序。本試驗方法給出了預定用于具體器
件、工藝或技術的判據。
對于如金屬覆蓋層、氧化物和擴散缺陷等目檢較為困難的復雜器件的檢驗,可選擇替代篩選程序代
替目檢判據。這些可選擇替代的篩選方法和程序在詳細規范中規定。
要求適用于線寬在2μm以上的工藝技術。
3.0.2檢驗順序
本部分列出的檢驗順序不是要求的檢驗順序,制
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