GB/T 18032-2000砷化鎵單晶AB微缺陷檢驗方法

TCS.77.040.01H24中華人民共和國國家標準GB/T18032—2000砷化家單晶AB微缺陷檢驗方法TheinspectingmethodofABmicroscopicdefectingalliumarsenidesinglecrystal2000-04-03發布2000-09-01實施國家質量技術監督局發布

中華人民共和國國家標準神化鎮單晶AB微缺陷檢驗方法GB/T18032-2000中國標準出版社出版發行北京西城區復興門外三里河北街16號郵政編碼：100045電話：63787337.637874472000年9月第一版2006年1月電子版制作書號：155066·1-16984版權專有侵權必究舉報電話：010)68533533

GB/T18032-2000砷化篆晶片是光電、微波及高速集成電路等器件的重要襯底材料。近年來，普遍認為襯底材料中的AB微缺陷對器件的性能有明顯的影響,例如對砷化家FET器件性能進行測試之后,用AB腐蝕液顯示FET芯片上的AB微缺陷，發現芯片上的AB微缺陷密度高時,FET器件的低頻跨導很低：當AB微缺陷密度低時,FET的低頻跨導較高。由此可見AB液顯示的AB微缺陷密度對了解襯底質量和提高器件性能是一個不可忽略的參數。目前國內外都在對砷化鏢單品AB微缺陷進行研究。但是在檢驗方法上還沒有形成一個統一的規范。在此時制定《砷化鏢單品AB微缺陷檢驗方法》的國家標準是適時的、非常必要的。本標準可為砷化鏢材料和器件的生產、科研單位對AB微缺陷的檢驗提供依據，本標準由國家有色金屬工業局提出。本標準由中國有色金屬工業標準計量質量研究所歸口本標準由北京有色金屬研究總院起草本標準主要起草人：王海濤、錢嘉裕、王彤涵、宋斌、樊成才

中華人民共和國國家標準砷化家單晶AB微缺陷檢驗方法GB/T18032-2000TheinspectingmethodofABmicroscopiedefectingalliumarsenidesinglecrystal適用范圍本標準規定了砷化家單品AB微缺陷的檢驗方法。本標準適用于砷化鏢單品AB微缺陷密度（AB-EPD)的檢驗。檢驗面為(100)面。測量范圍小于5×10°cm-。2定義2.1AB腐蝕液ABetchantAB腐蝕液用于顯示砷化鏢單品AB微缺陷及位錯線的一種化學腐蝕劑2.2AB微缺陷ABmicrodefect神化鏢單品片經AB腐蝕液腐蝕后,在(100)面上顯示出的橢圓狀腐蝕坑所表征的微缺陷2.3AB微缺陷密度(AB-EPD）ABmicrodelectdensity用AB腐蝕液顯示出砷化鏢單品片(100)面上在單位表面積內AB微缺陷腐蝕坑的個數(個/cm2)方法原理采用擇優化學腐蝕技術顯示缺陷。由于單品中缺陷附近的原子排序被破壞，品格畸變，應變比較大.在某些化學腐蝕劑中品體缺陷處與非缺陷處腐蝕速度不同,利用這種異常的物理化學效應.在表面處產生選擇性的浸蝕，從而形成特定的腐蝕圖形化學試劑A1硫酸（H.SO,）,分析純4.2過氧化氫(H.O.)，分析純4.3氫氟酸(HF)分析純。4.4三氧化鉻(CrO,),分析純4.5硝酸銀(AgNO,),分析純4.6去離子水,電阻率大于5MQ·cm.5試樣制備5.1定向切割從砷化鏢單品鏡的待測部分經定向切取