標準解讀

《GB/T 1551-1995 硅、鍺單晶電阻率測定 直流兩探針法》這一標準相比于之前的《GB 1551-1979》和《GB 5253-1985》，主要在以下幾個方面進行了調整和完善：

  1. 適用范圍明確化：新標準更精確地界定了其適用對象，即硅、鍺單晶材料的電阻率測定，并明確了采用直流兩探針法進行測量的具體要求和方法。這相比之前的標準可能有更加清晰的界定范圍。

  2. 技術內容更新：隨著科學技術的進步，測量技術和設備有了顯著發展，新標準融入了最新的測量理論和技術手段，提高了測量精度和可靠性。例如，對探針材料、接觸電阻補償、溫度控制等關鍵因素提出了更具體的要求。

  3. 測試程序標準化：詳細規定了從樣品準備、測量環境控制到數據處理的全過程標準化操作步驟，增強了實驗可重復性和結果的一致性。這有助于減少因操作差異導致的誤差。

  4. 計量單位統一：根據國際單位制（SI）的要求，新標準對所有涉及的物理量和參數均采用了國際標準單位，確保了與國際標準的接軌和數據的國際可比性。

  5. 質量控制加強：增加了對測量不確定度分析和校準驗證的要求，強調了實驗室質量控制的重要性，確保測量結果的準確性和可信度。

  6. 術語定義規范：對相關專業術語進行了更為嚴謹和規范的定義，有助于消除理解上的歧義，提升標準的可讀性和實用性。

  7. 參考文獻更新：引用了最新的科研成果和國際標準作為支撐，反映了該領域最新的理論和實踐進展。


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  • 被代替
  • 已被新標準代替，建議下載現行標準GB/T 1551-2009
  • 1995-04-18 頒布
  • 1995-12-01 實施
?正版授權
GB/T 1551-1995硅、鍺單晶電阻率測定直流兩探針法_第1頁
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GB/T 1551-1995硅、鍺單晶電阻率測定直流兩探針法-免費下載試讀頁

文檔簡介

UDC.669.7821.783：621.317-33H21中華人民共和國國家標準GB/T1551-1995硅、錯單晶電阻率測定直流兩探針法Testmethodforresistivityofsiliconandgermaniumbarsusingatwo-pointprobe1995-04-18發布1995-12-01實施國家技術監督局發布

中華人民共和國國家標準硅、錯單晶電阻率測定GB/T1551-1995兩：深直針流法TestmethodforresistivityofsiliconGB5253-85andgermaniumbarsusingatwo-pointprobe主題內容與適用范圍本標準規定了用直流兩探針測量硅和錯單品鍵電阻率的方法、本標準適用于測量截面積均勾的圓形、方形或矩形單品鍵的電阻率。測量范圍：硅單晶為10～～10*Q·cm·錯單晶為5×10-～10°Q·cm。試樣長度與截面最大尺寸之比應不小于3：1。2引用標準GB1550硅單晶導電類型測定方法GB/T1552硅、錯單晶電阻率測定直排四探針法GB5256錯單晶導電類型測量方法方法提要讓直流電流I通過試樣兩端，并使A、B兩根探針垂直壓在試樣側面，測量A、B兩根探針間的電位差V，見圖1。若試樣的橫截面積為A，探針間距為S,則試樣的電阻率·可用式(1)計算：式中：0--電阻率，0·cmniV兩探針間的電位差,V；1--通過試樣的直流電流,A；4-試樣的截面積,cm2；S--兩探針間的探針間距,e

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