CN118675574B 數據處理裝置、電子裝置和數據處理裝置的制備方法 （清華大學）

置的制備方法。該數據處理裝置包括邏輯處理輯處理層被配置為進行邏輯運算和/或控制處儲單元每個包括晶體管以及與晶體管電連接的2所述邏輯處理層被配置為進行邏輯運算和/或控所述存內計算層被配置為對接收的數據進行神經網絡運算，所述存儲所述存儲陣列層包括存儲陣列，所述存儲陣列包括排列為多行多列的多個存儲單元，所述多個存儲單元每個包括晶體管以及與所述晶體管電連接的磁隨機存其中，所述邏輯處理層設置在硅襯底上，所述存內計5.根據權利要求1_3任一所述的數據處理裝置，其中，所述晶體管包括碳納米管晶體采用半導體制備工藝制備存內計算層和制備與所述存內計算層至少部分層疊設置的其中，所述存內計算層被配置為對接收的數據進行神經網絡所述存儲陣列層包括存儲陣列，所述存儲陣列包括排列為多行多列的多個存儲單元，所述多個存儲單元每個包括晶體管以及與所述晶體管電連接的磁隨機存制備掩模以定義出所述磁隨機存儲器件的圖形區域34述邏輯處理層被配置為進行邏輯運算和/或控制處理；所述存內計算層被配置為對接收的存儲單元每個包括晶體管以及與所述晶體管電連接的磁隨機轉移力矩磁隨機存儲器件或自旋軌道矩磁隨機備工藝制備存內計算層和制備與所述存內計算層至少部分層疊設置的存儲陣列層，其中，用于所述存內計算層的數據；所述存儲陣列層被配置為存儲用于所述存內計算層的數據，5多個存儲單元每個包括晶體管以及與所述晶體管[0023]圖7示出了本公開至少一個實施例提供的一種磁隨機存儲器件的制備方法示意[0024]圖8示出了本公開至少一個實施例提供的一種磁阻隨機存取的制備方法的流程示6的詞語意指出現該詞前面的元件或者物件涵蓋出現在該詞后面列舉的元件或者物件及其可能相應地改變。TransistorOneMagneticTunnelJunction)結構的MRAM磁隨機(MagneticRandom[0032]圖2示出了一種SOT_MRAM存儲單元的結構示意圖。如圖2所示，在基于SOT_MRAM(Spin_OrbitTorqueMagneticRandomAccessMemory，自旋軌道矩磁隨機存儲器件)的線和MRAM存儲器件的釘扎層(PL)之間的晶體和MRAM存儲器件的重金屬層(HM)之間的晶體7上的電壓變化來確定自由層的磁化方向。如果自由層的磁化方向與釘扎層的磁化方向相內計算陣列)包括呈行列布置的憶阻器單元，憶阻器單元包括憶阻器(例如阻變存儲器件乘的運算過程。可以將待權重矩陣數據映射為各個憶阻器的阻值并寫入存算一體陣列中，輸入向量被映射為存算一體陣列各行的輸入信號(電壓信號)，各列的輸出信號(電流信8[0045]本公開至少一個實施例提供了一種數據處理裝置以及提供一種該數據處理裝置存內計算層和存儲陣列層至少部分層疊；邏輯處理層被配置為進行邏輯運算和/或控制處被配置為進行邏輯運算和/或控制處理，存內計算層被配置為對接收的數據進行神經網絡9[0054]例如，憶阻器至少之一的材料結構可以包括：TiN/HfAlOx/TaOx/TiN或TiN/HfO2/TaOx/TiN或TiN/HfO2/TiN或TiN/HfZrOx/TaOx/TiN或TiN/HfAlZrOx/TaOx/TiN或TiN/SiO2/本公開的實施例中，上述的X不一定是整數，金屬氧化物可以具有不同的氧含量或含氧比個存儲單元，多個存儲單元每個可以包括晶體管以及與晶體管電連接的磁隨機存儲器件管或低溫多晶硅晶體管(LTPS，Low_TemperaturePolycrystallineSilicon)中的至少一磁隨機存儲器件和自旋軌道矩磁隨機存儲器件的相關描述例如可以參照前述實施例中對[0064]在本公開的一些實施例中，磁隨機存儲器件可以包括依次層疊設置的第一電極[0066]例如，自由層可以包括依次層疊的反鐵磁層和鐵磁層(即反鐵磁/鐵磁交換耦合[0073]由于交換偏置磁場在自由層內部產生，打破了自旋軌道扭矩(SOT)磁化翻轉的對[0077]例如，勢壘層的材料可以為絕緣層，例如包括MgO，勢壘層的膜層厚度可以為1_[0085]在本公開的一些實施例中，磁隨機存儲器件包括磁性隧道結(MTJ，Magnetic可以被配置為對接收的數據進行神經網絡運算，存儲陣列層103可以被配置為存儲用于存多個存儲單元，多個存儲單元每個可以包括晶體管以及與晶體管電連接的磁隨機存儲器[0100]本公開的實施例通過邏輯處理層101與存內計算層102、存儲陣列層103的層疊設[0107]例如，制備邏輯處理層可以采用CMOS邏輯電路制備工藝(或硅基CMOS工藝)實現Etching)、原子層刻蝕(ALE,AtomicLayerEtching)、反應離子刻蝕(RIE,ReactiveIon垂直刻蝕方式，即離子束流與磁性隧道結表面呈90度直角(或接近90度)時，可能會導致制性能會產生負面影響。因此，可以采用變角度刻蝕方法，通過垂直角度分量刻蝕磁性隧道結，之后通過其他角度分量刻蝕磁性隧道結側壁(即側壁角度分量刻蝕)，以減小甚至消除[0120]圖7示出了本公開至少一個實施例提供的一種磁隨機存儲器件的制備方法示意驟可能仍會產生一定量的毛刺。[0126]這里，在制備存內計算層時，需要進行拋光操作(例如化學機械拋光(CMP,[0143]圖8示出了本公開至少一個實施例提供的一種磁阻隨機存取存儲單元的制備方法2[0151]勢壘層的材料可以為絕緣材料，例如可以包括MgO。勢壘層的膜層厚度可以為1_[0167]以下以碳納米管晶體管的制備方法為例對制備后道晶體管的方法進行示例性描[0177]圖9示出了本公開至少一個實施例提供的一種電子裝置的[0180](1)本公開的附圖只涉及到本公開實施例涉及到的結構，其他結構可參考通常設[0181](2)在不沖突的情況下，本公開的實施