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發區長城園路2號武漢澳新科技1號廠JP2003046185A,2003.02.14基于對接生長工藝的激光器制作方法以及向異性腐蝕液腐蝕InGaAsP層，再用稀釋氫氟酸長方法制得。本發明采用對接生長工藝，在InGaAsP層對接生長AlGaInAs層時，AlGaInAs層2S4，采用硫酸系各向異性腐蝕液腐蝕所述InGaAsP層，再用稀釋氫氟酸去掉側壁氧化S5，接著采用對接工藝對接生長AlGaInAs層，所述A7.如權利要求1所述的一種基于對接生長工藝的激光器制作方法，其特征在于：所述34同時采用AlGaInAs/InP材料體系可以得到耐高溫的產品，且通過改進傳統對接生長工藝，[0022]圖1是本發明實施例提供的一種基于對接生長工藝的激光器制作方法的光柵掩埋[0023]圖2是本發明實施例提供的一種基于對接生長工藝的激光器制作方法的干法刻蝕[0024]圖3是本發明實施例提供的一種基于對接生長工藝的激光器制作方法的濕法腐蝕[0027]圖6是本發明實施例提供的一種基于對接生長工藝的激光器制作方法的阻擋層為[0028]圖7是本發明實施例提供的一種基于對接生長工藝的激光器制作方法的阻擋層為[0029]圖8是本發明實施例提供的一種基于對接生長工藝的激光器制作方法的阻擋層為[0030]圖9是本發明實施例提供的一種基于對接生長工藝的激光器制作方法的阻擋層為[0031]圖10是本發明實施例提供的一種基于對接生長工藝的激光器制作方法的阻擋層[0032]圖11是本發明實施例提供的一種基于對接生長工藝的激光器制作方法的阻擋層[0033]圖12是本發明實施例提供的一種基于對接生長工藝的激光器制作方法的制備好[0034]圖13是本發明實施例提供的一種基于對接生長工藝的激光器制作方法的制備好5括光柵掩埋層4，InGaAsP層5，第一InP層6，掩膜層7，對接生長第二InP層12，對接生長意圖，包括光柵掩埋層4，InGaAsP層5，第一InP層6，對接生長第二InP層12，對接生長6所述AlGaInAs層13的生長高度不超過所述阻擋層20，所述InP覆蓋層14的生長高度與所述78

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