CN116063968B 封裝芯片用底部填充膠及其制備方法 （深圳市漢思新材料科技有限公司）_第1頁
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道鳳凰社區嶺下路148號創者中心JP2009132828A,2009本發明公開了一種封裝芯片用底部填充膠及其制備方法，封裝芯片用底部填充膠包括10wt%~25wt%的有機硅雜化環氧樹脂、10wt%~25wt%的固化劑、50wt%~70wt%的無機填料、0.1wt%~2wt%的固化促進劑以及0.1wt%~2wt%的部填充膠中無機填料的含量在50wt%以上，可以21.一種封裝芯片用底部填充膠，其特征在于，包括10wt%~25wt%的有機硅雜化環氧樹脂、10wt%~25wt%的固化劑、50wt%~70wt%的無機填料、0.1wt%~2wt%的固化促進劑以及所述無機填料為球形二氧化硅和球形空心玻璃微珠的混合物，所述5.一種權利要求1~4中任意一項所述的封裝芯片用底部填充膠的制備方法，其特征在2wt%的固化促進劑以及0.1wt%~2w3提高通訊用高度集成的半導體器件的可靠性顯[0007]一種封裝芯片用底部填充膠，包括10wt25wt％的有機硅雜化環氧樹脂、10wt25wt％的固化劑、50wt70wt％的無機填料、0.1wt2wt％的固化促進劑以及0.1wt2wt％的偶聯劑。[0008]在一個實施例中，所述有機硅雜化環氧樹脂選自X_40_2678、X_40_2669、X_40[0009]在一個實施例中，所述有機硅雜化環氧樹脂為X_40_2669、KR4704氧基硅烷和3巰丙基三甲氧基硅烷中的至少一10wt25wt％的有機硅雜化環氧樹脂、10wt25wt％的固化劑、50wt70wt％的無機填料、0.1wt2wt％的固化促進劑以及0.1wt2wt％的固化促進劑以及0.1wt2wt％的偶聯劑。5X402669、日本信越X402728、日本信越KR甲氧基硅烷和3巰丙基三甲氧基硅烷中的至少一γ苯胺基丙基三甲氧基硅烷中的至少一種。6[0043]封裝芯片用底部填充膠包括10wt25wt％的有機硅雜化環氧樹脂、10wt%~~2wt％的偶聯劑。硅(平均粒徑為5μm)500g、硅烷偶聯劑KBM_403(日本信越)9.0g、固化促進劑乙酰丙酮鋁[0049]S1、將有機硅雜化環氧樹脂KR_470(日本信越)8[0052]S1、將有機硅雜化環氧樹脂KR_470(日本信越)5[0055]S1、將有機硅雜化環氧樹脂KR_470(日本信越)30粒徑為5μm)200g、球形二氧化硅(平均粒徑為5μm)500g、硅烷偶聯劑KBM_573(日本信越)15g、固化促進劑乙酰丙酮鋁0.5g加入到反應釜中，以攪拌器轉速為50rpm，分散器200~7甲酸二酐10g、球形空心玻璃微珠(平均粒徑為5μm)450、球形二氧化硅(平均粒徑為2μm)[0067]通過下面的試驗對上述實施例1～5制得的封裝芯片用底部填充膠以及對比例1~8[0079]對比表1中的測試結果，首先可以發現對比例1～2制得的參比環氧樹脂底部填充9物的玻璃化轉變溫度115℃和124℃

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