中文版意大利薄膜設備有限公司產品介紹

ThinFilmEquipmentsrl

ProductsIntroductionBySunnyYANG

TFEsrl介紹TLCSRL–TFE公司1998–2001最初從事收購，翻新和重新出售二手真空沉積工具-Eclipse和MRCbatch濺射系統今天該公司的產品組合，延伸到各種高技術薄工藝設備產品范圍包括batch濺射系統，客戶應用程序特定的真空和超高真空系統，和零部件的種潔凈室設備公司有專門的銷售人員，客戶服務人員，和一支現場服務工程師和工藝工程師。TFE公司是總部設在米蘭，意大利TFEsrl支持TFE是通過網絡化的多個組織提供本地服務支持。辦公地點有德國，法國，英國，西班牙，意大利......TFE天津代表處TFE天津代表處2009TFE翻新的MRCEclipsesputter工具在中國的業務代表一群小型的總部歐洲的全新的和翻新的設備供應商進行銷售以及技術支持我們專注于為前端客戶提供半導體和太陽能電池薄膜加工設備TFE天津代表處的優勢多年的設備管理，薄膜的前端工藝設備專家尤其是sputter（PVD）設備和應用為客戶提供優質服務支獲得聲譽。經驗豐富的銷售和支持團隊TFE天津代表處TFE天津代表處2009TFE翻新的MRCEclipsesputter工具在中國的業務代表一群小型的總部歐洲的全新的和翻新的設備供應商進行銷售以及技術支持我們專注于為前端客戶提供半導體和太陽能電池薄膜加工設備TFE天津代表處的優勢多年的設備管理，薄膜的前端工藝設備專家尤其是sputter（PVD）設備和應用為客戶提供優質服務支獲得聲譽。經驗豐富的銷售和支持團隊ThinFilmEquipmentsrl

TFE濺射設備分為:

翻新改造類:-MRC600:

：垂直配置-MRC900::水平配置

-MRCEclipse:單片濺射設備:垂直配置

全新的設備::BHF3F/S;BH4F/SMRCBatch產品客戶：Semileds–1xMRC943-Refurbished–2011/5SolarSCI–1xMRC643and1xMRC943–refurbished-2012/3Institute55–1xMRC603–Saw–Refurbished-2011/8Solorein–1xMRC943–Refurbished-2011/11Corenergy:1xMRC603-Refurbished–2014/06Institute55:1xTFE644–YZGuoyu-2013/12Institute55:1xBH4F-Brandnew–WBG-2014/08MRCEclipse產品客戶：Dongguang–2xEclipseStar–Refurbished–2011/3ThinFilmEquipmentsrl成功案例：ThinFilmEquipmentsrl垂直配置的設備配置三個陰極+加熱和刻蝕功能承載腔配備機械泵負載腔配備冷泵MRC603MRC600:ThinFilmEquipmentsrlThinFilmEquipmentsrlMRC643垂直配置的設備三個陰極+加熱和刻蝕功能

負載腔和濺射腔均配置冷泵MRC903:

水平配置的設備配置三個陰極+加熱和刻蝕功能負載腔配置機械泵濺射腔配置冷泵MRC943:水平配置的設備配置三個陰極+加熱和刻蝕功能負載腔和濺射腔均配置冷泵ThinFilmEquipmentsrlMRC943:ThinFilmEquipmentsrlMRC900:ThinFilmEquipmentsrl900和600系列配置比較表濺射面積配置形式負載腔泵體種類刻蝕功能靶材數量及尺寸60313”x13”垂直配置機械泵YES標配35”x15”90312”x12”水平配置機械泵YES標配35”x15”64313”x13”垂直配置機械泵+冷泵+壓縮機+加熱YES標配35”x15”94312”x12”水平配置機械泵+冷泵+空壓機+加熱YES標配35”x15”ThinFilmEquipmentsrl濺射面積與產能濺射面積基片尺寸75mm基片尺寸100mm基片尺寸150mm基片尺寸200mm60313”x13”1694190312”x12”1694164313”x13”1694164312”x12”16941MRCEclipseThinFilmEquipmentsrl三個型號:Star,Mark2,Mark4區別:Star和Mark2適用于4”,5”,6”的基片.Mark4適用于8”基片Star配備5個冷泵.Mark2配備6個冷泵.特點：垂直配置的設備；三個獨立的濺射腔；一個獨立的承載腔（1.5L）；一個獨立的刻蝕腔；邊緣限制：2.5mm（標準）1.5mm（可選）

可以連續作業的設備高產能的設備：48WPH(1umAl沉積)基片傳送連續作業程序化控制真空隔離的作業腔體可旋轉的磁性陰極特別的隔離設計與N2和O2反應的濺射能力具有GaAs和背面工藝處理ThinFilmEquipmentsrlMRCEclipse減少維護

快速夾具交換

迅速更換靶材On-BoardCTI快速再生低溫泵ICPSoftEtch*ProcessModuleProcessModuleProcessModuleLoadlockEquipeRobotOpticalPre-AlignerPreprocessCassetteCassetteNest“A”CassetteNest“B”LoadArmVerticalWaferTransportModuleHorizontalWaferHandler*OptionalprocessmoduleinlieuofICPSoftEtchEclipseSputteringSystemSchematicThinFilmEquipmentsrl全新的產品包括：TFEBH3FTFEBH4FTFEBH3STFEBH4SThinFilmEquipmentsrlCOMPANYCONFIDENTIALThinFilmEquipmentsrl濺射面積型式濺射方向靶材數量和尺寸裝片方向TFEBH3F13”X13”批式水平3個5”x17”正面TFEBH3S13”X13”批式水平3個5”x17”側面TFEBH4F13”X13”批式水平3個5”x17”正面TFEBH4S13”X13批式水平3個5”x17”側面配置比較ThinFilmEquipmentsrl全新的設備：TFEBH3F

特點?水平配置的設備?三個陰極+加熱和刻蝕功能?負載腔和濺射腔配置冷泵?托盤尺寸330x330mm?通過PLC&PC全自動的操作，并且可以

通過網絡進行遙控

?濺射金屬類沉積使用直流磁場；濺射絕

緣材料使用射頻磁場靶材類型靶材利用率RFDiode30%平面式標準厚度：6mm20-25%插入式標準厚度：12mm40-60%ThinFilmEquipmentsrl平面式靶材:-適用于RFM/DC磁性濺射-絕緣體和金屬的濺射-用于研發和生產型均可嵌入式靶材：

高效的靶材利用率

只能用于金屬材料的濺射

只能用于DCM

靶材形狀取決于材料的要求靶材利用率

ThinFilmEquipmentsrl材料嵌入式

平面式配置均一性防護罩DCM金屬靶材±5%±5%±3-5%RFM絕緣體靶材NA±7.5-10%±5%RFDIODE絕緣體靶材NA±7.5-10%±5%產品的均一性MoveblefingerThinFilmEquipmentsrl均一性防護罩示意圖D.C.MAGNETRON(7kW)RFDIODE(1.5kW)RFMAGNETRON(1.5kW)AngstromsAngstromsAngstromsAg18,800Au1,000Al2O3300Al6,000Cr300Cr/SiO600Au15,500Cu700MgO130Be4,400InSn600Si500C1,700Ni400SiO2500Cr7,200NiCr330Cu14,500Fe/Ni300Mo5,800Pt600MoSi25,500Rh450Nb3,600Ta200NiCr7,000Ti180NiV5,000TiW300InSn10,000at1kWTiN1,700reactiveOs5,000Pd13,300Pt10,000Re5,800Rh8,300Ta4,000Th3,900Ti3,700TiW5,000W3,300Zr4,150DCMAGNETRONINSETAl(8.5Kw)5,000SPUTTERINGRATES

FilmThicknessgivenforascanspeedof6’’/minutePlanartargets:2’’anodetocathodedistanceRFDIODE&MAGNETRONCANBEOPERATEDTO3kW