內存(圖文并茂)

內存內存固定卡口金手指內存顆粒內存腳定位缺口SPD內存的外觀圖：內存顆粒（奇偶檢驗）例：samsungk4h280838b-tcb0主要含義：第1位——芯片功能k，代表是內存芯片。第2位——芯片類型4，代表dram。第3位——芯片的更進一步的類型說明，s代表sdram、h代表ddr、g代表sgram。第4、5位——容量和刷新速率，容量相同的內存采用不同的刷新速率，也會使用不同的編號。64、62、63、65、66、67、6a代表64mbit的容量；28、27、2a代表128mbit的容量；56、55、57、5a代表256mbit的容量；51代表512mbit的容量。第6、7位——數據線引腳個數，08代表8位數據；16代表16位數據；32代表32位數據；64代表64位數據。第11位——連線“-”。第14、15位——芯片的速率，如60為6ns；70為7ns；7b為7.5ns(cl=3)；7c為7.5ns(cl=2)；80為8ns；10為10ns(66mhz)。一條三星ddr內存，使用16片samsungk4h280838b-tcb0顆粒封裝。顆粒編號第4、5位“28”代表該顆粒是128mbits，第6、7位“08”代表該顆粒是8位數據帶寬，這樣我們可以計算出該內存條的容量是128mbits（兆數位）×16片/8bits=256mb（兆字節）。注：“bit”為“數位”，“b”即字節“byte”，一個字節為8位則計算時除以8。關于內存容量的計算，文中所舉的例子中有兩種情況：一種是非ecc內存，每8片8位數據寬度的顆粒就可以組成一條內存；另一種ecc內存，在每64位數據之后，還增加了8位的ecc校驗碼。通過校驗碼，可以檢測出內存數據中的兩位錯誤，糾正一位錯誤。所以在實際計算容量的過程中，不計算校驗位，具有ecc功能的18片顆粒的內存條實際容量按16乘。在購買時也可以據此判定18片或者9片內存顆粒貼片的內存條是ecc內存。內存簡介

內存，通常叫內存條，是用于存放當前待處理和日常信息的半導體芯片。因為計算機系統中CPU工作時要與其他設備進行數據交換，但其他設備的速度卻大大低于CPU的速度，如各種板卡、硬盤等，所以就需要一種工作效率較快的設備在其中完成數據暫時存儲和交換工作，這便是內存的作用，內存最常扮演的角色就是為硬盤與CPU傳遞數據之用。內存芯片內存芯片也就是常說的內存顆粒，是整條內存的關鍵部件。內存顆粒是內存的性能、速度、容量的決定因素。SPDSPD是從PC100時代誕生的一個小芯片，共有8個引腳，它實際上是一個EEOROM可擦寫存儲器，它的容量有256字節，可以寫入一點信息，包括內存的標準工作狀態、速度、響應時間等，以協調計算機系統更好地工作。內存固定卡口內存插到主板上后，主板上的插槽會有兩個卡口扣住內存，這個缺口是用于內存固定。內存固定卡口金手指

一根根黃色的接觸點是內存與主板內存插槽接觸的部分，數據就是靠它們來傳輸的，通常稱為金手指。金手指內存腳定位缺口

內存的腳上有這樣一到兩個缺口，這個缺口一是用來防止內存插反的（通常處于不對稱位置）;二是用來區分不同的內存。內存腳定位缺口奇偶校驗與ECC內存

ECC的英文全稱是“ErrorCheckingandCorrecting”（錯誤檢查和糾正），從這個名稱就可以看出它的主要功能就是“發現并糾正錯誤”。

是整個計算機系統在工作時更趨于安全穩定。為了能檢測和糾正內存軟錯誤，首先出現的是內存“奇偶校驗”。內存中最小的單位是比特，也稱為“位”，位有只有兩種狀態分別以1和0來標示，每8個連續的比特叫做一個字節（byte）。不帶奇偶校驗的內存每個字節只有8位，如果其某一位存儲了錯誤的值，就會導致其存儲的相應數據發生變化，進而導致應用程序發生錯誤。而奇偶校驗就是在每一字節（8位）之外又增加了一位作為錯誤檢測位。在某字節中存儲數據之后，在其8個位上存儲的數據是固定的，因為位只能有兩種狀態1或0，假設存儲的數據用位標示為1、1、1、0、0、1、0、1，那么把每個位相加（1＋1＋1＋0＋0＋1＋0＋1＝5），結果是奇數，那么在校驗位定義為1，反之為0。當CPU讀取存儲的數據時，它會再次把前8位中存儲的數據相加，計算結果是否與校驗位相一致。從而一定程度上能檢測出內存錯誤，奇偶校驗只能檢測出錯誤而無法對其進行修正，同時雖然雙位同時發生錯誤的概率相當低，但奇偶校驗卻無法檢測出雙位錯誤。內存的分類我們通常所說的內存就是指RAM，根據結構和工作原理RAM又可分為兩類：靜態RAM（StaticRAM）和動態RAM（DynamicRAM）。我們現在使用的RAM基本都是動態RAM，其大致可分為一下幾種類型：FPM(FastPageMode)內存FPM(快頁模式)是較早的個人計算機普遍使用的內存，它每隔3個時鐘脈沖周期傳送一次數據。現在已很少見到使用這種內存的計算機系統了EDO(ExtendedDataOut)內存EDO(擴展數據輸出)內存取消了主板與內存兩個存儲周期之間的時間間隔，每隔2個時鐘脈沖周期傳輸一次數據，大大地縮短了存取時間，使存取速度提高30％，達到60ns。EDO內存主要用于72線的SIMM內存條，以及采用EDO內存芯片的PCI顯示卡。SDRAM(SynchronousDRAM)內存

SDRAM(同步動態隨機存儲器)是目前奔騰計算機系統普遍使用的內存形式。SDRAM將CPU與RAM通過一個相同的時鐘鎖在一起，使RAM和CPU能夠共享一個時鐘周期，以相同的速度同步工作，與EDO內存相比速度能提高50％。RDRAM(RambusDRAM)內存

RDRAM(存儲器總線式動態隨機存儲器)是Rambus公司開發的具有系統帶寬、芯片到芯片接口設計的新型DRAM，它能在很高的頻率范圍下通過一個簡單的總線傳輸數據，同時使用低電壓信號，在高速同步時鐘脈沖的兩邊沿傳輸數據。DDR內存DDR=DoubleDataRate雙倍速率同步動態隨機存儲器。嚴格的說DDR應該叫DDRSDRAM，人們習慣稱為DDR；DDR內存的頻率可以用工作頻率和等效頻率兩種方式表示，工作頻率是內存顆粒實際的工作頻率，但是由于DDR內存可以在脈沖的上升和下降沿都傳輸數據，因此傳輸數據的等效頻率是工作頻率的兩倍。DDR2內存

DDR2是DDRSDRAM內存的第二代產品。它在DDR內存技術的基礎上加以改進，從而其傳輸速度更快（可達667MHZ），耗電量更低，散熱性能更優良.它與上一代DDR內存技術標準最大的不同就是，雖然同是采用了在時鐘的上升/下降延同時進行數據傳輸的基本方式，也就是說:DDR2內存每個時鐘能夠以4倍外部總線的速度讀/寫數據，并且能夠以內部控制總線4倍的速度運行。

FlashMemory

FlashMemory(閃速存儲器)是一種新型半導體存儲器，主要特點是在不加電的情況下長期保持存儲的信息。就其本質而言，FlashMemory屬于EEPROM(電擦除可編程只讀存儲器)類型，既有ROM的特點，又有很高的存取速度，而且易于擦除和重寫，功耗很小。內存的工作原理1.內存尋址首先，內存從CPU獲得查找某個數據的指令，然后再找出存取資料的位置時（這個動作稱為“尋址”），它先定出橫坐標（也就是“列地址”）再定出縱坐標（也就是“行地址”），這就好像在地圖上畫個十字標記一樣，非常準確地定出這個地方。對于電腦系統而言，找出這個地方時還必須確定是否位置正確，因此電腦還必須判讀該地址的信號，橫坐標有橫坐標的信號（也就是RAS信號，RowAddressStrobe）縱坐標有縱坐標的信號（也就是CAS信號，ColumnAddressStrobe），最后再進行讀或寫的動作。因此，內存在讀寫時至少必須有五個步驟：分別是畫個十字（內有定地址兩個操作以及判讀地址兩個信號，共四個操作）以及或讀或寫的操作，才能完成內存的存取操作。2.內存傳輸為了儲存資料，或者是從內存內部讀取資料，CPU都會為這些讀取或寫入的資料編上地址（也就是我們所說的十字尋址方式），這個時候，CPU會通過地址總線（AddressBus）將地址送到內存，然后數據總線（DataBus）就會把對應的正確數據送往微處理器，傳回去給CPU使用。3.存取時間

所謂存取時間，指的是CPU讀或寫內存內資料的過程時間，也稱為總線循環（buscycle）。以讀取為例，從CPU發出指令給內存時，便會要求內存取用特定地址的特定資料，內存響應CPU后便會將CPU所需要的資料送給CPU，一直到CPU收到數據為止，便成為一個讀取的流程。因此，這整個過程簡單地說便是CPU給出讀取指令，內存回復指令，并丟出資料給CPU的過程。我們常說的6ns（納秒，秒－9）就是指上述的過程所花費的時間，而ns便是計算運算過程的時間單位。我們平時習慣用存取時間的倒數來表示速度，比如6ns的內存實際頻率為1／6ns＝166MHz（如果是DDR就標DDR333，DDR2就標DDR2667）。4.內存延遲內存的延遲時間(也就是所謂的潛伏期，從FSB到DRAM)等于下列時間的綜合：FSB同主板芯片組之間的延遲時間(±1個時鐘周期)，芯片組同DRAM之間的延遲時間(±1個時鐘周期)，RAS到CAS延遲時間：RAS(2-3個時鐘周期,用于決定正確的行地址)，CAS延遲時間(2-3時鐘周期,用于決定正確的列地址)，另外還需要1個時鐘周期來傳送數據，數據從DRAM輸出緩存通過芯片組到CPU的延遲時間(±2個時鐘周期)。一般的說明內存延遲涉及四個參數CAS（ColumnAddressStrobe行地址控制器）延遲，RAS（RowAddressStrobe列地址控制器）－to－CAS延遲，RASPrecharge（RAS預沖電壓）延遲，Act-to-Precharge（相對于時鐘下沿的數據讀取時間）延遲。其中CAS延遲比較重要，它反映了內存從接受指令到完成傳輸結果的過程中的延遲。大家平時見到的數據3—3—3—6中，第一參數就是CAS延遲（CL＝3）。當然，延遲越小速度越快。內存的工作指標內存是計算機系統的主要部件之一，其性能影響著所配置計算機系統的性能；許多指標都與內存有關，加之本身的性能指標就很多，這里只介紹幾個最常用的，也是最重要的指標。容量內存條容量大小有多種規格，早期的30線內存條有256K、1M、4M、8M多種容量，72線的EDO內存則多為4M、8M、16M，而168線的SDRAM內存大多為16M、32M、64M、128MB和512MB容量，甚至更高。

速度

內存條的速度一般用存取一次數據的時間(單位一般用ns)來作為性能指標，時間越短，速度就越快。普通內存速度只能達到70ns～80ns，EDO內存速度可達到60ns，而SDRAM內存速度則已達到7ns。1ns=1000MHz,6ns=166MHz7ns=143MHz,10ns=100MHz

內存的奇偶校驗為檢驗存取數據是否準確無誤，內存條中每8位容量能配備1位做為奇偶校驗位，并配合主板的奇偶校驗電路對存取的數據進行正確校驗。不過，而在實際使用中有無奇偶校驗位，對系統性能并沒有什么影響，所以目前大多數內存條上已不再加裝校驗芯片。

內存的電壓內存的電壓是指內存在工作時所需要的工作電壓，FPM內存和EDO內存均使用5V電壓，而SDRAM則使用3.3～3.5V之間電壓，而DDR使用2.5V電壓。

數據寬度和帶寬內存的數據位寬度是指內存在一個時鐘周期內傳輸數據的位數，以“bit”為單位；內存帶寬是指內存的數據傳輸速率，計算方法是：運行頻率×數據帶寬/8，之所以要除以8，是因為每8個bit(比特)等于一個Byte(字節)。

內存的線數

內存的線數是指內存條與主板接觸點的個數，這些觸點就是金手指，有30線、72線、168線、184線等。72線、168線和184線內存條數據寬度分別為8位、32位和64位。

CASCAS等待時間是指縱向地址脈沖的反應時間,也是在一定頻率下衡量支持不同規范內存的重要標志之一。比如現在大多數的SDRAM在外頻為100MHz時都能運行于CASLatency=2或3的模式下，這時的讀取數據的延遲時間可以是二個時鐘周期也可以是三個時鐘周期，若為二個時鐘周期就會有更高的效能。但為了使機器能工作在穩定的情況下，有時要求CAS的值不能過小。