溫對多晶酸制絨的影響

溫度對多晶酸制絨的影響內容提要前言多晶酸制絨反應的原理多晶酸制絨的影響因素溫度對多晶酸制絨影響的改善實驗總結前言提高太陽電池轉換效率的一個重要任務是減小硅片表面的光損；多晶硅與單晶硅晶向結構不同，表面制絨方式有區別；已經報道過的多晶表面制絨技術，如：機械刻蝕、等離子刻蝕、電火花刻蝕、激光束刻蝕、化學腐蝕等技術等；在大規模工業化生產中，化學腐蝕（酸性腐蝕）是比較理想的多晶表面制絨方法；多晶酸制絨反應的原理反應試劑HNO3HF附加劑氧化劑SiO2NO溶解SiO2絡合物H2SiF6降低反應速率

當氣泡在表面附著足夠長的時間并使被遮蓋和未被遮蓋區域的腐蝕產生相當的差別，就會產生凸凹不平的表面。硅片腐蝕后表面有很多腐蝕坑，大的腐蝕坑中由于反應的進行又會生成很多無規則的小腐蝕坑。多晶酸制絨反應的原理

如果入射光角度合適，入射光經大腐蝕坑和小腐蝕坑后，會經過4次或更多次反射。多次反射后，最終使一小部分光反射到大氣中，大部分光將被硅片吸收，起到了減反射的效果。

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----絨面坑洞的深度D

----絨面坑洞的寬度多晶酸制絨反應的原理

根據阿倫尼烏斯方程（

k=Aexp（-Ea/RT）），溫度升高，反應速度常數會成指數增大。

液體的粘度也與溫度成指數關系，液體的粘度和密度隨溫度的升高而減小，而粘度反映了液體的傳輸性質。因此，腐蝕液的溫度能影響動力學阻，也可影響物質-傳輸阻。溫度升高，反應物的擴散系數增大，物質-傳輸速度增大。影響反應速率的因素不同溫度下多晶酸制絨面光學顯微鏡照片26℃，60s，22.1%40℃，60s，31.2%30℃，60s，24.6%10℃，60s，20.1%8℃，90s，19.8%

由于反應時的溫度不是固定不變的，較難使反應溫度固定在某一個值。故我們在討論下面不同溫度時僅指初始反應溫度。而反應時均進行熱交換處理。

我們通過測量反應前與反應后的硅片重量，計算重量差。其與時間的比值即為反應速率。溫度對多晶制絨影響的改善實驗不同溫度下反應速率：從圖上可以看出，不同起始溫度時，硅片的反應速度相差很大，反應溫度越高反應速率越快。

溫度對多晶制絨影響的改善實驗我們設計了一種循環冷卻系統對槽式多晶制絨進行降溫。

補液槽補液槽毛細管冷卻循環泵從底部抽取反應槽溢流溫度對多晶制絨影響的改善實驗

為了證明這種熱交換循環系統的效果，我們對多晶酸制絨時采用熱交換與不采用熱交換進行了多次對比實驗：

反應時間為120s，我們對進行熱交換與不進行熱交換的反應溫度每隔20s進行一次測試，并繪制了不同情況下反應溫度隨時間變化的曲線。如下圖所示：溫度對多晶制絨影響的改善實驗溫度隨時間變化的曲線從對比曲線上可以證明對溶液進行熱交換處理可以有效抑制溫度的上升，使反應更易于控制。

實驗也表明，多晶硅片在酸槽制絨的時間越長，溫度上升越快，呈非線性變化。溫度對多晶制絨影響的改善實驗未進行熱交換的多晶絨面反射率為26%--27%減重0.52g進行熱交換的多晶絨面反射率為21%--22%減重0.43g橫截面正面溫度對多晶制絨影響的改善實驗總結1.通過實驗數據表明了溫度對多晶酸制絨分反應速率的影響，溫度越高，反應速度越快；2.