GB/T 17170-1997非摻雜半絕緣砷化鎵單晶深能級EL2濃度紅外吸收測試方法

TCS29.045五21中華人民共和國國家標準cB/T17170－1997非摻雜半絕緣砷化家單晶深能級EL2濃度紅外吸收測試方法TestmethodfordeeplevelEL2concentrationofundopedsemi-insulatingmonocrystallgalliumarsenidebymeasurementinfraredlabsorptionmethod1997-12-22發布1998-08-01實施國家技術監督局發布

中華人民共和國國家標準非摻雜半絕緣砷化鑲單晶深能級EL2濃度紅外吸收測試方法GB/T17170-1997中國標準出版社出版發行北京西城區復興門外三里河北街16號郵政編碼：10X45電話：63787337、637874471998年6月第一版2005年1月電子版制作書號：155066·1-14931版權專有侵權必究舉報電話：（010）68533533

GB/T17170-1997前目前沒有查閱到“半絕緣砷化鏢深能級EL2濃度紅外吸收測試方法”的國際標準和國外先進標準。“半絕緣砷化鏢EL2濃度紅外吸收測試方法”曾制定了電子部行業標準—SJ3249.4—89。原標準測量時，要求試樣厚度范圍為2mm～4mm,試樣表面要求進行雙面拋光。由于半導體工藝過程所使用的半絕緣砷化鯨品片厚度為0.5mm左右，故原標準規定的試樣厚度已不能滿足實際需要。本標準的制定，擴充了原電子部標準SJ3249.4—89的內容，增加了半絕緣砷化鏢薄片EL2濃度測量，解決了薄片試樣微區分析的測量技術。本標準的制定具有很好的實用性。本標準從1998年8月1日起實施。本標準由中國有色金屬工業總公司提出。本標準由中國有色金屬工業總公司標準計量研究所歸口。本標準由電子工業部第四十六研究所負責起草。本標準主要起草人：李光平、汝瓊娜、李靜、段曙光、何秀坤。本標準于1997年12月首次發布。本標準實施之日起，原電子部行業標準SJ3249.4—89作廢。

中華人民共和國國家標準非摻雜半絕緣砷化鑲單晶深能級EL2濃度紅外吸收測試方法GB/T17170-1997TestmethodfordeeplevelEL2concentrationofundopedsemi-insulatingmonocrystalgalliumarsenidebymeasurementinfraredabsorptionmethod1范圍本標準規定了非摻雜半絕緣砷化家單晶及其晶片深能級EL2濃度紅外吸收測試方法。本標準適用于電阻率大于10'·cm的非摻雜半絕緣砷化家單晶及其晶片深能級EL2濃度的澳本標準不適用于摻鉻半絕緣砷化家試樣深能級EL2濃度測定、方法原理非摻雜半絕緣砷化家中EL2濃度深電子陷餅的紅外吸收系數“與EL2濃度具有對應關系，測量1.0972gm處的紅外吸收系數并由經驗校準公式可計算出EL2濃度(紅外吸收系數與EL2旅度的關系詳見附錄A）。3瀏量儀器3.1分光光度計:能在0.8rm～2.5rm范圍掃描且零線吸光度起伏不大于士0.002.3.2樣品架：具有可調功能，對于厚度為2mm～4mm的試樣，使用光欄孔徑為1mm×6mm的樣品架;對于厚度為0.4mm～0.6mm的試樣，使用光欄孔徑為（0.3～0.5)mm×6mm的可調樣品架。3.3厚度測量儀：精度為10rmm.4試樣制備厚度為2mm～4mm的試樣，研磨后雙面拋光，使兩表面呈光學鏡面。4.2厚度為0.4mm～0.6mm的試樣,用解理法將試樣平行解理成一窄條，窄條寬度為被測試樣所需厚度;厚度為2mm～4mm試樣，長度大于6mm(見圖1)。解理面應呈鏡面，滿足測量要求。(a）厚度為0.4mm～0.