GB/T 16526-1996封裝引線間電容和引線負(fù)載電容測(cè)試方法

ICS31.200L55中華人民共和國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)GB/T16526—1996封裝引線間電容和引線負(fù)載電容測(cè)試方法TestmethodJmeasuringthelead-to-leadandloadinggcapacitanceofpackageleads1996-09-09發(fā)布1997-05-01實(shí)施國(guó)家技術(shù)監(jiān)督局發(fā)布

GB/T16526-1996本標(biāo)準(zhǔn)等效采用半導(dǎo)體設(shè)備與材料國(guó)際組織(SEMI)的國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)SEMIG24一89《測(cè)量封裝引線的引線間電容和負(fù)載電容》。本標(biāo)準(zhǔn)可用于集成電路各類(lèi)封裝的引線間電容和引線負(fù)載電容的測(cè)量。本標(biāo)準(zhǔn)的第3章是由SEMIG24一89的第3章和第4章合并而成，條款作了相應(yīng)處理。同時(shí)刪除了SEMIG24—89中的表1，修正了圖2中的錯(cuò)誤。本標(biāo)準(zhǔn)由中華人民共和國(guó)電子工業(yè)部提出、本標(biāo)準(zhǔn)由全國(guó)集成電路標(biāo)準(zhǔn)化分技術(shù)委員會(huì)歸口。本標(biāo)準(zhǔn)起草單位：上海無(wú)線電七廠、西安微電子技術(shù)研究所.本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人：葉曾達(dá)、王先春。

中華人民共和國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)封裝引線間電容和引線負(fù)載電容方測(cè)百法GB/T16526-1996Testmethodmeasuringthelead-to-leadandloadingcapacitanceofpackageleads1范圍本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了半導(dǎo)體集成電路封裝引線間電容和引線負(fù)載電容的測(cè)試方法。本標(biāo)準(zhǔn)適用于半導(dǎo)體集成電路陶瓷、金屬、塑料封裝引線間電容和引線負(fù)載電容測(cè)量設(shè)備和器材2.1電容儀保用加屏蔽的兩探針?lè)āげ⑴溆袃筛S電纜的電容儀，也可采用加屏蔽的四探針?lè)ǖ碾娙輧x，但必須將四根探針在電纜端處改接成兩探針。兩種方法均要求用于屏蔽連接的絕緣線的線徑大于等于中1.0mm。除非具體設(shè)備另有規(guī)定，應(yīng)保持同軸電纜于最小長(zhǎng)度(1m)。電容儀的準(zhǔn)確度為士2%.量程范圍為0～100pF。探針屏蔽必須連接在一起，連線長(zhǎng)度應(yīng)盡量短,大約為2.5cm～5cm。2.2探針臺(tái)配有兩根同軸探針和一根普通探針的微動(dòng)探針臺(tái)(推薦使用同軸探針的型號(hào)為44-FPC-6000,普通探針型號(hào)為〇ON-FPC-6000)。3測(cè)試程序3.1測(cè)引線間電容3.1.1置電容儀測(cè)試頻率選擇開(kāi)關(guān)于1MHz,如果電容儀具有電纜長(zhǎng)皮選擇開(kāi)關(guān),則調(diào)節(jié)開(kāi)關(guān)選擇適當(dāng)?shù)耐S電纜長(zhǎng)度。3.1.2將封裝上所有最接近待測(cè)引線的引線連接在一起。例如對(duì)于68線陶瓷針柵陣列封裝待測(cè)引線周?chē)?根引線要連接在一起.對(duì)于124線陶瓷針柵陣列封裝，待測(cè)引線周?chē)?2根引線要連接在一起;對(duì)所有的片式封裝，待測(cè)引線周?chē)?根引線要連接在一起（見(jiàn)圖1)。如果封裝中有接電源的平面和(或）大功率電源母線，則它們的引線應(yīng)和上述的8根或12根引線連接在一起.3.1.3把屏蔽探針?lè)旁?.1.2所提到的8根或12根引線中任一引線的內(nèi)引出端,以保證這些引線不影響測(cè)量。3.1.4將兩根同軸探針?lè)謩e暨于2個(gè)被測(cè)引線的內(nèi)引出端上方約3mm處。3.1.5調(diào)零程序：如果使用的儀器是自動(dòng)調(diào)零的.則根據(jù)儀器說(shuō)明書(shū)測(cè)量電容。如果使用的不是這類(lèi)儀器，則必須在儀器調(diào)零后取讀數(shù)。3.1.6將探針垂直放下，于被測(cè)引線上，并讀取電容讀數(shù)。如果使用的是自動(dòng)調(diào)零設(shè)備，則這一讀數(shù)就是要測(cè)的電容值，