標準解讀
《GB/T 11070-2006 還原鍺錠》與《GB/T 11070-1989 還原鍺錠》相比,主要在以下幾個方面進行了調整和更新:
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技術指標的修訂:2006版標準對還原鍺錠的純度、雜質含量等關鍵質量指標進行了重新規定,以適應科技進步和市場需求的變化,提高了產品品質要求。例如,可能對某些特定雜質元素的最大允許含量進行了更為嚴格的限制。
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檢測方法的改進:新標準引入或更新了更精確、更科學的檢測手段和分析方法,確保測試結果的準確性和可靠性。這包括但不限于使用現代儀器分析技術替代傳統檢測方法,提升了檢測效率和準確性。
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樣品制備與試驗條件的規范:2006版標準對樣品的取樣、制備以及試驗環境和條件給出了更加詳細和嚴格的規定,以減少因操作差異導致的測試結果誤差,增強了標準的可執行性。
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術語和定義的明確:為了與國際標準接軌并消除理解歧義,新標準對相關專業術語進行了明確界定,增加了標準的清晰度和適用范圍。
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包裝、標志、運輸和儲存要求的調整:考慮到實際操作中的需求變化,2006版標準可能對還原鍺錠的包裝材料、標識信息、運輸安全措施及儲存條件提出了新的或更具體的要求,以保證產品的安全與完好。
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標準結構和表述的優化:為便于用戶理解和使用,新版標準在格式、表述上進行了優化,使得內容更加條理化、規范化,增強了標準的可讀性和實用性。
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文檔簡介
ICS29.045H82中華人民共和國國家標準GB/T11070—2006代替GB/T11070-1989原還Reducedgermaniumingot2006-07-18發布2006-11-01實施中華人民共和國國家質量監督檢驗檢疫總局發布中國國家標準化管理委員會
GB/T11070—2006前本標準是對GB/T11070-1989《還原錯鏡》的修訂本標準與GB/T11070—1989相比.主要有如下變動:根根據生產技術的發展和滿足國內外用戶的需求.參照國外先進標準以及國際通行的品種和規格,將原來的3個牌號的還原錯鍵調整為2個牌號,即RGe-0:2>30Q·cmiRGe一1.p100·cm。增加了還原錯鏡的型號為單一n型。在在檢驗規則中,增加了組批、仲裁取樣和制樣以及檢驗結果的判定等內容本標準自實施之日起,代替GB/T11070—1989。本標準由中國有色金屬工業協會提出。本標準由全國有色金屬標準化技術委員會歸口。本標準由南京錯廠有限責任公司負責起草本標準主要起草人:張莉萍、黃和明。本標準由全國有色金屬標準化技術委員會負責解釋。本標準所代替標準的歷次版本分布情況為:-GB/T11070-1989.
GB/T11070—2006還原錯徒范圍本標準規定了還原錯鍵的要求、試驗方法、檢驗規則及標志、包裝、運輸、貼存、訂貨單(或合同)本標準適用于以高純二氧化錯為原料.經氫還原法制備的錯鍵。產品主要用于制備區熔錯鏡2規范性引用文件下列文件中的條款通過本標準的引用而成為本標準的條款。凡是注日期的引用文件.其隨后所有的修改單(不包括勒誤的內容)或修訂版均不適用于本標準,然而,鼓勵根據本標準達成協議的各方研究是否可使用這些文件的最新版本。凡是不注日期的引用文件,其最新版本適用于本標準GB/T1550非本征半導體材料導電類型測試方法GB/T1551硅、錯單品電阻率測定直流兩探針法GB/T11069高純二氧化錯要求3.1產品分類還原錯鏡按電阻率分為2個牌號:RGe-0、RGe一1。RG-口1——RGe表示還原錯鏡:一阿拉伯數字,表示產品等級3.2電阻率還原錯鍵電阻率應符合表1的規定。電電阻率((Q·cm)23C±0.5C),不小于RGe-RGe-13.3型號還原錯鍵型號為單一n型3.4原料RGe—0牌號的原料應符合GB/T11069Ge0,一06牌號的規定3.5電學性能RGe—0牌號的產品經定向結品和6次區熔提純后.電阻率大于
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