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文檔簡介
第3章ARM體系結構1主要內容1324ARM體系結構概述編程模型ARM基本尋址方式ARM指令集5ARM9TDMI內核6ARM9與ARM7的比較ARM920T核723.1.1ARM體系結構的特點
ARM即AdvancedRISCMachines的縮寫。ARM公司1990年成立,是設計公司。ARM是知識產權(IP)供應商,本身不生產芯片,靠轉讓設計許可,由合作伙伴公司來生產各具特色的芯片。ARM處理器的3大特點是:耗電少、成本低、功能強;16位/32位雙指令集;全球眾多合作伙伴保證供應。3
ARM處理器為RISC芯片,其簡單的結構使ARM內核非常小,這使得器件的功耗也非常低。它具有經典RISC的特點:
大的、統一的寄存器文件;
裝載/保存結構,數據處理操作只針對寄存器的內容,而不直接對存儲器進行操作;
簡單的尋址模式;
統一和固定長度的指令域,簡化了指令的譯碼,便于指令流水線設計。3.1.1ARM體系結構的特點43.1.1ARM體系結構的特點ARM體系結構的特點:RISC型處理器結構ARM/Thumb指令集多處理器狀態模式(7種處理器模式)嵌入式在線仿真調試靈活和方便的接口ARM體系結構具有協處理器接口ARM處理器核還具有片上總線:AMBA(AHB/ASB/APB)低電壓低功耗的設計53.1.1ARM體系結構的特點ARM目前的產品系列:ARM7ARM9ARM9EARM10SecurCoreARM11ARMCortex-A/R/M系列…通用處理器系列專門為安全設備設計的處理器系列63.1.2ARM處理器結構1324ARM的體系結構ARM的流水線結構ARM存儲器結構ARMI/O結構5ARMAMBA接口6ARM協處理器接口ARMJTAG調試接口771.ARM的體系結構由32位ALU、31個32位通用寄存器及6個狀態寄存器、32×8位乘法器、32×32位桶形移位寄存器、指令譯碼及控制邏輯、指令流水線和數據/地址寄存器組成。8
ALU由兩個操作數鎖存器、加法器、邏輯功能、結果及零檢測邏輯構成。
ALU的邏輯結構9
ALU
每一時鐘周期由雙相時鐘組成。ALU的最小數據通路周期由以下組成:寄存器讀時間;移位器延遲;ALU延遲;寄存器寫建立時間;雙相時鐘間非重疊時間。
ALU的數據通路時序10
桶形移位寄存器
為了減少移位的延遲時間,ARM采用了32×32位的桶形移位寄存器。這樣,可以使左移/右移n位、環移n位和算術右移n位等都可以一次完成。11
高速乘法器
ARM為了提高運算速度,采用兩位乘法的方法。兩位乘法根據乘數的2位來實現“加-移位”運算。乘數An-1An: 00--原部分積S右移2位; 01--原部分積S加被乘數后右移2位; 10--原部分積S加2倍被乘數后,右移2位; 11--原部分積S加3倍被乘數后,右移2位。
2倍被乘數可通過將被乘數左乘1位來實現;3倍可看作4-1(11=100-1),故先減1倍被乘數,再加4倍被乘數來實現。4倍被乘數的操作實際上是在該2位乘數11的高1位乘數加“1”,且此“1”可暫存在Cout進位觸發器中。
12
高速乘法器
ARM的高速乘法器采用32×8位的結構,內部結構如下:13
浮點部件
浮點部件是作為選件為ARM體系結構選用,FPA10浮點加速器以協處理器方式與ARM相連,并通過協處理器指令的解釋來執行。14
控制器
ARM的控制器采用硬接線的可編程邏輯陣列PLA。輸入端14根,輸出40根,分散控制Load/Store多路、乘法器、協處理器以及地址、寄存器、ALU和移位器的控制。
15
寄存器ARM內含37個寄存器,其中:31個通用32位寄存器6個狀態寄存器163.1.2ARM處理器結構1324ARM的體系結構ARM的流水線結構ARM存儲器結構ARMI/O結構5ARMAMBA接口6ARM協處理器接口ARMJTAG調試接口717
指令執行的階段計算機中的1條指令的執行可以分若干個階段:①取指,從存儲器中取出指令(fetch);②譯碼,指令譯碼(dec):③取操作數,假定操作數從寄存器組中取(reg);④執行運算(ALU);⑤存儲器訪問,操作數與存儲器有關(mem);⑥結果寫回寄存器(res)。18
指令執行的階段流水線的停頓相鄰指令執行的數據相關性會產生指令執行的停頓。19
指令執行的階段碰到分支類指令,則會使后面緊接該條指令的幾條指令的執行都無效。遇到分支指令20
ARM體系結構的3級流水線ARM7體系結構采用了3級流水線,分為取指,譯碼和執行。下圖是單周期3級流水線的操作示意圖。21
ARM體系結構的3級流水線
由于取指的存儲器訪問和執行的數據通路占用都是不可同時共享的資源,因此對多周期指令來說,會產生流水線阻塞。如圖3-12所示下圖的陰影框周期都是與存儲器訪問有關的。因此在流水線設計中不允許重疊。22
ARM體系結構的5級流水線(ARM9體系結構的)5級流水線把存儲器的取指與數據存取分開,增加了I-Cache和D-Cache以提高存儲器存取的效率,增加了數據寫回的專門通路和寄存器,以減少數據通路沖突。這樣,5級流水線分為:取指、指令譯碼、執行、數據緩存和寫回。233.1.2ARM處理器結構1324ARM的體系結構ARM的流水線結構ARM存儲器結構ARMI/O結構5ARMAMBA接口6ARM協處理器接口ARMJTAG調試接口724
ARM存儲器結構
ARM架構的處理器,有的帶有指令Cache和數據Cache,但片內不帶有片內RAM和片內ROM,系統所需的RAM和ROM須通過總線外接,如下圖。253.1.2ARM處理器結構1324ARM的體系結構ARM的流水線結構ARM存儲器結構ARMI/O結構5ARMAMBA接口6ARM協處理器接口ARMJTAG調試接口726
ARM
I/O結構
ARM架構中的處理器核和處理器內核一般都沒有I/O的部件和模塊,構成ARM架構的處理器中的I/O可通過AMBA總線來擴充。(1)存儲器映像I/OARM采用存儲器映像I/O的方式,即把I/O端口地址作為特殊的存儲器地址。不過I/O的輸入/輸出與真正的存儲器讀/寫仍然有所不同:存儲器的單元重復讀多次的值是一致的;而I/O設備的連續2次輸入,其輸入值可能會有所不同。(2)直接存儲器存取DMA
在I/O的數據流量比較大,中斷處理比較頻繁的場合,會明顯影響系統的性能。因此,許多系統就采用了直接存儲器存取DMA,這樣,I/O的數據塊傳送至存儲器的緩沖器區域就不需要處理器介入,而中斷也僅僅出現在出現出錯時或緩沖器滿時。(3)中斷IRQ和快速中斷FIQ一般的ARM沒有DMA的功能,為了提高I/O處理的能力,對于一些要求I/O處理速率比較高的事件,系統安排快速中斷FIQ(FastInterrupt),而對其余的I/O源仍安排一般中斷IRQ。273.1.2ARM處理器結構1324ARM的體系結構ARM的流水線結構ARM存儲器結構ARMI/O結構5ARMAMBA接口6ARM協處理器接口ARMJTAG調試接口728
ARM協處理器接口
ARM為了便于片上系統SOC的設計,處理器內核盡可能精簡,要增加系統的功能,可以通過協處理器來實現。在邏輯上,ARM可以擴展16個協處理器,每個協處理器可有16個寄存器。協處理器號功能15系統控制14調試控制器13~8保留7~4用戶3~0保留
例如,MMU和保護單元的系統控制都采用CP15協處理器;JTAG調試中的協處理器為CP14。293.1.2ARM處理器結構1324ARM的體系結構ARM的流水線結構ARM存儲器結構ARMI/O結構5ARMAMBA接口6ARM協處理器接口ARMJTAG調試接口730
ARMAMBA接口
ARM處理器也可以通過先進微控制器總線架構AMBA(AdvancedMicrocontrollerBusArchitecture)來擴展不同體系架構的宏單元及I/O部件。AMBA事實上已成為片上總線OCB(OnChipBus)標準。AMBA包括以下三類總線:先進高性能總線AHB先進系統總線ASB先進外圍總線APB313.1.2ARM處理器結構1324ARM的體系結構ARM的流水線結構ARM存儲器結構ARMI/O結構5ARMAMBA接口6ARM協處理器接口ARMJTAG調試接口
732
JTAG調試接口的結構
由測試訪問端口TAP(TestAccessPort)控制器、旁路(Bypass)寄存器、指令寄存器、數據寄存器以及與JTAG接口兼容的ARM架構處理器組成。33
JTAG的控制寄存器①測試訪問端口TAP控制器對嵌入在ARM處理器核內部的測試功能電路進行訪問控制,是一個同步狀態機。通過測試模式選擇信號TMS和時鐘信號TCK來控制其狀態機。②指令寄存器是串行移位寄存器,通過它可以串行輸入執行各種操作的指令。③數據寄存器組是一組串行移位寄存器。操作指令被串行裝入由當前指令所選擇的數據寄存器,隨著操作的進行,測試結果被串行移出。其中:器件ID寄存器:讀出在芯片內固化的ID號。旁路寄存器:1位移位寄存器,用1個時鐘的延遲把TDI連至TDO,使測試者在同一電路板測試循環內訪問其他器件。邊界掃描寄存器(掃描鏈):截取ARM處理器核與芯片引腳之間所有信號,組成專用的寄存器位。34
JTAG測試信號TRST:測試復位輸入信號,測試接口初始化。TCK:測試時鐘,在TCK時鐘的同步作用下,通過TDI和TDO引腳串行移入/移出數據或指令,同時也為測試訪問端口TAP控制器的狀態機提供時鐘。TMS:測試模式選擇信號,控制測試接口狀態機的操作。TDI,測試數據輸入線,其串行輸入數據送至邊界掃描寄存器或指令寄存器(由TAP控制器的當前狀態及已保存在指令寄存器中的指令來控制)。TDO:測試數據輸出線,把從邊界掃描鏈采樣的數據傳播至串行測試電路中的下一個芯片。35
TAP狀態機
測試訪問端口TAP控制器是一個16狀態的有限狀態機,為JTAG提供控制邏輯。狀態轉移圖如右圖:
36
JTAG接口控制指令
控制指令用于控制JTAG接口各種操作,控制指令包括公用(Public)指令和私有(Private)指令。最基本的公用指令有:BYPASS:旁路片上系統邏輯指令,用于未被測試的芯片,即把TDI與TPO旁路(1個時鐘延遲)。EXTEST:片外電路測試指令,用于測試電路板上芯片之間的互連。IDCODE:讀芯片ID碼指令,用于識別電路板上的芯片。此時,ID寄存器在TDI與TDO引腳之間,在captureDR狀態中,芯片的ID復制至該寄存器,然后在shiftDR狀態中移出。INTEST:片內測試指令,邊界掃描寄存器位于TDI與TDO引腳之間,處理器核邏輯輸入和輸出狀態被該寄存器捕獲和控制。373.1.3ARM處理器內核
ARM體系結構的處理器內核有:ARM7TDMI、ARM8、ARM9TDMI、ARM10TDMI及ARM11TDMI等。38
ARM7TDMIARM7TDMI名字原義如下:ARM7ARM632位整數核的3V兼容的版本;T16位壓縮指令集Thumb;D在片調試(Debug)支持,允許處理器響應調試請求暫停;M增強型乘法器(Multiplier),與以前處理器相比性能更高,產生全64位結果;I嵌入式ICE硬件提供片上斷點和調試點支持。39ARM7TDMI體系結構圖40
ARM7TDMI引腳圖41
采用了3級流水線結構,指令執行分為取指、譯碼和執行等3個階段;運算器能實現32位整數運算;采用了高效的乘法器,用32×8位乘法器實現32×32位乘法(結果為64位)。采用v4T版指令,支持16位Thumb指令集;嵌入式ICE(Embedded-ICE)模塊為ARM7TDMI提供了片內調試功能。同時通過JTAG接口可以很方便地用PC主機對ARM7TDMI進行開發和調試。還提供了存儲器接口、MMU接口、協處理器接口和調試接口,以及時鐘與總線等控制信號。
ARM7TDMI主要特點42
ARM7TDMI主要性能指標工藝:0.35μm(新近采用0.25μm);金屬布線:3層;電壓:3.3V(新近采用1.2V、0.9V);管子數:74209只;內核芯片面積:2.1mm2;時鐘:0~66MHz;MIPS:66;功耗:87mW;MIPS/W:690(采用0.25μm工藝,0.9V電壓,可達1200MIPS/W)。43
ARM9TDMI主要性能指標工藝:025μm(0.18μm);金屬布線:3層;電壓:2.5V(1.2V);管子數:11100只;核芯片面積:2.1mm2;時鐘:0~200MHz;MIPS:220;功耗:150mW;MIPS/W:1500。44
ARM9TDMI流水線結構ARM9TDMI處理器內核采用了5級流水線。45
ARM9TDMI主要特點采用指令和數據分離訪問的方式,即采用了指令Cache和數據Cache。用專門硬件來直接完成ARM與Thumb指令的譯碼。ARM9TDMI也有協處理器接口,允許在芯片增加浮點、數字信號處理或其他專用的協處理器。ARM9TDMI也提供相應的軟核。ARM9E-S是具有DSP功能的能執行v5TE版ARM指令的ARM9TDMI軟核,當然其芯片面積要增加30%。在ARM9流水線設計中,增加專用流水段用于存儲器訪問和將結果寫回到寄存器組。而且,寄存器讀也移到譯碼段。這些改變通過減少在單一時鐘周期內操作最大的邏輯數目,允許更高的時鐘頻率。46
ARM10TDMI
ARM10TDMI在系統結構上主要采用增加時鐘速率和減少每條指令平均時鐘周期數CPI(ClockPerInstruction)兩大措施,以同樣的工藝,同樣的芯片面積,在性能上2倍于ARM9TDMI。
ARM10TDMI采用提高時鐘速率、6級流水線、分支預測邏輯、64位存儲器和無阻塞的存/取邏輯等措施,使ARM10TDMI的性能得到很大提高,是目前高檔ARM體系結構的處理器內核。流水線結構473.1.4ARM處理器核
在最基本的ARM處理器內核基礎上,可增加
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