CN117613090B 一種寬禁帶半導體溝槽mosfet器件結構及其制備方法 （湖北九峰山實驗室）_第1頁
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一種寬禁帶半導體溝槽MOSFET器件結構及本發明提供一種寬禁帶半導體溝槽MOSFET述第一電流通道位于所述柵極的正下方。該2設置有源極P+區；所述第二電流通道位于所述源極溝槽的正下方且與所述源極P+區接觸；3.根據權利要求1所述的寬禁帶半導體溝槽MOSF2O36.權利要求1~5任一項所述的寬禁帶半導體溝槽MOSFET器件結構的制備方法，其特征在襯底上依次外延生長第一外延層、P+埋層和第二外延層；通過次外延的方法或生長P型氧化物的方式在所述第二外延層遠離所述P+埋層的表面形成P阱離子注入的方式在所述第二外延層中形成與所述柵極溝槽的底部外表面接觸的P+掩蔽層；通過P型離子注入的方式在所述源極溝槽的外側壁周圍形成源極P+區；在所述柵極溝槽中3應用于各種極端惡劣的環境中。常見的寬帶隙半導體材料主要有碳化硅(SiC)、氮化鎵2O3[0003]目前的寬禁帶半導體溝槽MOSFET(Metal_Oxide_SemiconductorField_EffectTransistor，金屬_氧化物_半導體場效應晶體管)器件在實際工藝制作和應用中主要存在用于隔離所述源極和所述柵極；所述柵極包括沉積于柵極溝槽內的柵極介質層和柵極材二電流通道位于所述源極溝槽的正下方且與所述位于所述柵極溝槽和所述第一電流通道之間的P+掩蔽層，所述P+掩蔽層與源極P+區電連4或二次外延的方法或生長P型氧化物的方式在所述第二外延層遠離所述P+埋層的表面形成槽的正下方的所述P+埋層中形成第一電流通道，通過N型離子注入的方式在所述第一電流方法還包括以下步驟：通過離子注入的方式在所述P阱區背離所述第二外延層的表面形成方法還包括以下步驟：通過P型離子注入的方式在所述第二外延層中形成與所述柵極溝槽5[0022]圖4、圖5為本發明實施例3中制備寬禁帶半導體溝槽MOSFET器件結構的過程中得[0023]圖6為本發明實施例4中制備寬禁帶半導體溝槽MOSFET器件結構的過程中得到的[0024]圖9～圖11為本發明實施例4中制備寬禁帶半導體溝槽MOSF通過N型離子注入的方式在P+埋層中形成第一電流通道時，得到的各種形態的器件結構的[0025]圖12～圖16為本發明實施例4中制備寬禁帶半導體溝槽MOSFET器件結構時，第一在P+埋層3上的第二外延層22、設置在第二外延層22上的P阱區4、沉積在P阱區4上的源極6壁沉積柵極介質層62和源極介質層72。在柵極溝槽61(見圖3)中沉積多晶硅63作為柵極材再繼續在得到的器件結構表面沉積源極金屬層得到源極10。在襯底1背離第一外延層21的[0048]本實施例提供的寬禁帶半導體溝槽MOSFET器件結構的制備方法與實施例2的不同7[0051]本實施例提供的寬禁帶半導體溝槽MOSFET器件結構的制備方法與實施例3的不同入的方式在P+埋層3中形成第一電流通道81時，通過控制柵極溝槽61的側壁處離子注入掩89

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