2026年高考化學(xué)沖刺復(fù)習(xí)：清單03 物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)（解析版）

清單03物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)

解題技法精講

技法01原子或離子中各微粒間的數(shù)量關(guān)系技法07確定等電子體的方法

技法02元素、核素、同位素之間的關(guān)系技法08晶體類型的判斷方法

技法03核外電子排布技法09晶胞中微粒數(shù)目的計(jì)算方法——均攤法

技法04微粒半徑的比較(以短周期為例)技法10原子分?jǐn)?shù)坐標(biāo)參數(shù)的確定方法

技法05根據(jù)價(jià)層電子對(duì)互斥模型判斷分子或離技法11計(jì)算晶體密度的思維方法

子的空間結(jié)構(gòu)

技法06雜化軌道類型的判斷方法技法12計(jì)算晶體中粒子間距離的思維方法

常見誤區(qū)破解

誤區(qū)01關(guān)于原子結(jié)構(gòu)的認(rèn)識(shí)誤區(qū)誤區(qū)04判斷物質(zhì)中化學(xué)鍵類型的常見易錯(cuò)問題

誤區(qū)02關(guān)于元素周期律、元素周期表的認(rèn)識(shí)誤區(qū)誤區(qū)05離子晶體易錯(cuò)點(diǎn)

誤區(qū)03分子結(jié)構(gòu)性質(zhì)認(rèn)識(shí)的易錯(cuò)易混點(diǎn)誤區(qū)06晶胞計(jì)算易錯(cuò)提醒

題型強(qiáng)化訓(xùn)練

題型01原子、分子和晶體結(jié)構(gòu)與性質(zhì)的正誤判斷題型03晶胞結(jié)構(gòu)分析與計(jì)算

題型02“位一構(gòu)一性”的元素綜合推斷題型04物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)綜合題

解題技法精講

技法oi原子或離子中各微粒間的數(shù)量關(guān)系

(1)對(duì)于原子:質(zhì)子數(shù)-核電荷數(shù)二核外電子數(shù)-原子序數(shù)。

(2)質(zhì)量數(shù)=質(zhì)子數(shù)+中子數(shù)。

(3)質(zhì)子數(shù)二陽(yáng)離子的核外電子數(shù)十陽(yáng)離子所帶正電荷數(shù)。

(4)質(zhì)子數(shù)=陰離子的核外電子數(shù)-陰離子所帶負(fù)電荷數(shù)。

技法02元素、核素、同位素之間的關(guān)系

/—具有相同隹曳苞數(shù)的同一類原子的總稱，

同種元素可包含多種不同的核索

（兀素具有一定數(shù)目的虹和一定數(shù)目的

⑥砌虹的一種原子一

\前它,質(zhì)子數(shù)相同,中子數(shù)不同的同一種元

7竺7—素的不同核索的互稱

一盤具有相同的質(zhì)子數(shù)一r史工虹核素1］互稱同位素

兀系不同的中子數(shù).中了數(shù)2一核素2卜（在周期表中同

i：：j屬一個(gè)位置）

宏觀概念，一類原子微觀概念，不同原子微觀概念，相互關(guān)系

技法03核外電子排布

（1）咳外電子排布規(guī)律

|能量規(guī)律1離核由近到遠(yuǎn),電子能量由低到高

r每層最多容納的電子數(shù)為2“2

|數(shù).規(guī)律一《最外層不超過8個(gè)（K層為最外層時(shí)不超過2個(gè)；

〔次外層不超過18個(gè)

（2）原子結(jié)構(gòu)示意圖

IM電子層

Na盜\'工

層內(nèi)電子數(shù)

粒子符號(hào)原子核核內(nèi)質(zhì)子數(shù)

⑶基態(tài)原了?的核外電了?排布原理

1）能量最低原理：即電子盡可能地先占有能量低的軌道，然后進(jìn)入能量高的軌道，使整個(gè)原子的能量處于最

低狀態(tài)。如圖為構(gòu)造原理示意圖，即基態(tài)原子核外電子在原子軌道上的排布順序圖：

2）泡利不相容原理

每個(gè)原子軌道里最多只能容納&個(gè)電子，且自旋狀態(tài)相反。

2s

如2s軌道上的電子排布為m，不能表示為回。

3）洪特規(guī)則

當(dāng)電子排布在同一能級(jí)的不同軌道時(shí)，基態(tài)原子中的電子總是優(yōu)先里獨(dú)占據(jù)一個(gè)軌道，且自旋狀態(tài)相同。

如2P3的電子排布為

2p一2|）

”“不能表率為叵目或

2P

洪特規(guī)則特例：當(dāng)能最相同的原子軌道在全滿（心d10f14）,半滿（/?d5P）和全空特）d°伊）狀態(tài)F寸，體系的能

量最低,如：24Cr的電子排布式為Is22s22P63s23P63d，4sJ

（4）咳外電子排布的表示方法

含義將每個(gè)能層上的電子總數(shù)表示在原子核外的式子

原子（離子）結(jié)構(gòu)示

人\\人\\

意圖實(shí)例G1?283(+16)288

Al'”守，))

用數(shù)字在能級(jí)符號(hào)右上角標(biāo)明該能級(jí)上排布的電子數(shù)，這就是電子排

含義

電子排布式布式

實(shí)例K：Is22s22P63s23P64sl

為了避免電子排布式書寫過于繁瑣，把內(nèi)層電子達(dá)到稀有氣體原子結(jié)

含義

簡(jiǎn)化電子排布式構(gòu)的部分以相應(yīng)稀有氣體元素符號(hào)外加方括號(hào)表示

實(shí)例K：[Ar]4sl

主族元素的價(jià)層電子指最外層電子，價(jià)層電子排布式即最外層電子排

含義

價(jià)電子排布式布式

實(shí)例Al：3s23Pl

含義每個(gè)方框代表一個(gè)原子坑道，每個(gè)箭頭代表一個(gè)電子

就道表不式

實(shí)例AI[rnirniNi」iNiEMI?

化學(xué)中常在元素符號(hào)周圍用“?”或“X”來表示元素原子的最外層電子，

含義

電子式相應(yīng)的式子叫做電子式

???

實(shí)例?P?K??S?

????

技法04微粒半徑的比較(以短周期為例)

1.相同電性微粒半徑大小的比較

①原子半徑：左下角的鈉最大

②陽(yáng)離子半徑：左下角的鈉離子最大

③陰離子半徑：左下角的磷離子最大

2.不同電性微粒半徑大小的比較

①同周期：陰離子半徑,陽(yáng)離子半徑，如Na+VC「

②同元素：電子數(shù)越多，微粒半徑越大，如Fe2+>Fe3+

③同結(jié)構(gòu)：質(zhì)子數(shù)越多，離子半徑越小，如Na+VO?-

技法05根據(jù)價(jià)層電子對(duì)互斥模型判斷分子或離子的空間結(jié)構(gòu)

1.方法I

根據(jù)上述方法I計(jì)算出o鍵電子對(duì)數(shù)和中心原子上的孤電子對(duì)數(shù)，在確定了。鍵電子對(duì)數(shù)和中心原子上的

孤電子對(duì)數(shù)后，可以依據(jù)下面的方法確定相應(yīng)的較穩(wěn)定的分子或離子的空間結(jié)構(gòu)：

a鍵電子對(duì)數(shù)+孤電子對(duì)數(shù)數(shù)介層電子對(duì)數(shù)價(jià)層電子對(duì)相互排斥)VSEPR模型略去恥電子對(duì),分子的空間結(jié)構(gòu)

以CO?NH4+、NF3為例：

①CCh：中心C原子的價(jià)電子為4,配位原子為氧原子，配位原子數(shù)為2,即有2對(duì)。鍵電子對(duì)數(shù)，中心C

原子上的孤電子對(duì)數(shù)44-2x(g-6)]/2=O,即中心C原子無孤電子對(duì)，VSEPR模型就是分子的實(shí)際構(gòu)型，價(jià)層

電子對(duì)數(shù)為2的VSEPR模型為直線形，則CO2的實(shí)際構(gòu)型為直線形。

②NL+：中心N原子的價(jià)電子為5,配位原子為氫原子，配位原子數(shù)為4,NH4+帶1個(gè)正電荷，中心N原

子上的孤電子對(duì)數(shù)二[5-l-4x(2-l)]/2=0,即中心N原子無孤電子對(duì)，VSEPR模型就是分子的實(shí)際構(gòu)型，價(jià)層

電子對(duì)數(shù)為4的VSEPR模型為正面體形，則NH4?的實(shí)際構(gòu)型為正四面體形。

③NF3：中心N原子的價(jià)電子為5,配位原子為氟原子，配位原子數(shù)為3,不帶電荷，中心N原子上的孤電

子對(duì)數(shù)T5-3x(8-7)]/2-l,即中心N原子有1孤電子對(duì)，VSEPR模型略去I孤電子對(duì)才是分子的實(shí)際構(gòu)型，

價(jià)層電子對(duì)數(shù)為4的VSEPR模型為正面體形，則NF3的實(shí)際構(gòu)型為三角錐形。

2.方法II

根據(jù)上述方法n計(jì)算出價(jià)層電子對(duì)總數(shù)和中心原子上的孤電子對(duì)數(shù)，根據(jù)價(jià)層電子對(duì)總數(shù)得出VSEPR模型，

由VSEPR模型略去孤電子對(duì)就可以得出分子的實(shí)際構(gòu)型。

價(jià)層電子對(duì)數(shù)價(jià)層電子對(duì)相互排斥)VSEPR模型略去孤電子對(duì))分子的空間結(jié)構(gòu)

以C02.NH,+、NF3為例：

①CO?：中心C原子的價(jià)電子為4,配位原子為氯原子，不計(jì)算配位原子數(shù)，中心C原子的價(jià)層電子對(duì)數(shù)

=4/2=2,中心碳原子與兩個(gè)氯原子結(jié)合，故CO2中C原子孤電了對(duì)數(shù)=2-2=0,即中心C原子無孤電了?對(duì)，

VSEPR模型就是分子的實(shí)際構(gòu)型，價(jià)層電子對(duì)數(shù)為2的VSEPR模型為直線形，則CCh的實(shí)際構(gòu)型為直線

形。

②NE+：中心N原子的價(jià)電子為5,配位原子為氫原子，配位原子數(shù)為4,NH4+帶1個(gè)正電荷，中心N原

子的價(jià)層電子對(duì)數(shù)=（5+4-1）/2:4,中心N原子與4個(gè)氫原子結(jié)合，故NH4+中N原子孤電子對(duì)數(shù)=4Y=0,即

中心N原子無孤電子對(duì)，VSEPR模型就是分子的實(shí)際構(gòu)型，價(jià)層電子對(duì)數(shù)為4的VSEPR模型為正面體形,

則、HJ的實(shí)際構(gòu)型為正四面體形，

③NF3：中心N原子的價(jià)電子為5,配位原子為氟原子，配位原子數(shù)為3,不帶電荷，中心N原子的價(jià)層電

子對(duì)數(shù)=（5+3）/2=4,中心N原子與3個(gè)氟原子結(jié)合，故NE中N原子孤電子對(duì)數(shù)=4-3=1,即中心N原子有

1孤電子對(duì)，VSEPR模型略去1孤電子對(duì)才是分子的實(shí)際構(gòu)型,價(jià)層電子對(duì)數(shù)為4的VSEPR模型為正面體

形，則NF3的實(shí)際構(gòu)型為三角錐形。

【特別說明】①中心原子不含孤電子對(duì)的分子（或離子），VSEPR模型與分子（或離子）的空間結(jié)構(gòu)一致。

②中心原子若有孤電子對(duì)，孤電子對(duì)也要占據(jù)中心原子周圍的空間，并與成鍵電子對(duì)互相排斥，則VSEPR

模型與分子的空間結(jié)構(gòu)不一致。推測(cè)分子的立體模型必須略去VSEPR模型中的孤電子對(duì)。

技法06雜化軌道類型的判斷方法

1.根據(jù)價(jià)層電子對(duì)互斥模型判斷中心原子的雜化類型、空間結(jié)構(gòu)

在確定了分子或離子的中心原子上的成鍵電子對(duì)數(shù)和孤電子對(duì)數(shù)后，可以依據(jù)卜面的方法確定其中心原子

的朵化軌道類型：。鍵電子對(duì)數(shù)（成鍵電子對(duì)數(shù)）+孤電子對(duì)數(shù)二價(jià)電子對(duì)數(shù)二雜化軌道數(shù)「？一切

<3->5772

4->sp3

根據(jù)雜化類型及孤電子對(duì)數(shù)即可判斷分子或離子的空間結(jié)構(gòu)，列表如下:

價(jià)層電子對(duì)雜化軌道類成犍電子對(duì)孤電子對(duì)雜化軌道分子空間結(jié)實(shí)例

數(shù)型數(shù)數(shù)數(shù)構(gòu)

2sp202直線形BeCh.CO2.HCN

30平面三角形BF3SO3CO32-

3Sp?3

21V形SnBr2.SO2.NO?

Sp33

4404四面體形CHChSiCl4,PO4-

2

31三角錐形NH3,PC13,SO3-

22V形OF2H2O、NH2-

2.根據(jù)雜化軌道間的夾角判斷

雜化軌道間的夾角雜化軌道類型

109028zsp3

120°sp2

180°sp

3.根據(jù)分子或離子的空間結(jié)構(gòu)判斷

分子或離子的空間結(jié)構(gòu)雜化軌道類型

正四面體形sp3

平面三角形sp2

直線形sp

4.根據(jù)共價(jià)鍵類型判斷

由朵化軌道理論可知，原子之間成鍵時(shí)，未參與雜化的軌道用于形成冗鍵，雜化軌道用于形成。鍵或用來

容納未參與成鍵的孤電子對(duì)。對(duì)于能明確結(jié)構(gòu)式的分子、離子，其中心原子的雜化軌道數(shù)n=中心原子形成

的o鍵數(shù)+中心原子上的孤電子對(duì)數(shù)，即可將結(jié)構(gòu)式和電子式相結(jié)合，從而判斷中心原子形成的。鍵數(shù)和中

心原子上的孤電子對(duì)數(shù)，進(jìn)而判斷雜化軌道數(shù)。例如：

①在SiF《分子中，基態(tài)硅原子有4個(gè)價(jià)電子，與4個(gè)氨原子形成4個(gè)。鍵，沒有孤電子對(duì)，n=4,則SiF4

分子中硅原子采用sp3雜化。

②在HCHO分子中，基態(tài)碳原子有4個(gè)價(jià)電子，與2個(gè)氫原子形成2個(gè)。鍵，與氧原子形成C=O,C=O中

有I個(gè)。鍵、1個(gè)兀鍵，沒有孤電子對(duì)，n=3,則HCHO分子中碳原子采用sp2雜化。

5.以碳原子為中心原子的分子中碳原子的雜化類型

①?zèng)]有形成兀鏈，為s/雜化：CH4CCU—C—

I

…\\Z

②形成一個(gè)兀鍵，為sp2雜化：CH2=CH2,苯(大兀鍵)、C=0、C=C

/Z\

③形成兩個(gè)兀鍵，為sp雜化：CH三CH、O=C=O(CO2)、S=C=S(CS2)

技法以確定等電子體的凝

1.確定方法：同主族代換或同周期相鄰元素替換，交換過程中注意電荷變化。變換過程中注意電荷變化,

并伴有元素種類的改變

1「七方法示例

豎換：把同族元素（同族原子價(jià)電子數(shù)相同）上下交換，

1CO2與CS2.O3與SO2

即可得到相應(yīng)的等電子體

橫換：換相鄰主族元素，這時(shí)候價(jià)電子發(fā)生變化，再通

2N2與CO

過得失電子使價(jià)電子總數(shù)相等

O3與NO晨CH4與NH；

3可以將分子變換為離子，也可以將禽子變換為分子

CO與CN.

r—i把（）換成前?個(gè)原化\>把、換成前?個(gè)睨J—1

“匕？少了1個(gè)電廣.再得1個(gè)電r*1、少\1個(gè)電小再用1個(gè)電匚

乂如:叵］把c換成后?個(gè)用廣（、）（多1個(gè)電廣）

把（）換成前?個(gè)原子（N）（少】個(gè)電廣）

2.常見的等電子體匯總

微粒通式價(jià)電子總數(shù)立體構(gòu)型

CO2.CNS\NO，、N3AX216e直線形

COM、NO晨SO3AX324e-平面三角形

形

SO2O3NO?AX218e-V

SOU、POFAX432e一正四面體形

PO『、sor、CIO;AX326e三角錐形

CO、N2AX10e-直線形

CHNH8e-正四面體形

4.；AX4

技法08晶體類型的判斷方法

1.依據(jù)構(gòu)成晶體的微粒和微粒間作用力判斷

由陰、陽(yáng)離子形成離子鍵構(gòu)成的晶體為離子晶體；由原子形成的共價(jià)鍵構(gòu)成的晶體為原子晶體；由分子依

靠分了?間作用力形成的晶體為分子晶體：由金屬陽(yáng)離子、自由電子以金屬鍵形成的晶體為金屬晶體

2.依據(jù)物質(zhì)的分類判斷

①河?潑金屬氧化物和過氧化物（如K2O、NazCh等），強(qiáng)堿（如NaOH、KOH等），絕大多數(shù)的鹽是離子晶體

②部分非金屬單質(zhì)、所有非金屬氫化物、部分非金屬氧化物、兒乎所有的酸、絕大多數(shù)有機(jī)物的晶體是分

子晶體

③常見的單質(zhì)類原子晶體有金剛石、晶體硅、晶體硼等，常見的化合物類原子晶體有SiC、SiO2.AIN.BP、

CaAs等

④金屬單質(zhì)、合金是金屬晶體

3.依據(jù)晶體的熔點(diǎn)判斷

不同類型晶體熔點(diǎn)大小的一般規(guī)律：原子晶體〉離子晶體〉分子晶體。金屬晶體的熔點(diǎn)差別很天，如鴿、的

等熔點(diǎn)很高，葩等熔點(diǎn)很低

4.依據(jù)導(dǎo)電性判斷

①離子晶體溶于水及熔融狀態(tài)時(shí)均能導(dǎo)電

②原子晶體一般為非導(dǎo)體

③分子晶體為非導(dǎo)體，但分子晶體中的電解質(zhì)（主要是酸和強(qiáng)極性非金屬氫化物）溶于水時(shí)，分子內(nèi)的化學(xué)鍵

斷裂形成自由移動(dòng)的離子，也能導(dǎo)電

④金屬晶體是電的良導(dǎo)體

5.依據(jù)硬度和機(jī)械性能判斷

一段情況下，硬度：原子晶體〉離子晶體〉分子晶體。金屬晶體多數(shù)硬度大，但也有較小的，上具有延展性

技法09晶胞中微粒數(shù)目的計(jì)算方法一均攤法

1.原則：晶胞中任意位置上的一個(gè)原子如果是被〃個(gè)晶胞所共有，那么，每個(gè)晶胞對(duì)這個(gè)原子分得的份額

1

就是G

2.方法：

①長(zhǎng)方體（正方體）晶胞中不同位置的粒子數(shù)的計(jì)算

a.處于頂點(diǎn)上的粒子，同時(shí)為8個(gè)晶胞所共有，每個(gè)粒子有W屬于該晶胞

1

b.處于棱邊，的粒子，同時(shí)為4個(gè)晶胞所共有，每個(gè)粒子有％屬于該晶胞

1

c.處于晶面上的粒子，同時(shí)為2個(gè)晶胞所共有，每個(gè)粒子有，屬于該晶胞

d.處于晶胞內(nèi)部的粒子，則完全屬于該晶胞

②昨長(zhǎng)方體晶胞中粒子視具體情況而定

-----頂點(diǎn)上:—

棱上------712

三棱柱面上------———梭上，

6

底面------'—內(nèi)部：1

上梭上—----頂點(diǎn)上:、

?

六棱柱側(cè)面——-1

.1棱上匕

?

f

5底面一、

7內(nèi)部：1

石墨晶胞每一層內(nèi)碳原子排成六邊形，其頂點(diǎn)(1個(gè)碳

平面型

1

原子)被三個(gè)六邊形共有，每個(gè)六邊形占行

3.熟記幾種常見的晶胞結(jié)構(gòu)及晶胞含有的粒子數(shù)目

晶體金剛石

NaClCsClZnSCaF2

-3

1WS2-]

[?F-

—CI'

晶體結(jié)構(gòu)<?ZFOW

0-.…廿

oM—y

?NaeOCT1B

4個(gè)Na+,1個(gè)Cs+,4個(gè)S2一,4個(gè)Ca2+,

粒子數(shù)目8個(gè)C

4個(gè)C廠1個(gè)cr4個(gè)Zn2+8個(gè)F一

晶體簡(jiǎn)單立方體心立方面心立方氮化硼干冰

L

—u

(?

—*■a

d

晶體結(jié)構(gòu)1Ia

1口13dii

粒子數(shù)目1個(gè)原子2個(gè)原子4個(gè)原子4個(gè)B,4個(gè)N4個(gè)CO2

技法10原子分?jǐn)?shù)坐標(biāo)參數(shù)的確定方法

1.原子分?jǐn)?shù)坐標(biāo)參數(shù)

(1)概念：以晶胞參數(shù)為單位長(zhǎng)度建立的坐標(biāo)系可以表示晶胞中各原子的位置，稱為原子分?jǐn)?shù)坐標(biāo)

(2)原子分?jǐn)?shù)坐標(biāo)的確定方法

①依據(jù)已知原了?的坐標(biāo)確定坐標(biāo)系取向

②一般以坐標(biāo)軸所在正方體的棱長(zhǎng)為1個(gè)單位

③從原子所在位置分別向心丁、z軸作垂線，所得坐標(biāo)軸上的截距即為該原子的分?jǐn)?shù)坐標(biāo)

(3)示例

粒子坐標(biāo)

若a原子為坐標(biāo)原點(diǎn)，晶胞邊長(zhǎng)的單位為1,則原子1.2.3.4

>111133313331

>.aa的坐標(biāo)分別為（4，4，4）、（4,4，4）、（4，4，4）、（4,4，4）

技法11計(jì)算晶體密度的思維方法

技法12計(jì)算晶體中粒子間距離的思維方法

誤區(qū)01關(guān)于原子結(jié)構(gòu)的認(rèn)識(shí)誤區(qū)

(1)原子不一定都有中子，如1H。

(2)質(zhì)子數(shù)相同的微粒不一定屬于同一種元素，如F與OH，

(3)核外電子數(shù)相同的微粒，其質(zhì)子數(shù)不一定相同，如AF+與Na”、F一等，NHI與OH一等。

(4)不同的核素可能具有相同的質(zhì)子數(shù)，如IH與汨；也可能具有相同的中子數(shù)，如用C與嬖O(shè)；也可能具有相

同的質(zhì)量數(shù)，如RC與1/N；也可能質(zhì)子數(shù)、中子數(shù)、質(zhì)量數(shù)均不相同，如IH與爍C。

(5)同位素的物理性質(zhì)不同，但化學(xué)性質(zhì)幾乎相同。

(6)不同核素之間的轉(zhuǎn)化屬于核反應(yīng)，不屬于化學(xué)反應(yīng)。

(7)在天然存在的各種元素中，無論是游離態(tài)還是化合態(tài)，各種核素所占的原子百分比一般是不變的。

(8)凡是單原子形成的離子，不一定具有稀有氣體元素原子的核外電子排布，如過渡元素的離子或H+。

(9)不存在兩種質(zhì)子數(shù)和電子數(shù)完全相同的陽(yáng)離子和陰離子。

(10)最外層為1個(gè)或2個(gè)電子的原子對(duì)應(yīng)元素不一定在IA族或HA族，如過渡元素。

(11)元素的最高化合價(jià)不一定等于最外層電子數(shù)，如氧元素最高價(jià)為+2,最外層卻是6個(gè)電子。

(12)最外層有5個(gè)電子的原子對(duì)應(yīng)的元素不一定是非金屬元素，如Sb、Bi最外層有5個(gè)電子卻是金屬元素。

(13)元素非金屬性強(qiáng)，對(duì)應(yīng)單質(zhì)的氧化性不一定強(qiáng)，

(14)規(guī)避金屬性和非金屬性判斷中的易錯(cuò)點(diǎn)：①關(guān)注關(guān)鍵詞“最高價(jià)”，根據(jù)元素氧化物對(duì)應(yīng)水化物的酸堿性

的張弱判斷元素非金屬性或金屬性的強(qiáng)弱時(shí)，必須是其最高價(jià)氧化物的水化物。②關(guān)注關(guān)鍵詞“難易”，判

斷元素非金屬性或金屬性的強(qiáng)弱，依據(jù)是元素原子在化學(xué)反應(yīng)中得失電子的難易而不是得失電子的多少。

誤區(qū)02關(guān)于元素周期律、元素周期表的認(rèn)識(shí)誤區(qū)

(1)誤認(rèn)為主族元素的最高正價(jià)一定等于族序數(shù)。但是，F(xiàn)無正價(jià)。

(2)誤認(rèn)為元素的非金屬性越強(qiáng)，其氧化物對(duì)應(yīng)水化物的酸性就越強(qiáng)。但是，HC10,H2s03是弱酸，忽略了

關(guān)鍵詞“最高價(jià)

(3)埃認(rèn)為同周期相鄰兩主族元素原子序數(shù)之差等于1。忽視了相差11(第4.5周期)和25(第6,7周期)。

(4)浜認(rèn)為失電子難的原子得電子的能力一定強(qiáng)。碳原子、稀有氣體元素的原子失電子難，得電子也難。

(5)誤認(rèn)為得失電子多的原子，得失電子的能力一定強(qiáng)。

(6)一吳認(rèn)為最高正價(jià)和最低負(fù)價(jià)絕對(duì)值相等的元素只有第IVA族的某些元素?。忽視了第【A族的H的最高正

價(jià)為+1價(jià)，最低負(fù)價(jià)為一1價(jià)。

誤區(qū)03分子結(jié)構(gòu)性質(zhì)認(rèn)識(shí)的易錯(cuò)易混點(diǎn)

(1)誤認(rèn)為分子的穩(wěn)定性與分子間作用力和氫鍵有關(guān)，其實(shí)分子的穩(wěn)定性與共價(jià)鍵的強(qiáng)弱有關(guān)。

(2)誤認(rèn)為組成相似的分子，中心原子的雜化類型相同，其實(shí)要看其。鍵和孤電子對(duì)數(shù)是否分別相同。如CO2

和SO2中心原子的雜化方式不同，CO2分子中C原子是sp雜化，S02分子中S原子是sp2雜化。

(3)誤認(rèn)為只要含有氫鍵物質(zhì)的熔、沸點(diǎn)就高，其實(shí)不一定，分子間的氫鍵會(huì)使物質(zhì)的熔、沸點(diǎn)升高，而分

子內(nèi)氫鍵一般會(huì)使物質(zhì)的熔、沸點(diǎn)降低。

(4)誤認(rèn)為只含有極性鍵的分子都一定是極性分子，其實(shí)不一定。如C02.BF3等是非極性分子。

(5)誤認(rèn)為雜化軌道構(gòu)型和分子構(gòu)型一致，其實(shí)不一定。如H20中氧原子是sp3雜化，雜化軌道構(gòu)型為四面

體，但由于分子中存在孤對(duì)電子，根據(jù)價(jià)層電子對(duì)互斥理論可知，H20的分子構(gòu)型是V形。

誤區(qū)04判斷物質(zhì)中化學(xué)鍵類型的常見易錯(cuò)問題

⑴誤認(rèn)為離子化合物中只有離子鍵，實(shí)際上可能還有共價(jià)鍵，如(NHSSO.NazO?等。

(2)誤認(rèn)為共價(jià)化合物中有共價(jià)鍵，也可能有離子鍵，如CH4c02.H2sO,等。

(3)誤認(rèn)為單質(zhì)中只有共價(jià)健，如金屬單質(zhì)中沒有共價(jià)鍵，稀有氣體中沒有化學(xué)鍵。

(4)浜認(rèn)為分子中一定都有化學(xué)鍵，如稀有氣體是單原子分子。

(5)誤認(rèn)為只有非金屬元素形成的化合物一定都是共價(jià)化合物，如NH4cl中存在離子鍵。

(6)誤認(rèn)為活潑金屬與活潑非金屬形成的化合物一定含離子鍵，如AlCh為共價(jià)化合物。

(7)誤認(rèn)為離子化合物熔融時(shí)可以導(dǎo)電，共價(jià)化合物熔融時(shí)也可能導(dǎo)電。

(8)誤認(rèn)為化學(xué)鍵被破壞的變化一定是化學(xué)變化。如HC1溶于水、NaQ熔化屬于物理變化。

誤區(qū)05離子晶體易錯(cuò)點(diǎn)

(1)離子晶體中無分子。如NaQ、CsCl只表示晶體中陰、陽(yáng)離子個(gè)數(shù)比，為化學(xué)式，不是分子式。

⑵離子晶體中一定有離子鍵，可能有共價(jià)鍵和氫鍵等，如KNQ,等晶體中既有離子鍵乂有共價(jià)鍵;

CUSO4-5H2O中除含有離子鍵外，還含有共價(jià)鍵和氫鍵。

(3)離子晶體不一定都含有金屬元素，如：NH4CkNH4NO3等鏤鹽。

(4)由金屬元素和非金屬元素組成的晶體不一定是離子晶體，如：A1CL是分子晶體。

(5)含金屬陽(yáng)離子的晶體不一定是離子晶體，也可能是金屬晶體；有陰離子的晶體中一定存在陽(yáng)離子。

(6)離子晶體中，每一個(gè)陰(陽(yáng))離子周圍排列的帶相反電荷離子的數(shù)目是固定的，不是任意的。

(7)溶于水能導(dǎo)電的不一定是離子晶體，如：HC1等；熔化后能導(dǎo)電的晶體不一定是離子晶體，如：金屬等。

誤區(qū)外晶胞計(jì)算易錯(cuò)提醒

(1)在使用均攤法計(jì)算晶胞中微粒個(gè)數(shù)時(shí)，要注意晶胞的形狀，不同形狀的晶胞，應(yīng)先分析任意位置上的一

個(gè)粒子被幾個(gè)晶胞所共有。如六棱柱晶胞中，頂點(diǎn)、側(cè)棱、底面上的棱、面心原子依次被6.3.4.2個(gè)晶

胞所共有。

(2)在計(jì)算晶胞中粒子個(gè)數(shù)的過程中，不是任何晶胞都可用均攤法。

(3)注意晶胞與團(tuán)簇分子的區(qū)別，前者可用均攤法計(jì)算，后者不能用均攤法計(jì)算，而是直接數(shù)原了?個(gè)數(shù)計(jì)算

分子式。

題型強(qiáng)化訓(xùn)練

題型oi原子、0子和晶體結(jié)構(gòu)與性質(zhì)的正誤判斷

1.(2026?四川成都二模)N2F2的一種制備方法是2NHF2+2KF=N2F2+2KHF2。下列有關(guān)說法正確的是()

A.NHFz的VSEPR模型為平而三角形B.N的雜化軌道中s成分：NHFzANzF?

C.熔點(diǎn)：KHF2<NHF2D.N2F2具有順反異構(gòu)

【答案】D

5—1—0x1

【解析】A項(xiàng)，NHFz中心N原子價(jià)層電子對(duì)數(shù)為3+^—廣=4,VSEPR模型為四面體形，A錯(cuò)誤;

B項(xiàng)，NHF2中N為sp3雜化，s成分占;；N2F2中N為sp2雜化，s成分占;，故s成分：NHF2<N2F2,B

錯(cuò)誤；C項(xiàng)，KHF2為離子晶體，KHF2為分子晶體，離子晶體熔點(diǎn)普遍高于分子晶體，故熔點(diǎn)：KHF2>NHF2,

C錯(cuò)誤：D項(xiàng)，用曰結(jié)構(gòu)為F-N=N-F,為平面形結(jié)構(gòu)，氮氮雙鍵不能自由旋轉(zhuǎn)，存在順式和反式結(jié)構(gòu)，具

有順反異構(gòu)，D正確；故選D。

2.(2026?浙江省強(qiáng)基聯(lián)盟高三二模)硝酸乙基鏤(C2H5NH3NO3)是人類發(fā)現(xiàn)的第一種常溫離子液體。卜.列

說法正確的是()

A.熱穩(wěn)定性：NH3>H2OB.堿性：NH?>C2H5NH2

C.電負(fù)性:z(C)>Z(H)D.熔點(diǎn)：C2H5NH3NO3>NH4NO3

【答案】C

【解析】A項(xiàng)，熱穩(wěn)定性：氧的非金屬性強(qiáng)于氮，因此H20比NH3更穩(wěn)定，故NH3>H?0錯(cuò)誤，A錯(cuò)

誤：B項(xiàng)，堿性：乙胺(C2H5NH2)中乙基的給電子效應(yīng)增強(qiáng)了氮原子的電了?密度，使其堿性比氨(NW)強(qiáng)，故

NH?>C2H5NH2錯(cuò)誤，B錯(cuò)誤;C項(xiàng),電負(fù)性:碳的電負(fù)性(約2.55)大于氫的電負(fù)性(約2.20),故為(C)>%(H)

正確，C正確；D項(xiàng)，熔點(diǎn)：硝酸乙基錢(C2H5NH3NO3)是常溫原子液體，熔點(diǎn)低(室溫卜為液態(tài))，而硝酸鏤

(NH4NO3)是固體，熔點(diǎn)較高，故C2H5NH3NO3>NH4NO3錯(cuò)誤,D錯(cuò)誤;故選C“

3.(2026?江蘇二模)Ca5(PO4)3OH預(yù)防踽齒的原理為CaKPO。30H(s)+F(aq)

Ca5(PO4)3F(s)+OH-(aq)o下列說法正確的是()

A.Ca原子的結(jié)構(gòu)示意圖為(+20)288B.基態(tài)F原子的價(jià)電子排布式為2s22P5

c.OH-的電子式為：6：HD.PO4笳的空間構(gòu)型是三角錐形

??

【答案】B

【解析】A項(xiàng)，Ca原子的結(jié)溝示意圖為6百2。、2882,選項(xiàng)中為鈣離子的結(jié)構(gòu)示意圖，故A錯(cuò)誤；B

5))

項(xiàng)，F(xiàn)是第9號(hào)元素，核外電子排布式為1/2$22P5,所以基態(tài)F原子的價(jià)電子排布式為2s22P5,故B正確；

C項(xiàng),OH-的電子式為［：O：H「，故C錯(cuò)誤;D項(xiàng),PO產(chǎn)中心p原子鍵數(shù)為4,孤電子對(duì)數(shù)為二三二二0,

即中心P原子價(jià)層電子對(duì)數(shù)為4+0=4,無孤電子對(duì)?，因此空間構(gòu)型為正四面體形，故D錯(cuò)誤；故選B。

4.(2026?四川成都二模)某些特殊配體與金屬可形成結(jié)構(gòu)規(guī)整的超分子化合物。現(xiàn)有一種由金屬Pt、鄰

二氮菲以及配體，、所組成的多核配離子，其結(jié)構(gòu)示意圖如下。下列有關(guān)說法錯(cuò)誤的是()

A.—VO分子中所有原子共平面B.多核配離子中Pt的化合價(jià)均為+2價(jià)

\=NN）

C.多核配離子中Pt的配位數(shù)為6D.4個(gè)配體人的空間取向各不相同

【答案】D

【解析】A項(xiàng)，分子中形成大7T共枕體系，所有原子共平面，A正確；B.設(shè)Pl的化合

\=NN）

價(jià)為x,配體人為中性，鄰二氮菲為中性雙齒配體。多核配離子電荷為+12,共6個(gè)Pl,根據(jù)配離子總電

荷等于中心離子總電荷與配體總電荷的代數(shù)和，可得關(guān)系式：6x=+12,解得x=+2,說明配離子中Pl均為+

2價(jià)，B正確；C項(xiàng)，從題圖結(jié)構(gòu)可知，每個(gè)Pt原子與2個(gè)中性雙齒配體鄰二氮菲（每個(gè)提供2個(gè)配位N

原子）和來自兩個(gè)不同配體的兩個(gè)N?原子相連，配位數(shù)為直接與Pt中心相連的配位原子總數(shù)，即2x2+2xl=6,

因此多核配離子中Pt的配位數(shù)為6,C正確：D項(xiàng)，配體，、為對(duì)稱三齒結(jié)構(gòu)，在八面體多核骨架中，4個(gè)

配體人的空間取向受對(duì)稱性約束，并非“各不相同”，存在對(duì)稱等價(jià)的取向，D錯(cuò)誤；故選D。

5.（2026?云南一模）銅離子具有很強(qiáng)的配位能力，其形成的配合物具有良好的催化性能。一種銅離子的

配合物M的結(jié)構(gòu)如圖所示，下列說法錯(cuò)誤的是（）

A.基態(tài)Cu?+的未成對(duì)電子數(shù)為1

B.配合物M中，CiP+的配位數(shù)為4

C.形成配合物M的配體均能與鹽酸反應(yīng)

八H入NH

D.可與水形成分子間氫鍵，易溶于水

【答案】D

【解析】A項(xiàng)，Cu是29號(hào)元素，基態(tài)Cu原子核外電子排布為次巾小詠1失去2個(gè)電子形成CM+后,

電子排布變?yōu)閇Ar]3d%3d軌道共5個(gè)軌道，填充9個(gè)電子后，僅存在1個(gè)未成對(duì)電子，A正確；B項(xiàng)，由

結(jié)構(gòu)圖可知，圖中虛線為配位鍵，中心Cu?，周圍共有4個(gè)配位鍵，則CM+的配位數(shù)為4,B正確；C項(xiàng)，該

配合物的兩種配體都含氨基，均呈堿性，都可以與鹽酸中的H-發(fā)生反應(yīng)，C正確；D項(xiàng)，該結(jié)構(gòu)含有氨基,

可以和水分子形成分子間氫鍵，但x的值未知，其水溶性未知，D錯(cuò)誤；故選D。

題型02“位一構(gòu)一性”的元素綜合推斷

6.(2026?浙江省強(qiáng)基聯(lián)盟高三聯(lián)考一模)W、X、Y、Z為四種短周期非金屬元素，W原子中電子排布

已充滿的能級(jí)數(shù)與最高能級(jí)中的電子數(shù)相等，X與W同族，Y與X相鄰且Y原子比X原子多一個(gè)未成對(duì)

電子，Z位于W的對(duì)角線位置。下列說法不正確的是()

A.原子半徑：Z<WB.電負(fù)性：W<X

C.第二電離能：X<YD.最簡(jiǎn)單氫化物的穩(wěn)定性：Y<Z

【答案】C

【解析】W、X、Y、Z為四種短周期非金屬元素，W原子中電子排布已充滿的能級(jí)數(shù)與最高能級(jí)中的

電子數(shù)相等，電子排布式為Is22s22P63s23pJ,已充滿的能級(jí)數(shù)為Is、2s、2p、3s,共4個(gè)，最高能級(jí)3P電

子數(shù)為4,則W為S：X與W同族，則為O：Y與X相鄰且Y原子比X原子多一個(gè)未成對(duì)電子，O有2

個(gè)未成對(duì)電子，Y為N有3個(gè)未成對(duì)電子；Z位于W的對(duì)角線位置，則Z為F元素。A項(xiàng)，Z為F元素、

W為S元索，原子半徑：F(Z)位亍第二周期，S(W)位于第三周期，原子半徑S>F,A正確；B項(xiàng)，X為O

元素、W為S元素，同主族元素從上到下電負(fù)性減小，O(X)的電負(fù)性大于S(W),B正確；C項(xiàng)，X為O、

Y為N,第二電離能取決于0+的電子排布結(jié)構(gòu)2P，與N+的電子排布結(jié)構(gòu)2P二，由于O+的電子排布結(jié)構(gòu)2P3

為半充滿穩(wěn)定狀態(tài)，失去1個(gè)電子需要的能量更高，N+的電子排布結(jié)構(gòu)2P2失去第二個(gè)電子相對(duì)容易，因此

X(O)的第二電離能大于Y(N),C錯(cuò)誤；D項(xiàng)，Y、Z的最簡(jiǎn)單紜化物分別為NH3、HF,N-H鍵比H-F鍵的

鍵能小，穩(wěn)定性差，即HF(Z)的穩(wěn)定性強(qiáng)于NHKY),D正確；故選C。

7.(2026?河北保定一模)一種由短周期元素組成的化合物常用于醫(yī)藥與農(nóng)藥研發(fā)，其結(jié)構(gòu)如圖所示。其

中X、Y、Z、W、Q的原子序數(shù)依次增大，X、Y和Z同周期，Y和W同主族。下列有關(guān)說法正確的是()

YY

WXZ3

/\/

Q3XY

A.最簡(jiǎn)單氫化物的穩(wěn)定性：Y>Z

B.XY2、WY2都是由極性共價(jià)鍵形成的極性分子

C.X、W、Q的最高價(jià)氧化物對(duì)應(yīng)的水化物酸性依次增強(qiáng)

D.第一電離能：Z>W>Q

【答案】C

【解析】由題目所給的已知條件結(jié)合結(jié)構(gòu)式可以得出，Q、Z形成1個(gè)單鍵，Y形成2個(gè)共價(jià)鍵，W形

成6個(gè)共價(jià)鍵。根據(jù)Y和W同主族，且W的原子序數(shù)大于Y,結(jié)合成鍵特點(diǎn)，Y應(yīng)為氧（0）,W應(yīng)為硫（S）；

根據(jù)X、Y、Z同周期，且Y為O,可知X、Z均在第二周期。X在第二周期，形成4個(gè)單鍵，應(yīng)為碳（C）；

Z在第二周期，原子序數(shù)大于0,形成1個(gè)單鍵，應(yīng)為氟（F）：Q的原子序數(shù)大于W且屬于短周期元素，根

據(jù)其成鍵特點(diǎn)，Q為氯（。）。最終確定元素：X=C,Y=O,Z=F,W=S,Q=CloA項(xiàng)，非金屬性越強(qiáng)，

最簡(jiǎn)單氣態(tài)氧化物的穩(wěn)定性越強(qiáng)，同周期非金屬性隨著原子序數(shù)增大逐漸增強(qiáng)，故HFAHQ,A錯(cuò)誤；B

項(xiàng)，XYz、WY?應(yīng)為CO?和SO2,CO?分子是直線形（0=00）,結(jié)構(gòu)對(duì)稱，正負(fù)電荷中心重合，屬于非極性

分子，B錯(cuò)誤；C項(xiàng)，X、W、Q分別為C、S、C1,非金屬性Q>S>C,非金屬性越強(qiáng)其最高價(jià)氧化物對(duì)應(yīng)

的水化物酸性越強(qiáng)，C正確：D項(xiàng)，第一電離能的規(guī)律：同主族從上到下減小，同周期從左到右增大（有反

常）,比較F、S、Cl,I1（F）>I,（C/）>I,（S）,即Z>Q>W,D錯(cuò)誤；故選C。

8.（2026?河南周口一模）某化合物常用作高效土壤熏蒸消毒劑，其結(jié)構(gòu)如圖所示，其中短周期主族元素

W、X、Y、Z、M的原子序數(shù)依次增大，M的基態(tài)原子的電子層數(shù)等于其最高能級(jí)原子軌道數(shù)。卜列說法

正確的是（）

WM

7+III

w—X—y—x—M

.WW.

A.該物質(zhì)中X、Y均采取sp2雜化

B.元素電負(fù)性：Y>M>W

C.基態(tài)原子未成對(duì)電子數(shù)：Y>X>>M>W

D.簡(jiǎn)單離子半徑：M>Z>Y

【答案】B

【解析】W、X、Y、Z、M為短周期原子序數(shù)增大的元素，Z易形成帶一個(gè)單位正電荷的陽(yáng)離子，則Z

為Na；M可形成二根鍵，M為S；W成一根鍵，X成四根犍，Y成三根鍵，則W、X、Y分別為H、C、

NoA項(xiàng)，該物質(zhì)中左邊C原子的價(jià)層電子對(duì)數(shù)為4,為sp3雜化，右邊C的價(jià)層電子對(duì)數(shù)為3,采取sp'

雜化，N原子價(jià)層電子對(duì)數(shù)為4,采取sp3雜化，A錯(cuò)誤；B項(xiàng)，W、Y、M分別為H、N、S,N原子半徑

更小，電負(fù)性強(qiáng)于S,NH3和H2s中H顯正價(jià)，H元素電負(fù)性較小，綜上電負(fù)性Y>M>W,B正確：C項(xiàng)，

基態(tài)H原子未成對(duì)電子數(shù)為1,基態(tài)C、S原子未成對(duì)電子數(shù)均為2,基態(tài)N原子未成對(duì)電子數(shù)為3,則基

態(tài)原子未成對(duì)電子數(shù)的大小關(guān)系為N>C=S>H,C錯(cuò)誤；D項(xiàng)，S2-電子層數(shù)最多，半徑最大，Na+和N3?電

子層數(shù)相等，質(zhì)子數(shù)越多，半徑越小，所以Na+VN',綜上，簡(jiǎn)單離子半徑Na+VN'VS'D錯(cuò)誤：故選B。

9.（2026海南二模）化合物Qi|X、Y、Z、M四種短周期主族元素組成，結(jié)構(gòu)如圖所示，X?-有10個(gè)電

子，基態(tài)Y原子的2P軌道只有一個(gè)未成對(duì)電子