GB/T 12963-2022電子級多晶硅

ICS29045

CCSH.82

中華人民共和國國家標準

GB/T12963—2022

代替GB/T12963—2014

電子級多晶硅

Electronic-gradepolycrystallinesilicon

2022-12-30發布2023-07-01實施

國家市場監督管理總局發布

國家標準化管理委員會

GB/T12963—2022

前言

本文件按照標準化工作導則第部分標準化文件的結構和起草規則的規定

GB/T1.1—2020《1:》

起草

。

本文件代替電子級多晶硅與相比除結構調整和編輯

GB/T12963—2014《》,GB/T12963—2014,

性改動外主要技術變化如下

,:

更改了適用范圍見第章年版的第章

a)(1,20141);

更改了牌號要求見年版的

b)(4.1,20144.1.1);

更改了產品等級見年版的

c)(4.2,20144.1.2);

更改了不同等級電子級多晶硅的技術指標見年版的

d)(5.1,20144.2);

更改了結構要求見年版的

e)(5.3,20144.4);

更改了試驗方法的內容見第章年版的第章

f)(6,20145);

更改了檢驗項目的要求見年版的

g)(7.3,20146.3);

更改了取樣及制樣的內容見年版的

h)(7.4.1,20146.4.1);

更改了氧含量的檢驗結果判定見年版的

i)(7.5.2,20146.5.1);

更改了標志的內容見年版的

j)(8.1,20147.1);

更改了隨行文件的內容見年版的

k)(8.5,20147.5)。

請注意本文件的某些內容可能涉及專利本文件的發布機構不承擔識別專利的責任

。。

本文件由全國半導體設備和材料標準化技術委員會與全國半導體設備和材料標準

(SAC/TC203)

化技術委員會材料分技術委員會共同提出并歸口

(SAC/TC203/SC2)。

本文件起草單位江蘇鑫華半導體科技股份有限公司有色金屬技術經濟研究院有限責任公司青

:、、

海黃河上游水電開發有限責任公司新能源分公司江蘇中能硅業科技發展有限公司有研半導體硅材料

、、

股份公司麥斯克電子材料股份有限公司亞洲硅業青海股份有限公司陜西有色天宏瑞科硅材料有

、、()、

限責任公司新特能源股份有限公司四川永祥新能源有限公司上海賽夫特半導體材料有限公司宜昌

、、、、

南玻硅材料有限公司浙江海納半導體股份有限公司洛陽中硅高科技有限公司東方電氣樂山峨半

、、、()

高純材料有限公司

。

本文件主要起草人田新蔣文武趙培芝萬首正李素青秦榕王彬孫燕賀東江陳衛群宗冰

:、、、、、、、、、、、

徐巖邱艷梅李斌劉曉霞張遵付緒光董先君潘金平張園園雷聰

、、、、、、、、、。

本文件于年首次發布年第一次修訂年第二次修訂年第三次修訂本次為

1991,1996,2009,2014,

第四次修訂

。

Ⅰ

GB/T12963—2022

電子級多晶硅

1范圍

本文件規定了電子級多晶硅的牌號和類別技術要求試驗方法檢驗規則標志包裝運輸貯存

、、、、、、、、

隨行文件和訂貨單內容

。

本文件適用于以氯硅烷硅烷制得的電子級多晶硅以下簡稱多晶硅

、(“”)。

2規范性引用文件

下列文件中的內容通過文中的規范性引用而構成本文件必不可少的條款其中注日期的引用文

。,

件僅該日期對應的版本適用于本文件不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于

,;,()

本文件

。

非本征半導體材料導電類型測試方法

GB/T1550

硅單晶電阻率的測定直排四探針法和直流兩探針法

GB/T1551

硅和鍺體內少數載流子壽命測定光電導衰減法

GB/T1553

硅晶體中間隙氧含量的紅外吸收測量方法

GB/T1557

硅中代位碳原子含量紅外吸收測量方法

GB/T1558

硅多晶氣氛區熔基磷檢驗方法

GB/T4059

硅多晶真空區熔基硼檢驗方法

GB/T4060

硅多晶斷面夾層化學腐蝕檢驗方法

GB/T4061

半導體材料術語

GB/T14264

半導體材料牌號表示方法

GB/T14844

硅單晶中族雜質的光致發光測試方法

GB/T24574Ⅲ-V

硅單晶中族雜質含量的測定低溫傅立葉變換紅外光譜法

GB/T24581Ⅲ、V

酸浸取電感耦合等離子質譜儀測定多晶硅表面金屬雜質

GB/T24582-

用區熔拉晶法和光譜分析法評價多晶硅棒的規程

GB/T29057

硅單晶中碳氧含量的測定