YS/T 679-2008非本征半導體中少數載流子擴散長度的穩態表面光電壓測試方法

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犎８０

中華人民共和國有色金屬行業標準

犢犛／犜６７９—２００８

非本征半導體中少數載流子擴散長度的

穩態表面光電壓測試方法

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２００８０３１２發布２００８０９０１實施

國家發展和改革委員會發布

書

中華人民共和國有色金屬

行業標準

非本征半導體中少數載流子擴散長度的

穩態表面光電壓測試方法

ＹＳ／Ｔ６７９—２００８

中國標準出版社出版發行

北京復興門外三里河北街１６號

郵政編碼：１０００４５

網址ｗｗｗ．ｓｐｃ．ｎｅｔ．ｃｎ

電話：６８５２３９４６６８５１７５４８

中國標準出版社秦皇島印刷廠印刷

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開本８８０×１２３０１／１６印張１字數２４千字

２００８年５月第一版２００８年５月第一次印刷

書號：１５５０６６·２１８６５９

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版權專有侵權必究

舉報電話：（０１０）６８５３３５３３

書

犢犛／犜６７９—２００８

前言

本標準修改采用ＳＥＭＩＭＦ３９１１１０６《非本征半導體中少數載流子擴散長度的穩態表面光電壓測

試方法》。

本標準與ＳＥＭＩＭＦ３９１１１０６相比主要有如下變化：

———標準格式按ＧＢ／Ｔ１．１要求編排；

———將ＳＥＭＩＭＦ３９１１１０６中的部分注轉換為正文；

———將ＳＥＭＩＭＦ３９１１１０６中部分內容進行了編排。

本標準由全國有色金屬標準化技術委員會提出并歸口。

本標準由有研半導體材料股份有限公司負責起草。

本標準主要起草人：孫燕、盧立延、杜娟、李俊峰、翟富義。

Ⅰ

書

犢犛／犜６７９—２００８

非本征半導體中少數載流子擴散長度的

穩態表面光電壓測試方法

１范圍

１．１本標準適用于非本征單晶半導體材料樣品或相同導電類型重摻襯底上沉積已知電阻率的同質外

延層中的少數載流子擴散長度的測量。要求樣品或外延層厚度大于４倍的擴散長度。

１．２本標準是為單晶硅樣品的應用而開發的，可用于測量其他半導體，如砷化鎵（同時調整相應的光照

波長（能量）范圍和樣品的制備工藝）上的有效擴散長度和評價晶粒間界垂直于表面的多晶硅樣品上有

效擴散長度。本標準也可用于硅片的潔凈區的寬度測定。

１．３本標準對樣品的電阻率和壽命的應用極限尚未確定，但已經成功的對電阻率（０．１～５０）Ω·ｃｍ、載

流子壽命短至２ｎｓ的ｐ和ｎ型硅樣品進行了測量。本標準測量的擴散長度僅在室溫２２℃±０．５℃下進

行，壽命和擴散長度是溫度的函數。

注：本標準不涉及安全問題，即使有也與標準的使用相聯系。標準使用前，建立合適的安全和保障措施以及制定管

理界限的應用范圍是標準使用者的責任。

２規范性引用文件

下列文件中的條款通過本標準的引用而成為本標準的條款。凡是注日期的引用文件，其隨后所有

的修改單（不包括勘誤的內容）或修訂版均不適用于本標準，然而，鼓勵根據本標準達成協議的各方研究

是否可使用這些文件的最新版本。凡是不注日期的引用文件，其最新版本適用于本標準。

ＧＢ／Ｔ１５５２硅、鍺單晶電阻率測定直排四探針法

ＧＢ／Ｔ１５５３硅和鍺體內少數載流子壽命測定光電導衰減法

ＧＢ／Ｔ６６１６半導體硅片電阻率及硅薄膜薄層電阻測定非接觸渦流法

ＧＢ／Ｔ６６１８硅片厚度和總厚度變化測試方法

ＧＢ／Ｔ１１４４６．１電子級水

ＧＢ／Ｔ１４２６４半導體材料術語

ＧＢ／Ｔ１４８４７重摻襯底上輕摻雜硅外延層厚度的紅外反射測量方法

３方法概述

本標準建立在作為入射光能量（波長）函數的表面光電壓測量的基礎上。

本標準描述了兩種