標準解讀
《GB/Z 32494-2016 表面化學分析 俄歇電子能譜 化學信息的解析》是一項指導性技術文件,旨在為使用俄歇電子能譜(AES)進行表面化學分析時提供化學信息解析的方法和技術指南。該標準詳細介紹了如何通過AES技術獲取樣品表面元素組成、化學狀態等信息,并對這些信息進行準確解讀。
首先,標準概述了俄歇電子能譜的基本原理及其在材料科學、半導體工業等領域中的應用背景,強調了正確理解和解釋實驗數據的重要性。接著,它提供了關于實驗條件設置、數據采集過程以及后續處理步驟的具體建議,包括但不限于選擇合適的激發源、設定適當的能量分辨率和掃描范圍等,以確保獲得高質量的數據。
此外,《GB/Z 32494-2016》還深入探討了從原始AES光譜中提取有用化學信息的方法,比如如何識別特定元素的存在形式、評估其濃度分布情況等。對于復雜體系或存在多種化學態的情況,標準建議采用理論模擬與實驗結果相結合的方式來進行更精確的分析。同時,也提到了利用其他互補技術如X射線光電子能譜(XPS)來輔助AES數據分析的可能性。
最后,文檔內含有關于報告撰寫格式及內容要求的部分,強調了清晰、準確地呈現研究發現的重要性。通過遵循本標準提供的指導原則,研究人員能夠更加有效地利用俄歇電子能譜技術開展相關科學研究工作。
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....
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- 現行
- 正在執行有效
- 2016-02-24 頒布
- 2017-01-01 實施
文檔簡介
ICS7104040
G04..
中華人民共和國國家標準化指導性技術文件
GB/Z32494—2016/ISO/TR183942006
:
表面化學分析俄歇電子能譜
化學信息的解析
Surfacechemicalanalysis—Augerelectron
spectroscopy—Derivationofchemicalinformation
(ISO/TR18394:2006,IDT)
2016-02-24發布2017-01-01實施
中華人民共和國國家質量監督檢驗檢疫總局發布
中國國家標準化管理委員會
GB/Z32494—2016/ISO/TR183942006
:
目次
前言
…………………………Ⅲ
引言
…………………………Ⅳ
范圍
1………………………1
規范性引用文件
2…………………………1
術語和定義
3………………1
縮略語
4……………………1
俄歇電子能譜中化學效應和固態效應的類型
5…………1
芯能級俄歇電子躍遷引起的化學效應
6…………………2
引言
6.1…………………2
俄歇電子能量的化學位移
6.2…………2
俄歇參數的化學位移
6.3………………3
化學態圖
6.4……………4
俄歇電子能量和俄歇參數的化學位移數據庫
6.5……………………5
俄歇電子衛星結構的化學效應
6.6……………………5
俄歇線相對強度和線形變化的化學效應
6.7CCC……………………6
俄歇電子能譜中非彈性區域的化學效應
6.8CCC……………………6
芯能級俄歇電子躍遷引起的化學效應
7…………………7
引言
7.1…………………7
化學態有關的和俄歇譜的線形
7.2CCVCVV………7
分析和俄歇譜線形獲取局域電子結構的信息
7.3CCVCVV……10
參考文獻
……………………11
Ⅰ
GB/Z32494—2016/ISO/TR183942006
:
前言
本指導性技術文件按照給出的規則起草
GB/T1.1—2009。
本指導性技術文件使用翻譯法等同采用表面化學分析俄歇電子能譜化
ISO/TR18394:2006《
學信息的解析
》。
本指導性技術文件由全國微束分析標準化技術委員會提出并歸口
(SAC/TC38)。
本指導性技術文件負責起草單位中國科學院上海硅酸鹽研究所
:。
本指導性技術文件主要起草人卓尚軍申如香虞玲劉芬沈電洪丁訓民
:、、、、、。
Ⅲ
GB/Z32494—2016/ISO/TR183942006
:
引言
本指導性技術文件提供了識別射線或者電子激發俄歇能譜的化學效應以及把它們用于化學表
X
征的方法準則
。
俄歇電子能譜含有表面或者界面元素組成的信息也含有芯能級具有初始空位的原子周圍區域的
,
信息[1-5]由于原子周圍環境的改變而引起俄歇電子能譜的變化被稱之為化學或者固態效應對化
。()。
學效應的認識對俄歇電子能譜的正確定量分析非常重要對識別表面化學組分以及表面和界面層中原
,
子組成的化學態也非常有幫助
。
Ⅳ
GB/Z32494—2016/ISO/TR183942006
:
表面化學分析俄歇電子能譜
化學信息的解析
1范圍
本指導性技術文件規定了識別射線或者電子激發的俄歇譜中的化學效應以及把它們用于化學
X
表征的方法準則
。
2規范性引用文件
下列文件對于本文件的應用是必不可少的凡是注日期的引用文件僅注日期的版本適用于本文
。,
件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于本文件
。,()。
表面化學分析詞匯
GB/T22461—2008(ISO18115:2001,IDT)
3術語和定義
界定的術語和定義適用于本文件
ISO18115。
4縮略語
芯能級芯能級芯能級俄歇電子躍遷
CCC--()
芯層芯層價層俄歇電子躍遷
CCV--()
躍遷
CKCoster-Kronig(Coster-Kronig)
立方氮化硼
c-BN
芯層價帶層價帶層俄歇電子躍遷
CVV--()
六方氮化硼
h-BN
反射電子能量損失譜
REELS
5俄歇電子能譜中化學效應和固態效應的類型
在俄歇電子能譜圖中能觀察到許多類型的化學或固態效應[1-5]一個內殼層發生電離后的原子
,。,
由于它周圍環境的變化會導致所發射的俄歇電子的動能產生位移在射線激發的俄歇電子能譜中
。X
也能檢測到俄歇參數即俄歇電子發射過程中俄歇峰與所對應的芯能級光電子峰之間的動能差的能量
()
位移俄歇線形相對強度和衛星結構由原子內部激發過程誘導形成會受到化學效應的較大影響與
。、(),
本征峰相伴的能量損失區域的結構由原子外部電子散射過程誘導形成也會受到這種影響俄歇譜形
()。
上較強的化學效應提供了用指紋識別的方式來鑒別化學形態的途徑
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