GB/T 29195-2012地面用晶體硅太陽電池總規(guī)范

ICS27160

K83.

中華人民共和國國家標(biāo)準(zhǔn)

GB/T29195—2012

地面用晶體硅太陽電池總規(guī)范

Generalspecificationofcrystallinesiliconterrestrialsolarcells

2012-12-31發(fā)布2013-06-01實(shí)施

中華人民共和國國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫總局發(fā)布

中國國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會

GB/T29195—2012

前言

本標(biāo)準(zhǔn)按照給出的規(guī)則起草

GB/T1.1—2009。

請注意本文件的某些內(nèi)容可能涉及專利本文件的發(fā)布機(jī)構(gòu)不承擔(dān)識別這些專利的責(zé)任

。。

本標(biāo)準(zhǔn)由全國太陽光伏能源系統(tǒng)標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會提出并歸口

(SAC/TC90)。

本標(biāo)準(zhǔn)起草單位無錫尚德太陽能電力有限公司

:。

本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人李華陳如龍汪義川梁哲楊林張光春施正榮

:、、、、、、。

Ⅰ

GB/T29195—2012

地面用晶體硅太陽電池總規(guī)范

1范圍

本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了地面用晶體硅太陽電池的技術(shù)要求試驗(yàn)方法檢驗(yàn)規(guī)則標(biāo)志包裝儲存和運(yùn)輸

、、、、、。

本標(biāo)準(zhǔn)適用于地面用單晶硅太陽電池和地面用多晶硅太陽電池以下簡稱電池

()。

2規(guī)范性引用文件

下列文件對于本文件的應(yīng)用是必不可少的凡是注日期的引用文件僅注日期的版本適用于本文

。,

件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于本文件

。,()。

包裝儲運(yùn)圖示標(biāo)志

GB/T191(GB/T191—2008,ISO780:1997,MOD)

計(jì)數(shù)抽樣檢驗(yàn)程序第部分按接收質(zhì)量限檢索的逐批檢驗(yàn)抽樣

GB/T2828.1—20031:(AQL)

計(jì)劃

(ISO2859-1:1999,IDT)

周期檢驗(yàn)計(jì)數(shù)抽樣程序及表適用于對過程穩(wěn)定性的檢驗(yàn)

GB/T2829()

光伏器件第部分光伏電流電壓特性的測量

GB/T6495.1—19961:-(idtIEC60904-1:1987)

光伏器件第部分地面用光伏器件的測量原理及標(biāo)準(zhǔn)光譜輻照度數(shù)據(jù)

GB/T6495.3—19963:

(idtIEC60904-3:1989)

硅片厚度和總厚度變化測試方法

GB/T6618

微電子技術(shù)用貴金屬漿料測試方法可焊性耐焊性測定

GB/T17473.7—2008、

晶體硅光伏器件的實(shí)測特性的溫度和輻照度修正方法

IEC60891Ⅰ-Ⅴ(Photovoltaicdevices

ProceduresfortemperatureandirradiancecorrectionstomeasuredⅠ-Ⅴcharacteristics)

膠帶試驗(yàn)測定粘合性的方法

ASTMD3359(Standardtestmethodsformeasuringadhesionby

tapetest)

太陽電池用硅片規(guī)范

SEMIPV22(Specificationforsiliconwafersforuseinphotovoltaicsolar

cells)

3術(shù)語和定義

下列術(shù)語和定義適用于本文件

。

31

.

鈍形缺口obtusenick

缺口形狀呈現(xiàn)為沿邊緣平緩過渡并不向中心深入的狀態(tài)

,。

32

.

V形缺口V-typenick

缺口形狀呈現(xiàn)為向中心尖銳深入的形狀類似字母

,“V”。

33

.

基體材料s