標準解讀
《GB/T 20726-2015 微束分析 電子探針顯微分析X射線能譜儀主要性能參數(shù)及核查方法》與《GB/T 20726-2006 半導體探測器X射線能譜儀通則》相比,主要存在以下幾方面的差異和更新:
-
適用范圍擴展:2015版標準不僅針對半導體探測器X射線能譜儀,更聚焦于電子探針顯微分析(EPMA)中的X射線能譜儀,覆蓋了更專門的儀器類型和應用領域。這表明新標準在原有基礎上,對微束分析技術(shù)進行了更深入和細致的規(guī)定。
-
性能參數(shù)細化:新標準詳細列出了電子探針顯微分析X射線能譜儀的主要性能參數(shù),包括但不限于分辨率、精度、穩(wěn)定性等,并明確了這些參數(shù)的測量和評估方法。相比2006版的通則性描述,2015版提供了更為具體的技術(shù)指標和測試要求。
-
核查方法的標準化:2015版標準引入了詳細的核查方法,指導用戶如何定期檢查和驗證儀器的關鍵性能,確保其長期穩(wěn)定性和準確性。這為實驗室的質(zhì)量控制和校準工作提供了實操指導,增強了結(jié)果的可比性和可靠性。
-
技術(shù)進步的反映:鑒于2006年至2015年間X射線能譜技術(shù)和電子探針顯微分析技術(shù)的進步,新標準融入了最新的科研成果和技術(shù)發(fā)展,如對更高效的數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)、更高級的信號處理算法的考量,以及對新型探測器特性的描述等。
-
國際接軌:2015版標準在制定過程中參考了更多的國際標準和先進國家的規(guī)范,旨在提升國內(nèi)標準與國際水平的一致性,促進技術(shù)交流和國際貿(mào)易。
-
安全與環(huán)境要求:雖然未直接提及具體內(nèi)容,但隨著科技發(fā)展,新標準可能也加強了對操作安全、輻射防護以及環(huán)境保護方面的要求,體現(xiàn)了對實驗人員健康和環(huán)境保護的重視。
如需獲取更多詳盡信息,請直接參考下方經(jīng)官方授權(quán)發(fā)布的權(quán)威標準文檔。
....
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文檔簡介
ICS7104099
G04..
中華人民共和國國家標準
GB/T20726—2015/ISO156322012
代替:
GB/T20726—2006
微束分析電子探針顯微分析X射線
能譜儀主要性能參數(shù)及核查方法
Microbeamanalysis—Selectedinstrumentalperformanceparametersforthe
specificationandcheckingofenergydispersiveX-rayspectrometers
foruseinelectronprobemicroanalysis
(ISO15632:2012,IDT)
2015-10-09發(fā)布2016-09-01實施
中華人民共和國國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗檢疫總局發(fā)布
中國國家標準化管理委員會
GB/T20726—2015/ISO156322012
:
前言
本標準按照給出的規(guī)則起草
GB/T1.1—2009。
本標準代替半導體探測器射線能譜儀通則
GB/T20726—2006《X》。
本標準與相比主要變化如下
GB/T20726—2006,:
中文名稱修改為微束分析電子探針顯微分析射線能譜儀主要性能參數(shù)及核查方法
———:X;
增加了部分術(shù)語和定義見
———(3.2、3.2.1、3.2.2、3.3~3.5、3.12、3.13);
修改了部分術(shù)語和定義見年版
———(3.8~3.11,20062.4~2.7);
刪除了儀器本底的術(shù)語和定義見年版
———(20062.8);
增加了第五章其他性能參數(shù)的核查見第章
———:“”(5);
增加有助于理解本標準的必要的參考文獻見參考文獻
———()。
與本標準中規(guī)范性引用的國際文件有一致性對應關系的我國文件如下
:
微束分析電子探針顯微分析術(shù)語
———GB/T21636—2008(EPMA)(ISO23833:2006,
IDT)。
本標準由全國微束分析標準化技術(shù)委員會提出并歸口
(SAC/TC38)。
本標準主要起草單位中國科學院地質(zhì)與地球物理研究所
:。
本標準主要起草人曾榮樹徐文東毛騫馬玉光
:、、、。
本標準于年月日首次發(fā)布本次為第一次修訂
200781,。
Ⅰ
GB/T20726—2015/ISO156322012
:
引言
近年來通過改進探測器的探頭晶體和射線入射窗口新材料的制備工藝以及應用先進的脈沖處
,X
理技術(shù)在射線能譜儀技術(shù)上取得的進展增強了能譜儀的總體性能特別是在高計數(shù)率和低
,X(EDS),
能量低于區(qū)域由于原來的標準未包含硅漂移探測器技術(shù)需要進行修訂即使在相
(1keV)。(SDD),。
當高的計數(shù)率條件下硅漂移探測器性能也可與探測器相媲美更大的有效探測面積也使其具有
,Si-Li,
高計數(shù)率下測量能力該標準更新了評價此類現(xiàn)代探測器的性能參數(shù)
。。
能譜儀的特性以往通常用高能狀態(tài)下能量的分辨率來表示定義為譜峰半高寬
,Mn-Kα(FWHM)。
為了表示在低能量范圍的特性生產(chǎn)廠家通常給出碳或氟峰的半高寬或者零峰的半高寬一些生產(chǎn)
,K。
商也用峰背比標示即用55譜線中峰與基線的比值或硼譜線中峰與谷的比值來確定同一個量時常
,Fe,
有不同的定義相對于高能量區(qū)而言能譜儀在低能端的靈敏度很大程度上取決于探測晶體和射線
。,X
入射窗口的設計但是生產(chǎn)商通常不標示譜儀性能對能量的依賴關系而低能端的高靈敏度對于分析
。,
輕元素組分非常重要
。
為滿足全球范圍內(nèi)制定射線能譜儀規(guī)范的最低要求本標準進行了修訂能譜法是分析
X(EDS),。
固體和薄膜化學成分最常用的方法之一依據(jù)本標準規(guī)定的同一參數(shù)可對不同設計的能譜儀性能進
。,
行比較也有助于針對特定的任務選擇適用的能譜儀另外本標準也便于對不同實驗室的儀器標準與
,。,
分析結(jié)果進行比對依照規(guī)定[1]這些實驗室應按規(guī)定的程序定期核查儀器的校準狀
。ISO/IEC17025,
態(tài)本標準可作為所有相關測試實驗室制定相似操作程序的指南
。。
Ⅱ
GB/T20726—2015/ISO156322012
:
微束分析電子探針顯微分析X射線
能譜儀主要性能參數(shù)及核查方法
1范圍
本標準規(guī)定了表征以半導體探測器前置放大器和信號處理系統(tǒng)為基本構(gòu)成的射線能譜儀
、X
特性最重要的性能參數(shù)本標準僅適用于基于固態(tài)電離原理的半導體探測器能譜儀本標準規(guī)
(EDS)。。
定了與掃描電鏡或電子探針聯(lián)用的性能參數(shù)的最低要求以及核查方法至于實
(SEM)(EPMA)EDS。
際分析過程在[2]和[3]中已有規(guī)范不在本標準范圍之內(nèi)
,ISO22309ASTME1508,。
2規(guī)范性引用文件
下列文件對于本文件的應用是必不可少的凡是注日期的引用文件僅注日期的版本適用于本文
。,
件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于本文件
。,()。
微束分析電子探針顯微分析術(shù)語
ISO23833(EPMA)[Microbeamanalysis—Electronprobe
microanalysis(EPMA)—Vocabulary]
3術(shù)語和定義
界定的以及下列術(shù)語和定義適用于本文件
ISO23833。
注除和外這些定義都按[2][4]和中
:3.1,3.2,3.2.1,3.2.2,3.11,3.123.13,ISO22309,ISO18115-1ISO23833
相同或相似的形式規(guī)定
。
31
.
能譜儀energy-dispersiveX-rayspectrometer
同時記錄整個射線譜來測定射線強度作為輻射能量函數(shù)的裝置
X,X。
注能譜儀包括固態(tài)探測器前置放大器和脈沖處理器探測器將射線光子能轉(zhuǎn)換為電脈沖并經(jīng)前置放大器
:、。X,
進行信號放大脈沖處理器根據(jù)波幅將脈沖分類并形成射線強度對能量的直方圖分布
。X。
32
.
計數(shù)率countrate
每秒射線光子數(shù)
X。
321
..
輸入計數(shù)率inputcountrateICR
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