GB/T 17550.3-1998識別卡光記憶卡線性記錄方法第3部分：光屬性和特性

CS35.240.15L64中華人民共和國國家標準GB/T17550.3-1998idtISO/IEC11694-3:1995識別卡光記憶卡線性記錄方法第3部分：光屬性和特性Identificationcardspticalmemorycards-Linearrecordingmethod-Part3:Opticalsandpropertiescharacteristics1998-11-05發布1999-06-01實施國家質量技術監督局發布

GB/T17550.3-1998次前言ISO/IEC前言引言范圍2引用標準3讀/寫測試條件……光特性45讀特性缺陷

GB/T17550.3-1998前本標準等同采用國際標準ISO/IEC11694-3:1995《識別卡光記憶卡線性記錄方法第3部分：光屬性和特性》。GB/T17550在總標題《識別卡光記憶卡線性記錄方法》下，包括下述部分：-第1部分:物理特性：-第2部分：可訪問光區域的尺寸和位置;-第3部分：光屬性和特性；-第4部分：邏輯數據結構。本標準由中華人民共和國電子工業部提出、本標準由電子工業部標準化研究所歸口。本標準起草單位：電子工業部標準化所。本標準主要起草人:馮敬、馮惠、李韻琴、黎懷忠、陳云峰。

GB/T17550.3-1998ISO/IEC前音ISO（國際標準化組織)和IEC(國際電工委員會)建立了世界范圍標準化的專門系統。ISO或IEC的國家成員團體通過國際組織建立的各個技術委員會參與制定針對特定技術領域的國際標準。ISO和IEC技術委員會在共同感興趣的領域合作。其他與JSO和亞C有聯系的官方和非官方的各國際組織也參與此項工作。在信息技術領域,ISO和IEC建立了一個聯合技術委員會,即ISO/IECJTC1。由聯合技術委員會提出的國際標準草案需分發給各成員團體進行表決。作為國際標準發布至少需要75%的成員團體投票贊成，國際標準ISO/IEC11694-3由聯合技術委員會ISO/IECJTCI(信息技術)的分委員會SC17(識別卡及相關設備)制定。ISO/IEC11694在總標題《識別卡光記憶卡線性記錄方法》下包括下述部分-第1部分：物理特性：一第2部分：可訪間光區域的尺寸和位置;-第3部分：光屬性和特性-第4部分：邏輯數據結構、

GB/r17550.3-1998本標準是描述光記憶卡的參數以及如何使用這種卡存儲和數字數據交換的系列標準之一。本標準認為記錄和讀光記憶卡信息存在著不同的方法，其特性也隨所使用的記錄方法而確定，通常，這些不同的記錄方法彼此是不兼容的。因此，本標準采用一種一致的方法來組織，使之適應現存的以及將來的記錄方法。本標準專用于使用線性記錄方法的光記憶卡。適用于其他特定的記錄方法的特性可以在獨立的標準文件中找到。本標淮定義了光屬性和特性以及符合、加入和/或不符合此相關的基本文件GB/T17551的范圍

中華人民共和國國家標準識別卡光記憶卡線性記錄方法GB/T17550.3-1998第3部分：光屬性和特性idtISO/IEC11694-3:1995Identificationcards-Opticalmemorycards-Linearrecordingmethod-Part3:Opticalpropertiesandcharacteristics范圍本標準定義了使用線性記錄方法的光記憶卡的光屬性和特性2引用標準下列標準所包含的條文，通過在本標準中引用而構成為本標準的條文。本標準出版時，所示版本均為有效。所有標準都會被修訂，使用本標準的各方應探討使用下列標準最新版本的可能性.GB/T17551—1998識別卡光記憶卡一般特性(idtISO/IEC11693:1994)ISO/IEC11694-4:1996識別卡光記憶卡：線性記錄方法第4部分：邏輯數據結構，讀/寫測試條件住：除另有規定外，這些測試條件適用于所有的測試3.1光源光源應是波長為760nm到850nm之間的半導體激光二極管。3.2光束直徑光層表面的聚焦光束應在1/e的點上測得。每次測試應定義特定的光束直徑3.33讀功率光層表面的讀功率應小于0.50mW3.44缺省測試環境和條件采用GB/T17551中定義的缺省測試環境和條件參數。4光特性在本標準中定義的測試條件下.期望達到這些特性。如果測試條件變化了，則在這里定義的光特性也會改變。4.1最低性能特性本條內所包含的值均表示為了信息交換可接受的最低程度。因此·除卡的物理損壞之外，在卡的使用壽命期間，這些值表示了光卡應滿足或超過的特性。注：使用壽命的定義因應用而異。因此·將其留給卡的制造者和發行者，為他們特定的實現而做適當的定義。4.1