標準解讀

GB/T 17169-1997 是一項中華人民共和國國家標準，全稱為《硅拋光片和外延片表面質量光反射測試方法》。該標準規定了用于評估硅拋光片和外延片表面質量的光反射測試的具體方法和要求，旨在為半導體材料的生產和應用提供統一的檢測標準，確保產品質量的一致性和可靠性。以下是該標準的主要內容概覽：

  1. 范圍：本標準適用于單晶硅拋光片和外延片表面質量的光反射率測試，主要用于檢測這些材料表面的平整度、潔凈度及微缺陷等。

  2. 規范性引用文件：列出了執行本標準時所依據或參考的其他相關標準文獻，確保測試過程與國際或國內其他標準相協調。

  3. 術語和定義：明確了在標準中使用的一些專業術語及其定義，幫助讀者準確理解測試中的具體概念。

  4. 測試原理：描述了利用光反射原理來評估硅片表面質量的方法。通常涉及將特定波長的光照射到硅片表面，并測量反射光的強度或分布，以此來分析表面的微觀狀態。

  5. 儀器要求：詳細說明了進行光反射測試所需設備的類型、精度要求以及校準方法，確保測試結果的準確性和可重復性。

  6. 試樣制備：規定了測試前硅片的處理步驟，包括清洗、干燥等，以去除可能影響測試結果的外來污染。

  7. 測試條件：包括測試環境（如溫度、濕度）、光照條件（如光源特性、入射角度）等具體要求，這些條件對測試結果有直接影響。

  8. 測試步驟：詳細闡述了從設置儀器、放置試樣到獲取并記錄數據的全過程，確保測試操作的標準化和規范化。

  9. 數據處理與分析：提供了如何處理測試數據，包括計算反射率、分析數據以識別表面缺陷的方法指導。

  10. 試驗報告：規定了測試報告應包含的信息，如樣品信息、測試條件、測試結果及必要的圖表等，以便于結果的交流和追溯。


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  • 廢止
  • 已被廢除、停止使用，并不再更新
  • 1997-12-22 頒布
  • 1998-08-01 實施
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GB/T 17169-1997硅拋光片和外延片表面質量光反射測試方法_第1頁
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文檔簡介

ICS.29.045H24中華人民共和國國家標準CB/T17169－1997硅拋光片和外延片表面質量光反射測試方法Testmethodforthesurfacequalityofpolishedsiliconwafersandepitaxiallwafersbyyoptical-reflection1997-12-22發布1998-08-01實施國家技術監督局發布

GB/T17169-1997前目前尚無檢索到鏡面狀半導體品片表面缺陷光反射無報檢驗的國際標準或國外先進標準本標準利用近代激光技術、先進的光學接收裝置，經過信息處理系統，可快速、無損完成對鏡面狀試樣表面狀態分析，試樣表面缺陷的圖像可直觀地在屏幕上顯示出來。本標準檢驗顯示出的缺陷圖像已編成圖譜本標準可實現對半導體硅拋光片、外延片表面直觀、靈敏、快速、無損檢驗。本標準是光電子技術與徽電子技術相結合應用于表面質最檢驗的研究所取得的重要成果本標準于1998年8月1日起實施。本標準由中國有色金屬工業總公司提出。本標準由中國有色金屬工業總公司標準計量研究所歸口本標準由南開大學、天津市半導體材料廠負資起草。本標準主要起草人：李增發、王宏杰、張福禎、顏彩繁、張光寅、鄧江東本標準于1997年12月22日首次發布。

中華人民共和國國家標準硅拋光片和外延片cB/T17169-1997表面質量光反射測試方法Testmethodforthesurfacegualityofpolishedsiliconwafersandepitaxialwafcrsbyoptical-reflection1范圍本標準規定了半導體硅拋光片和外延片表面常見缺陷的光反射無損檢驗方法。本標準適用于半導體硅拋光片和外延片表面質最的無損檢驗。本標準的檢驗結果與GB/T6624、GB/T14142的檢驗結果一致。2引用標準下列標準所包含的條文，通過在本標準中引用而構成為本標準的條文。在標準出版時，所示版本均為有效。所有標準都會被修訂，使用本標準的各方應探討使用下列標準最新版本的可能性GB/T6624—1995硅地光片表面質量目測檢驗方法GB/T14142—93硅外延層品體完整性檢驗方法腐蝕法GB/T14262—93半導體材料術語3方法原理用澈光作光源，利用激光的相干性和空間濾波的方法，形成波面高度均勻的發散光束，照射試樣表面。由于試樣表面存在各種不均勾性，反射光束的波面將發生畸變，畸變波面空間折疊，相干成像，形成與各種缺陷對應的圖像。用一定的接收裝置(CCD或攝像機)接收、記錄反射圖像，經過計算機信息處理系統，可完成試樣表面的狀態分析、儲存。圖像通過監視器，可直觀地在屏幕上顯示出來。由此可對試樣

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