標準解讀

GB/T 15651.4-2017是一項中國國家標準，專注于半導體器件領(lǐng)域中的分立器件分類，特別針對光電子器件部分的半導體激光器進行了詳細規(guī)范。本標準作為系列標準的第五部分第四節(jié)，旨在為半導體激光器的設(shè)計、制造、性能評估及應(yīng)用提供統(tǒng)一的技術(shù)要求和測試方法，以確保產(chǎn)品的一致性和可靠性。

標準內(nèi)容概覽

  1. 范圍：明確了標準適用的半導體激光器類型，通常涵蓋各種結(jié)構(gòu)和波長范圍的激光二極管，包括但不限于邊緣發(fā)射型、表面發(fā)射型以及垂直腔面發(fā)射激光器等。

  2. 規(guī)范性引用文件：列出了實施該標準時需要參考的其他國家標準或國際標準文獻，這些文件提供了基礎(chǔ)定義、測試條件和測量方法等。

  3. 術(shù)語和定義：對半導體激光器相關(guān)的專業(yè)術(shù)語進行界定，確保行業(yè)內(nèi)交流的一致性和準確性。

  4. 分類與命名：根據(jù)激光器的工作原理、結(jié)構(gòu)特點、輸出功率、波長等關(guān)鍵參數(shù)，給出了分類體系及相應(yīng)的命名規(guī)則。

  5. 要求：

    • 性能要求：規(guī)定了半導體激光器的基本性能指標，如閾值電流、輸出功率、光束質(zhì)量、工作溫度范圍、壽命等。
    • 可靠性要求：設(shè)定了在特定條件下的壽命測試、穩(wěn)定性測試要求，以驗證激光器的長期工作可靠性。
    • 安全要求：考慮到激光對人體可能造成的傷害，規(guī)定了必要的安全防護措施和標識要求。

  6. 測試方法：詳細說明了如何對上述各項性能和安全指標進行測試的具體步驟和條件，確保測試結(jié)果的可重復性和準確性。

  7. 標志、包裝、運輸和貯存：規(guī)定了產(chǎn)品標識信息的內(nèi)容、包裝材料和方式、以及在運輸和貯存過程中的環(huán)境條件要求，以保護激光器免受損害。

實施意義

該標準為半導體激光器的制造商、用戶以及第三方檢測機構(gòu)提供了統(tǒng)一的標準依據(jù)，有助于提升產(chǎn)品質(zhì)量控制水平，促進技術(shù)交流和國際貿(mào)易，同時也為監(jiān)管機構(gòu)提供了評判產(chǎn)品合規(guī)性的準則，保障了市場的健康發(fā)展和消費者的安全。通過遵循這一標準，可以有效推動半導體激光技術(shù)的進步和應(yīng)用領(lǐng)域的拓展。


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....

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  • 現(xiàn)行
  • 正在執(zhí)行有效
  • 2017-05-31 頒布
  • 2017-12-01 實施
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GB/T 15651.4-2017半導體器件分立器件第5-4部分：光電子器件半導體激光器_第1頁
GB/T 15651.4-2017半導體器件分立器件第5-4部分：光電子器件半導體激光器_第2頁
GB/T 15651.4-2017半導體器件分立器件第5-4部分：光電子器件半導體激光器_第3頁
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GB/T 15651.4-2017半導體器件分立器件第5-4部分：光電子器件半導體激光器-免費下載試讀頁

文檔簡介

ICS31260

L51.

中華人民共和國國家標準

GB/T156514—2017/IEC60747-5-42006

.:

半導體器件分立器件

第5-4部分光電子器件

:

半導體激光器

Semiconductordevices—Discretedevices—Part5-4Otoelectronicdevices—

:p

Semiconductorlasers

(IEC60747-5-4:2006,IDT)

2017-05-31發(fā)布2017-12-01實施

中華人民共和國國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗檢疫總局發(fā)布

中國國家標準化管理委員會

GB/T156514—2017/IEC60747-5-42006

.:

目次

前言

…………………………Ⅲ

范圍

1………………………1

規(guī)范性引用文件

2…………………………1

術(shù)語和定義

3………………2

物理概念

3.1……………2

器件類型半導體激光器激光二極管

3.2———()………2

一般術(shù)語

3.3……………2

與額定值和特性有關(guān)的術(shù)語

3.4………………………3

基本額定值和特性

4………………………7

類型

4.1…………………7

半導體

4.2………………7

外形與封裝細節(jié)

4.3……………………7

極限值絕對最大額定值

4.4()…………7

光電特性

4.5……………8

補充資料溫度對波長的影響

4.6———…………………9

測試方法

5…………………10

功率測試

5.1……………10

輸出功率穩(wěn)定性

5.2……………………10

時域分布

5.3……………12

壽命

5.4…………………14

激光束的光學特性

5.5…………………14

附錄資料性附錄空間分布和光譜特性相關(guān)術(shù)語及定義參照表

A()…………………18

附錄資料性附錄空間分布和光譜特性相關(guān)測試方法參照表

B()……22

附錄資料性附錄功率測試和壽命相關(guān)術(shù)語定義及測試方法參照表

C()、…………23

參考文獻

……………………24

圖帶端口無透鏡器件

1……………………3

圖開關(guān)時間

2………………4

圖激光二極管的閾值電流

3………………5

圖基本電路圖

4…………………………10

圖基本電路圖

5…………………………12

圖典型脈沖響應(yīng)圖

6……………………13

圖基本電路圖

7…………………………14

Ⅰ

GB/T156514—2017/IEC60747-5-42006

.:

圖半強度角

8……………15

圖指定平面和機械參考面的關(guān)系

9……………………15

圖基本測量裝置圖

10……………………16

圖D和D的測量裝置

111/21/e2……………17

表光電特性

1………………8

Ⅱ

GB/T156514—2017/IEC60747-5-42006

.:

前言

半導體器件分立器件和集成電路第部分光電子器件由以下部分組成

GB/T15651《5:》:

第部分光電子器件基本額定值和特性

———5-2:;

第部分光電子器件測試方法

———5-3:;

第部分光電子器件半導體激光器

———5-4:。

本部分為的第部分

GB/T156515-4。

本部分按照給出的規(guī)則起草

GB/T1.1—2009。

本部分使用翻譯法等同采用半導體器件分立器件第部分光電子器件

IEC60747-5-4:2006《5-4:

半導體激光器

》。

與本部分中規(guī)范性引用的國際文件有一致性對應(yīng)關(guān)系的我國文件如下

:

激光輻射功率和功率不穩(wěn)定度測試方法

———GB/T13863—2011(ISO11554:2006,MOD);

激光術(shù)語

———GB/T15313—2008(ISO11145:2006,MOD);

半導體器件和集成電路第部分總則

———GB/T17573—19981(IEC747-1:1983,IDT);

激光和激光相關(guān)設(shè)備激光光束寬度發(fā)散角和光束傳輸比的試驗方

———GB/T26599.1—2011、

法第部分無象散和簡單象散光束

1:(ISO11146-1:2005,IDT);

激光光束指向和位置穩(wěn)定性測試方法

———GB/T27662—2011(ISO11670:2003,IDT)。

本部分做了下列編輯性修改

:

在第章規(guī)范性引用文件中增加了

———2,“IEC60747-1”;

圖中接收角或束散角對應(yīng)為全角

———1α;

開關(guān)時間中見圖改為見圖

———3.4.1“(3)”“(2)”;

注中微分輸出輻射功率量子效率中η改為η

———3.4.33()“ed”“d”;

激光束光學特性中見改為見

———3.4.7“(ISO1146-3)”“(ISO11146-3)”;

改為

———“4.2.1.1”“4.2.1”;

表中邊模抑制比改為

———1,4.5.12“SMS”“SMSR”;

注中根據(jù)?依次確定指定平面后確定后增加如圖所示

———5.5.4a)“”“8。”;

附錄中術(shù)語相干性脈沖重復頻率引用由改為

———A,“~”ISO11145“3.14~3.51”“3.15~3.52”,

術(shù)語量子效率非穩(wěn)腔引用由改為術(shù)語偏振引用

“~”ISO11145“3.52~3.56”“3.54~3.58”,“”

由改為

ISO11145“3.36”“3.37”;

附錄中刪除術(shù)語峰值發(fā)射波長光譜輻射帶寬引用的的

———A,“”、“”ISO11145“3.54”;

附錄中開通延遲時間引用由改為壽命引用

———C,“”IEC60747-5-4“3.4.1.4”“3.4.1.3”,“”

由改為

ISO11145“3.33”“3.34”。

本部分由中華人民共和國工業(yè)和信息化部提出

。

本部分由全國半導體器件標準化技術(shù)委員會歸口

(SAC/TC78)。

本部分起草單位中國電子科技集團公司第十三研究所

:。

本部分主要起草人劉小文陳海蓉安振峰牛江麗王曉燕任浩

:、、、、、。

Ⅲ

GB/T156514—2017/IEC60747-5-42006

.:

半導體器件分立器件

第5-4部分光電子器件

:

半導體激光器

1范圍

的本部分規(guī)定了半導體激光器的基本額定值特性及測試方法

GB/T15651、。

2規(guī)范性引用文件

下列文件對于本文件的應(yīng)用是必不可少的凡是注日期的引用文件僅注日期的版本適用于本文

。,

件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于本文件

。,()。

半導體器件分立器件和集成電路第部分總則

IEC60747-11:(Semiconductordevices—Dis-

cretedevicesandintegratedcircuits—Part1:General)

光纖光學系統(tǒng)用半導體光電器件第部分基本額定值和特性

IEC62007-11:(Semiconductor

optoelectricdevicesforfibreopticsystemapplications—Part1:Essentialratingsandcharacteristics)

光纖光學系統(tǒng)用半導體光電器件第部分測試方法

IEC62007-22:(Semiconductoroptoelectric

devicesforfibreopticsystemapplications—Part2:Measuringmethods)

光學和光學儀器激光和激光相關(guān)設(shè)備術(shù)語和符號

ISO11145(Opticsandoptical

instruments—Lasersandlaserrelatedequipment—Vocabularyandsymbols)

激光和激光相關(guān)設(shè)備激光光束寬度發(fā)散角和光束傳輸比的試驗測試方法第

ISO11146-1、1

部分無像散和簡單像散光束

:(Lasersandlaser-relatedequipment—Testmethodsforlaserbeam

widths,divergenceanglesandbeampropagationratios—Part1:Stigmaticandsimpleastigmatic

beams)

激光和激光相關(guān)設(shè)備激光光束寬度束散角和光束傳輸比的測試方法第部

ISO11146-2、2

分廣義像散光束

:(Lasersandlaser-relatedequipment—Testmethodsforlaserbeamwidths,

divergenceanglesandbeampropagationratios—Part2:Generalastigmaticbeams)

激光和激光相關(guān)設(shè)備激光光束寬度束散角和光束傳輸比的測試方法第部

ISO11146-3

溫馨提示

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