標(biāo)準(zhǔn)解讀

《GB/T 14447-1993 塑料薄膜靜電性測(cè)試方法 半衰期法》作為一項(xiàng)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)，規(guī)定了使用半衰期法來(lái)測(cè)定塑料薄膜表面靜電電荷衰減特性的具體步驟和要求。然而，您提供的對(duì)比標(biāo)準(zhǔn)名稱不完整，無(wú)法直接進(jìn)行詳細(xì)的變更對(duì)比。通常，當(dāng)對(duì)比兩個(gè)標(biāo)準(zhǔn)時(shí)，會(huì)關(guān)注以下幾個(gè)方面來(lái)識(shí)別差異：

  1. 適用范圍：新標(biāo)準(zhǔn)可能會(huì)擴(kuò)大或縮小測(cè)試材料的種類、薄膜厚度范圍或是靜電性能的定義。
  2. 測(cè)試方法細(xì)節(jié)：包括測(cè)試環(huán)境條件（如溫度、濕度）、樣品制備方法、儀器校準(zhǔn)要求、數(shù)據(jù)采集與處理的具體步驟等，都可能是變更的重點(diǎn)。
  3. 術(shù)語(yǔ)和定義：隨著技術(shù)進(jìn)步和行業(yè)共識(shí)的更新，相關(guān)術(shù)語(yǔ)的定義可能有所調(diào)整，以更準(zhǔn)確反映當(dāng)前技術(shù)水平和理解。
  4. 精度和誤差要求：新標(biāo)準(zhǔn)可能會(huì)對(duì)測(cè)量精度提出更高或更具體的要求，包括測(cè)試重復(fù)性和再現(xiàn)性的標(biāo)準(zhǔn)差或允許誤差范圍。
  5. 安全和環(huán)保要求：隨著對(duì)安全生產(chǎn)和環(huán)境保護(hù)重視程度的提高，新標(biāo)準(zhǔn)可能會(huì)增加相關(guān)的安全操作指導(dǎo)和環(huán)保處理要求。
  6. 合格判定準(zhǔn)則：判定產(chǎn)品是否符合靜電性能要求的標(biāo)準(zhǔn)值或閾值可能有所調(diào)整。


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  • 1993-06-14 頒布
  • 1993-12-01 實(shí)施
?正版授權(quán)
GB/T 14447-1993塑料薄膜靜電性測(cè)試方法半衰期法_第1頁(yè)
GB/T 14447-1993塑料薄膜靜電性測(cè)試方法半衰期法_第2頁(yè)
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UDC678.076：620.1A83中華人民共和國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)GB/T14447-93塑料薄膜靜電性測(cè)試方法半衰期法TestmethodforelectrostaticpropertiesofplasticfilmsHalf-lifemethod1993-06-14發(fā)布1993-12-01實(shí)施國(guó)家技術(shù)監(jiān)督局發(fā)布

中華人民共和國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)塑料薄膜靜電性測(cè)試方法GB/T14447-93半衰期法Testmethodforeleetrostaticproperticsofplasticfiims-Half-iifemethod主題內(nèi)容與適用范圍本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了在實(shí)驗(yàn)室條件下,以電暈放電形式使塑料薄膜帶電后，其靜電半衰期(以下簡(jiǎn)稱“半衰期”)的測(cè)試方法。本標(biāo)準(zhǔn)適用于塑料薄膜，其他絕緣材料制成的薄膜也可參照采用。引用標(biāo)準(zhǔn)GB2918塑料試樣狀態(tài)調(diào)節(jié)和試驗(yàn)的標(biāo)準(zhǔn)環(huán)境術(shù)語(yǔ)及符號(hào)3.1靜電電樂(lè)electrostaticvoltage試樣受某種外界作用后，其上積累的相對(duì)穩(wěn)定的電荷所產(chǎn)生的對(duì)地電壓，以表示。3.2靜電電場(chǎng)強(qiáng)度electrostaticfieldintensity試樣受某種外界作用后，其上積累的相對(duì)穩(wěn)定的電荷所產(chǎn)生的靜電電場(chǎng)強(qiáng)度，以E表示.3.3靜電峰值電壓electrostaticpeakvoltage試樣受某種外界作用后，所產(chǎn)生的最大靜電電壓，以。表示。3.4靜電峰值電場(chǎng)強(qiáng)度electrostatiepeakfieldintensitv試樣受某種外界作用后，所產(chǎn)生的最大靜電電場(chǎng)強(qiáng)度，以E。表示。3.5半衰期half-life當(dāng)外界作用撒除后，試樣靜電電壓(或靜電電場(chǎng)強(qiáng)度)衰減至峰值的一半時(shí)所需的時(shí)間，以表示.3.6剝余靜電電壓residualelectrostaticvoltage當(dāng)外界作用撒除后，作為時(shí)間函數(shù)而存在的靜電電壓，如.Uom(1000。后),U."m(20008后）3.7剝余靜電電場(chǎng)強(qiáng)度residualelectrostaticfieldintensity當(dāng)外界作用撒除后，作為時(shí)間函數(shù)而存在的靜電電場(chǎng)強(qiáng)度。如：E,0(1000s后),E。mo(2000后)！測(cè)試原理在規(guī)定的測(cè)試條件下,對(duì)放電電極施加高電壓，以電暈放電形式使試樣帶電，在停止施加高電壓后試樣接地自然衰減，測(cè)試試樣

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