標準解讀

《GB/T 12965-1996 硅單晶切割片和研磨片》標準相比其前身《GB 12965-1991》，主要在以下幾個方面進行了調整和更新：

  1. 標準性質的改變：從標準編號的變化可以看出，從原來的GB（國家強制性標準）變更為GB/T（國家推薦性標準），意味著該標準從強制執行轉變為推薦使用，給予企業更多選擇空間。

  2. 技術內容的修訂：對硅單晶切割片和研磨片的技術要求進行了細化和優化，可能包括尺寸公差、表面粗糙度、平整度、潔凈度等方面的要求更加明確和嚴格，以適應技術進步和市場的需求變化。

  3. 檢測方法的改進：更新了對硅單晶片的檢測和試驗方法，引入了更先進的檢測技術和手段，提高了檢測的準確性和效率。這可能涵蓋了切割損傷層深度的測量、微缺陷檢測技術等方面。

  4. 質量控制指標的調整：根據行業發展的實際情況，對產品的質量控制指標進行了適當的調整，如可能增加了對特定雜質含量的限制，或是對機械強度的要求有所提高，以確保產品性能的穩定性和一致性。

  5. 標準適用范圍的明確：對標準的適用范圍進行了重新界定或說明，可能更清晰地界定了適用于哪些類型的硅單晶材料及其應用領域，便于企業和用戶準確理解和執行。

  6. 術語和定義的完善：隨著行業的發展，對一些專業術語進行了修訂或新增，使得標準中的表述更加準確無歧義，有助于行業內的交流與理解。


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  • 被代替
  • 已被新標準代替，建議下載現行標準GB/T 12965-2005
  • 1996-11-04 頒布
  • 1997-04-01 實施
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文檔簡介

ICS29.045H82中華人民共和國國家標準GB/T12965-1996.硅單晶切割片和研磨片Monocrystallinesiliconascutslicesandlappedslices1996-11-04發布1997-04-01實施國家技術監督局發布

GB/T12965-1996前本標準參照國外有關標準，結合我國硅材料的使用情況,對GB12965—91進行修訂而成的。。修訂時保留了原標準中符合我國實際的內容。修訂后的本標準,刪去了原標準中的直徑90mm的規格，增加了直徑125mm的規格，主要技術指標，都有不同程度的提高。與本標準配套的標準有：GB/T12962硅單晶本標準從1997年4月1日起實施。本標準從生效之日起，代替GB12965-91。本標準由中國有色金屬工業總公司提出。本標準由中國有色金屬工業總公司標準計量研究所歸口。本標準起草單位：洛陽單品硅廠和中國有色金屬工業總公司標準計量研究所本標準主要起草人：王從贊、郭瑾、吳福立。本標準首次發布日期：1991年6月。

中華人民共和國國家標準硅單晶切割片和研磨片CB/T12965-1996Monocrystallinesiliconascutslices代替GB12965—91andlappedslices1范園本標準規定了單品切割片和研磨片（簡稱硅片)的產品分類、技術要求、試驗方法、檢驗規則以及標志、包裝、運輸、財存。本標準適用于由直拉、懸浮區熔和中子煊變摻雜硅單品經切割、雙面研磨制備的圓形硅片，硅片直徑范圍為50.8～125mm。產品用于制作晶體管、整流器件等半導體器件,或進一步加工成硅拋光片。2引用標準下列標準所包含的條文，通過在本標準中引用而構成為本標準的條文。本標準出版時，所示版本均為有效，所有標準都會被修訂，使用本標準的各方應探討使用下列標準最新版本的可能性GB/T1550硅單晶導電類型測定方法GB/T1552一1995硅、錯單晶電阻率測定直排四探針法GB/T1554一1995硅晶體完整性化學擇優腐蝕檢驗方法GB1556—79硅單晶晶向X光衍射測量方法GB2828—87逐批檢查計數抽樣程序及抽樣表(適用于連續批檢查)GB/T6618一1995硅片厚度和總厚度變化的測試方法GB/T6620—1995硅片翹曲度的非接觸式測試方法GB/T6624一1995硅拋光片表面質量目測檢驗方法GB11073—89硅片徑向電阻率變化的測量方法GB/T12962-1996硅單晶GB/T13387—92電子材料晶片參考面長度測量方法GB/T14140—93硅片直徑測量方法GB/T14844—93半導體材料牌號表示方法3產品分類3.1分類健片按導電類型分為n型和p型兩種類型，按硅單晶的生產方法和硅片的加工方法分別分為直拉、懸浮區熔和中子嫂變摻雜(NTD)三種硅單品

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