GB/T 11499-2001半導體分立器件文字符號

ICS31.080.01L40中華人民共和國國家標準GB/T11499-一2001半導體分立器件文字符號Lettersymbolsfordiscretesemiconductordevices2001-11-05發布2002-06-01實施中華人民共和國發布國家質量監督檢驗檢疫總局

GB/T11499—2001目次前言1范圍總則整流二極管4信號二極管(包括開關二極管)和調整二極管.5射頻二極管…光電子器件…………1閘流晶體管……8雙極品體管……9絕緣柵雙極晶體管(IGBT)10場效應品體管其他半導體器件

GB/T11499—2001前本標準參照了下列國際標準的有關文字符號的內容，對GB/T11499-—1989進行修訂：IEC60747半導體器件分立器件和集成電路IEC60747-1:1983第1部分總則IEC60747-1:1991第一次補充IEC60747-1:1993第二次補充IEC60747-1:1996第三次補充IEC60747-2：2000第2部分整流二極管IEC60747-3:1985第3部分信號二極管（包括開關二極管)和調整二極管IEC60747-3:1991第一次補充IEC60747-3:1993第二次補充IEC60747-4:1991第4部分微波器件IEC60747-4:1993第一次補充IEC60747-4:1999第二次補充IEC60747-5:1992第5部分光電子器件IEC60747-5:1994第一次補充IEC60747-5:1995第二次補充IEC60747-6:1983第6部分閘流品體管IEC60747-6:1991第一次補充IEC60747-6:1994第二次補充IEC60747-7:1988第7部分雙極品體管IEC60747-7:1991第一次補充IEC60747-7：1994第二次補充IEC60747-8:1984第8部分場效應品體管IEC60747-8:1991第一次補充IEC60747-8:1993第二次補充IEC60747-9:1998第9部分絕緣柵雙極品體管本標準與原標準的主要差別是-原標準全文中“功率耗散”都改為"耗散功率”；修改了原標準中"2.1.1.2大寫基本字母"；修改了原標準中"2.1.3電流、電壓和功率文字符號規則匯總表”；修改了原標準中"2.3其他量的文字符號"；修改了原標準中"2.4其他參數”中的部分內容：刪除了原標準中"6.2.2.2其他”中的部分內容：補補充了"2.1.5電流、電壓極性標記”；補充了“2.5用分貝（dB)表示的以對數形式為單位的信號比的文字符號"：補充了"6.1.1開關時間”；補充了“第9章絕緣柵雙極品體管”.

GB/T11499-2001本標準自實施之日起,代替GB/T11499—1989《半導體分立器件文字符號》。本標準由中華人民共和國信息產業部提出。本標準由全國半導體分立器件標準化分技術委員會歸口。本標準由河北半導體研究所負責修訂。本標準主要起草人：崔波、顧振球、陳海暮本標準首次發布時間：1989年3月31日

中華人民共和國國家標準GB/T11499-2001半導體分立器件文字符號代替GB/T11499-1989Lettersymbolsfordiscretesemiconductordeviees1范圍本標準規定了半導體分立器件主要的文字符號本標準適用于編寫半導體分立器件有關標準和有關技術資料，2總則2.1電流、電壓和電功率的文字符號2.1.1基本字母推薦的基本字母有：1,i——電流U,或V.u-電壓P,——功率2.1.1.1大寫基本字母的使用大寫基本字母用來表示量的恒定值或從量的周期性波形中得到的值：a）直流值；b）最大(峰)值;）平均值；d）方均根值：）峰峰(擺幅)值2.1.1.2小寫基本字母的使用小寫基本字母用來表示量的周期性波形的瞬態值2.1.2下標2.1.2.1推薦的通用下標第一下標：F，f——正向-噪聲R.r--反向其他下標：AV）-平均值(BR）擊穿(Cr）·cr-——臨界CD—-直