GB/T 11498-2018半導體器件集成電路第21部分：膜集成電路和混合膜集成電路分規范(采用鑒定批準程序)

ICS31200

L57.

中華人民共和國國家標準

GB/T11498—2018/IEC60748-211997

代替:

GB/T11498—1989

半導體器件集成電路第21部分

:

膜集成電路和混合膜集成

電路分規范采用鑒定批準程序

()

Semiconductordevices—Interatedcircuits—Part21

g:

Sectionalspecificationforfilmintegratedcircuitsandhybridfilm

integratedcircuitsonthebasisofthequalificationapprovalprocedures

(IEC60748-21:1997,IDT)

2018-12-28發布2019-07-01實施

國家市場監督管理總局發布

中國國家標準化管理委員會

GB/T11498—2018/IEC60748-211997

:

前言

半導體器件集成電路已經或計劃發布以下部分

《》:

半導體器件集成電路第部分總則

———GB/T16464—19961:(idtIEC60748-1:1984)

半導體器件集成電路第部分數字集成電路

———GB/T17574—19982:(idtIEC60748-2:

1985)

半導體器件集成電路第部分模擬集成電路

———GB/T17940—20003:(idtIEC60748-3:

1986)

半導體器件集成電路第部分接口集成電路第一篇線性數

———GB/T18500.1—20014::

字模擬轉換器空白詳細規范

/(DAC)(idtIEC60748-4-1:1993)

半導體器件集成電路第部分接口集成電路第二篇線性模

———GB/T18500.2—20014::

擬數字轉換器空白詳細規范

/(ADC)(idtIEC60748-4-2:1993)

半導體器件集成電路第部分半定制集成電路

———GB/T20515—20065:(idtIEC60748-5)

半導體器件集成電路第部分半導體集成電路分規范不包括混

———GB/T12750—200611:(

合電路

)(idtIEC60748-11:1990)

膜集成電路和混合膜集成電路總規范

———GB/T8976—1996(idtIEC60748-20:1988)

半導體器件集成電路第部分膜集成電路和混合膜集成電路分

———GB/T11498—201821:

規范采用鑒定批準程序

()(IEC60748-21:1997,IDT)

半導體器件集成電路第部分膜集成電路和混合膜集成電路

———GB/T13062—201821-1:

空白詳細規范采用鑒定批準程序

()(IEC60748-21-1:1997,IDT)

膜集成電路和混合膜集成電路分規范采用能力批準程序

———GB/T16465—1996()(idt

IEC60748-22)

膜集成電路和混合膜集成電路空白詳細規范采用能力批準程序

———GB/T16466—1996()(idt

IEC60748-22-1)

本部分為半導體器件集成電路的第部分

《》21。

本部分按照給出的規則起草

GB/T1.1—2009。

本部分代替膜集成電路和混合膜集成電路分規范采用鑒定批準程序與

GB/T11498—1989《()》,

相比主要技術變化如下

GB/T11498—1989:

試驗程序由一個鑒定程序擴展為程序和程序兩個鑒定程序

———AB。

本部分使用翻譯法等同采用半導體器件集成電路第部分膜集成電路

IEC60748-21:1997《21:

和混合膜集成電路分規范采用鑒定批準程序

()》。

本部分做了下列編輯性修改

:

原文為以逐批和周期試驗為基礎的鑒定批準程序見表和表或表和表有誤現改

———IEC“2367”,

為以逐批和周期試驗為基礎的質量一致性檢驗程序見表和表或表和表見

“2367”(3.2);

原文為評定水平應從表或表和表或表中選取有誤改為評定水平應從表或

———IEC“2632”,“2

表和表或表中選取見

637”(3.3);

表的分組試驗后增加腳注建議試驗后進行終點電測試見表

———3bC2、C3、C4、D1,,(3b)。

表中分組可焊性試驗原文為即非破壞性有誤該項試驗性質為破壞性因此改為

———51.2“ND”,,

見表

“D”(5)。

請注意本文件的某些內容可能涉及專利本文件的發布機構不承擔識別這些專利的責任

,。

Ⅰ

GB/T11498—2018/IEC60748-211997

:

本部分由中華人民共和國工業和信息化部提出

。

本部分由全國半導體器件標準化技術委員會歸口

(SAC/TC78)。

本部分起草單位中國電子科技集團公司第四十三研究所中國電子技術標準化研究院

:、。

本部分主要起草人馮玲玲陳裕焜雷劍王琪王婷婷管松林

:、、、、、。

本部分所代替標準的歷次版本發布情況為

:

———GB/T11498—1989。

Ⅱ

GB/T11498—2018/IEC60748-211997

:

半導體器件集成電路第21部分

:

膜集成電路和混合膜集成

電路分規范采用鑒定批準程序

()

1范圍和目的

半導體器件集成電路的本部分適用于作為目錄內電路或定制電路而制造的其質量是以鑒定

《》、

批準為基礎評定的膜集成電路和混合膜集成電路

。

本部分的目的是為額定值和特性提供優先值從總規范中選擇合適的試驗和測量方法并且給出根

,,

據本部分制定的膜集成電路和混合膜集成電路詳細規范使用的通用性能要求

。

優先值的概念直接應用于目錄內電路但是不必應用于定制電路

,。

參照本部分制定的詳細規范所規定的試驗嚴酷等級和要求可等于或高于分規范的性能水平不準

,

許有更低的性能水平

。

同本部分相聯系的有一個或多個空白詳細規范每個空白詳細規范均給以編號按照規定填

,。2.3

寫空白詳細規范即構成一個詳細規范按體系的規定該類詳細規范可用于膜集成電路和混合

,。IECQ,

膜集成電路鑒定批準的授與和質量一致性檢驗

。

注對于試驗程序有兩個選擇程序和程序但是不準許在程序和程序之間進行個別試驗項目的調換

::AB。AB。

通常程序更適用于基于無源元件的膜集成電路程序更適用于基于半導體集成電路技術的膜集成電路

,A,B。

2總則優先特性額定值和環境試驗嚴酷等級

、、

21規范性引用文件

.

下列文件對于本文件的應用是必不可少的凡是注日期的引用文件僅注日期的版本適用于本文

。,

件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于本文件

。,()。

電阻器和電容器優先數系

GB/T2471—1995(idtIEC60063:1963)

膜集成電路和混合膜集成電路總規范

GB/T8976—1996(idtIEC60748-20:1988)

半導體器件集成電路第部分膜集成電