標準解讀

《GB/T 11093-2007 液封直拉法砷化鎵單晶及切割片》相比于《GB/T 11093-1989 液封直拉法砷化鎵單晶及切割片》，主要在以下幾個方面進行了更新與調整：

  1. 技術指標的提升：新標準對砷化鎵單晶的純度、結晶質量、微結構缺陷等關鍵性能指標提出了更嚴格的要求，反映了隨著技術進步和市場需求的提高，對材料質量的更高追求。

  2. 檢測方法的改進：引入了更為精確和先進的檢測技術和分析方法，如使用高分辨率X射線衍射（HRXRD）和二次離子質譜（SIMS）等現代分析手段，以更準確地評估單晶的結構完整性和雜質含量，提高了檢測結果的可靠性和準確性。

  3. 生產流程的優化：標準中對液封直拉法制備過程中的工藝參數，如溫度控制、提拉速率、氣氛保護等給出了更詳細和科學的指導，旨在促進生產效率的提升和成本的降低，同時保證產品質量。

  4. 環保與安全要求：2007版標準加強了對生產過程中環境保護和操作人員安全健康的關注，新增或修訂了有關廢棄物處理、有害物質管控及操作規范等內容，體現了可持續發展和安全生產的理念。

  5. 術語和定義的更新：為適應技術發展，新標準對部分專業術語進行了修訂或新增，確保了標準語言的準確性和時代性，便于行業內外人士更好地理解和應用。

  6. 適用范圍的明確：對標準適用的產品類型、尺寸范圍及應用領域做了更清晰的界定，有助于生產廠家和用戶準確把握標準的適用邊界。


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  • 2007-09-11 頒布
  • 2008-02-01 實施
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文檔簡介

犐犆犛２９．０４５

犎８３

中華人民共和國國家標準

犌犅／犜１１０９３—２００７

代替ＧＢ／Ｔ１１０９３—１９８９

液封直拉法砷化鎵單晶及切割片

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２００７０９１１發布２００８０２０１實施

中華人民共和國國家質量監督檢驗檢疫總局

發布

中國國家標準化管理委員會

書

犌犅／犜１１０９３—２００７

前言

本標準是對ＧＢ／Ｔ１１０９３—１９８９《液封直拉法砷化鎵單晶及切割片》的修訂。

本標準與ＧＢ／Ｔ１１０９３—１９８９相比，主要有如下變動：

———單晶和切割片的牌號按照ＧＢ／Ｔ１４８４４《半導體材料牌號表示方法》進行了修訂；

———增加了７６．２ｍｍ（３ｉｎ）、１００ｍｍ、１２５ｍｍ和１５０ｍｍ規格的產品；

———增加了摻入碳等雜質元素的產品；

———去掉了４０ｍｍ規格的產品；

———取消了按位錯密度對產品進行分級。

本標準自實施之日起，代替ＧＢ／Ｔ１１０９３—１９８９。

本標準由中國有色金屬工業協會提出。

本標準由全國半導體設備和材料標準化技術委員會材料分技術委員會歸口。

本標準起草單位：北京有色金屬研究總院。

本標準主要起草人：張峰翊、鄭安生。

本標準所代替標準的歷次版本發布情況為：

———ＧＢ／Ｔ１１０９３—１９８９。

Ⅰ

書

犌犅／犜１１０９３—２００７

液封直拉法砷化鎵單晶及切割片

１范圍

本標準規定了液封直拉法砷化鎵單晶及切割片的要求、試驗方法、檢驗規則和標志、包裝運輸貯

存等。

本標準適用于液封直拉法制備的砷化鎵單晶及其切割片。產品供制作微波器件、集成電路、光電器

件、傳感元件和紅外線窗口等元器件用材料。

２規范性引用文件

下列文件中的條款通過本標準的引用而成為本標準的條款。凡是注日期的引用文件，其隨后所有

的修改單（不包括勘誤的內容）或修訂版均不適用于本標準，然而，鼓勵根據本標準達成協議的各方研究

是否可使用這些文件的最新版本。凡是不注日期的引用文件，其最新版本適用于本標準。

ＧＢ／Ｔ１５５５半導體單晶晶向測定方法

ＧＢ／Ｔ２８２８．１計數抽樣檢驗程序第１部分：按接收質量限（ＡＱＬ）檢索的逐批檢驗抽樣計劃

ＧＢ／Ｔ４３２６非本征半導體單晶霍爾遷移率和霍爾系數測量方法

ＧＢ／Ｔ８７６０砷化鎵單晶位錯密度測量方法

ＧＢ／Ｔ１３３８７電子材料晶片參考面長度測量方法

ＧＢ／Ｔ１４２６４半導體材料術語

ＧＢ／Ｔ１４８４４半導體材料牌號表示方法

ＧＪＢ１９２７砷化鎵單晶材料測試方法

３要求

３．１產品分類

產品按導電類型和電阻率分為半絕緣型（ＳＩ型），低阻導電型（ｎ型和ｐ型）。

３．２牌號

３．２．１單晶的牌號表示為

ＬＥＣＧａＡｓ□（）＜＞

用密勒指數表示的晶向

導電類型，擴號內元素符號為摻雜劑，如果有兩個或兩個以上的摻雜劑，

中間用“＋”連接

砷化鎵材料的分子式

表示砷化鎵單晶的生長方法為液封直拉法

若單晶不強調生產方法或不摻雜時，其相應牌號部分可以省略。

示例：

ＬＥＣＧａＡｓＳＩ＜１００＞表

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